The on-state drain current, I on, i

The on-state drain current, I on, is reduced
due to larger capacitance in high depletion-charge channel.
In addition, a high channel doping will also result in band to
band tunneling leakage. Furthermore, the formation of shallow
channel due to thermal budget of dopant activation causes
higher resistance thus reduces drain current [11]. Greater
dopant concentration also causes gate-induced drain leakage
current (GIDL) [14]. Therefore, increasing the channel
doping will negatively impact the CMOS performance and
functionality

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ลงท่อระบายน้ำในสถานะปัจจุบัน I ใน
เนื่องจากความใหญ่ในช่องการลดลงของค่าใช้จ่ายสูง.
, โดปปิงค์ช่องสูงจะทำให้วง
วงทันเนลรั่ว นอกจากนี้ การก่อตัวของตื้น
ช่องเนื่องจากงบประมาณที่ความร้อนสาเหตุเปิด dopant
ความต้านทานสูงจึงช่วยลดระบายน้ำปัจจุบัน [11] มากกว่า
dopant สมาธิยังทำให้เกิดประตูระบายน้ำรั่ว
ปัจจุบัน (GIDL) [14] ดังนั้น เพิ่มช่อง
โดปปิงค์จะส่งส่งผลกระทบต่อประสิทธิภาพการทำงานของ CMOS และ
ฟังก์ชัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในรัฐท่อระบายน้ำในปัจจุบันผมที่จะลดลง
เนื่องจากความจุขนาดใหญ่ในช่องการสูญเสียค่าใช้จ่ายสูง
นอกจากนี้ยาสลบช่องสูงนอกจากนี้ยังจะส่งผลในวงดนตรีที่
วงการรั่วไหลของการขุดอุโมงค์ นอกจากนี้การก่อตัวของตื้น
ช่องทางเนื่องจากงบประมาณยืนยันการใช้งานความร้อนของสารเจือปนที่ทำให้เกิด
ความต้านทานสูงจึงช่วยลดการระบายน้ำในปัจจุบัน [11] มากขึ้น
ความเข้มข้นเจือปนยังทำให้ประตูเหนี่ยวนำให้เกิดการรั่วไหลของท่อระบายน้ำ
ในปัจจุบัน (GIDL) [14] ดังนั้นการเพิ่มช่องทาง
เติมในทางลบจะส่งผลกระทบต่อผลการดำเนินงาน CMOS และ
ฟังก์ชั่น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในสถานะที่ท่อระบายน้ำปัจจุบัน , ฉัน , จะลดลง
เนื่องจากความจุขนาดใหญ่ในการสูญเสียค่าธรรมเนียมสูงช่อง
นอกจากนี้ การเติมช่องสูงจะส่งผลในวง

วงของการก่อสร้างอุโมงค์ นอกจากนี้ การสร้างช่องทางของตื้น
เนื่องจากงบประมาณกระตุ้นความร้อนของโดพันท์ทำให้ความต้านทานสูงจึงช่วยลดการระบายน้ำปัจจุบัน
[ 11 ] มากขึ้น
โดพันท์สมาธิยังทำให้เกิดการระบายประตูรั่ว
ปัจจุบัน ( gidl ) [ 14 ] ดังนั้น การเพิ่มช่องทางการเติมจะส่งผลกระทบในเชิงลบต่อ

CMOS ประสิทธิภาพและฟังก์ชัน