The Auger analysis of the Cu/Ge/Pd

The Auger analysis of the Cu/Ge/Pd (150 nm/150 nm/15 nm)/n-
GaAs samples after annealing at 250
C for 30 s is shown in Fig. 3,
the data indicates the diffusion profile of multilayers. According to
reported results by Aboelfotoh, Pd12Ga5As2 and Cu3 Ge alloys are
typically formed in the two interfaces (Pd/GaAs, Cu/Ge) [6,7].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การวิเคราะห์ Cu/Ge/Pd (150 nm 150 nm/15 nm) ชอน / n-ตัวอย่างของ GaAs หลังการอบเหนียวที่ 250 C สำหรับ 30 s จะแสดงใน Fig. 3ข้อมูลบ่งชี้โพรไฟล์การแพร่ของ multilayers ตามที่ผลการรายงาน โดย Aboelfotoh, Pd12Ga5As2 และ Cu3 Ge โลหะโดยทั่วไปเกิดขึ้นในอินเทอร์เฟซสอง (Pd/GaAs, Cu/Ge) [6,7]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การวิเคราะห์เจาะของ Cu / Ge / Pd (150 นาโนเมตร / 150 นาโนเมตร / 15 นาโนเมตร) / n-
ตัวอย่าง GaAs หลังจากการอบที่ 250 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 30 วินาทีแสดงในรูป 3
ข้อมูลที่แสดงให้เห็นรายละเอียดการแพร่กระจายของหลายชั้น ตามผลการรายงานโดย Aboelfotoh, Pd12Ga5As2 และโลหะผสม Ge CU3 จะเกิดขึ้นโดยทั่วไปในสองinterfaces (Pd / GaAs ทองแดง / จีอี) [6,7]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

auger การวิเคราะห์ Cu / GE / PD ( 150 nm / 150 nm / 15 nm ) / N -
6 ตัวอย่างเมื่ออบอ่อนที่อุณหภูมิ 250
C 30 S จะแสดงในรูปที่ 3
ข้อมูลบ่งชี้การแพร่กระจายโปรไฟล์ของ multilayers . ตาม
รายงานผลโดย aboelfotoh pd12ga5as2 cu3 GE , และโลหะผสมเป็น
มักจะเกิดขึ้นในสอง interfaces ( PD / GaAs , Cu / GE ) [ 6 , 7 ]