The addition of acceptor impurities

The addition of acceptor impurities contributes hole levels low in the semiconductor band gap so that electrons can be easily excited from the valence band into these levels, leaving mobile holes in the valence band. This shifts the effective Fermi level to a point about halfway between the acceptor levels and the valence band.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นอกเหนือจากสิ่งสกปรกให้เป็นผู้รับก่อให้เกิดหลุมระดับต่ำในช่องว่างวงสารกึ่งตัวนำเพื่อให้อิเล็กตรอนสามารถจะง่ายตื่นเต้นจากแถบวาเลนซ์เป็นเลเวล ออกจากหลุมเคลื่อนในวงวาเลนซ์ นี้เปลี่ยนแปลงระดับพลังงานแฟร์มีประสิทธิภาพไปยังจุดเกี่ยวกับครึ่งทางระหว่างระดับให้เป็นผู้รับและแถบวาเลนซ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นอกเหนือจากสิ่งสกปรกใบเสร็จก่อหลุมระดับต่ำในช่องว่างวงเซมิคอนดักเตอร์เพื่อให้อิเล็กตรอนสามารถจะตื่นเต้นได้อย่างง่ายดายจากวง Valence เป็นระดับเหล่านี้ออกจากหลุมมือถือในวงจุ นี้กะแฟร์ระดับประสิทธิภาพในการจุดกึ่งกลางระหว่างระดับใบเสร็จและวงจุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นอกจากนี้ของพระนาสิกปลอมก่อรูระดับต่ำในกลุ่มเซมิคอนดักเตอร์ช่องว่างเพื่อให้อิเล็กตรอนสามารถตื่นเต้นจากที่ 2 วงดนตรีในระดับเหล่านี้ ออกจากมือถือ ในหลุมที่ 2 วง นี้กะประสิทธิภาพแฟร์ระดับถึงจุดเกี่ยวกับครึ่งทางระหว่างพระนาสิกระดับและระดับที่ 2 วง