As nanometer process technologies h

As nanometer process technologies have advanced, chip density and operating
frequency have increased, making power consumption in battery-operated portable
devices a major concern. Even for nonportable devices, power consumption is
important because of the increased packaging and cooling costs as well as potential
reliability problems. Thus, the main design goal for VLSI (very-large-scale integration)
designers is to meet performance requirements within a power budget.
Therefore, power efficiency has assumed increased importance. This chapter
explores how circuits based on FinFETs (fin-type field-effect transistors), an
emerging transistor technology that is likely to supplement or supplant bulk
CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) at 22-nm and beyond, offer
interesting delay–power tradeoffs.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็น nanometer กระบวนการเทคโนโลยีมีสูง ชิความหนาแน่นและการปฏิบัติความถี่มีขึ้น ทำให้พลังงานในการดำเนินการแบตเตอรี่แบบพกพาอุปกรณ์หลักเกี่ยวข้อง สำหรับอุปกรณ์ nonportable มีการใช้พลังงานสำคัญเนื่องจากบรรจุภัณฑ์เพิ่มขึ้นและต้นทุนเช่นอาจเป็นการระบายความร้อนปัญหาความน่าเชื่อถือ ดังนั้น เป้าหมายหลักการออกแบบสำหรับ VLSI (มาก--ขนาดใหญ่รวม)ออกแบบเพื่อ ตอบสนองความต้องการประสิทธิภาพการทำงานภายในงบประมาณอำนาจได้ดังนั้น ประสิทธิภาพพลังงานได้สันนิษฐานความสำคัญเพิ่มขึ้น บทนี้สำรวจวิธีวงจรตาม FinFETs (หูชนิดฟิลด์–ผล transistors), การเกิดใหม่เทคโนโลยีทรานซิสเตอร์ที่จะเสริม หรือ supplant จำนวนมากCMOS (ทรานซิสเตอร์คู่ประกอบชนิดโลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำ) ที่ 22 nm และเกิน กว่า เสนอยืนยันความล่าช้า – พลังงานน่าสนใจ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นเทคโนโลยีกระบวนการนาโนเมตรมีสูงความหนาแน่นของชิปและระบบปฏิบัติการ
ความถี่เพิ่มขึ้น ทำให้การบริโภคพลังงานในแบตเตอรี่ที่ดำเนินการอุปกรณ์ ปัญหาใหญ่พกพา

สำหรับอุปกรณ์ nonportable พลังงานเป็นสำคัญ เพราะการเพิ่ม
บรรจุภัณฑ์และค่าใช้จ่ายในการระบายความร้อน รวมทั้งปัญหาความน่าเชื่อถือที่อาจเกิดขึ้น

ดังนั้นเป้าหมายการออกแบบหลักสำหรับสร้าง ( รวมขนาดใหญ่มาก )
นักออกแบบเป็นเพื่อตอบสนองความต้องการพลังงานภายในงบประมาณ .
ดังนั้น ประสิทธิภาพการใช้พลังงานได้ถือว่าเพิ่มความสําคัญ บทนี้
สํารวจวงจรตาม finfets ( ครีบชนิด field-effect ทรานซิสเตอร์ ) ,
เกิดขึ้นใหม่เทคโนโลยีทรานซิสเตอร์ที่น่าจะเสริมหรือแทนที่เป็นกลุ่ม
CMOS ( ประกอบโลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำ ) ที่ 22 นาโนเมตร และนอกเหนือ เสนอ
น่าสนใจความล่าช้า–พลัง tradeoffs