High resolution TEM (HR-TEM) (Fig.

High resolution TEM (HR-TEM) (Fig. 4(a)) and selected area electron diffraction (SAED) (Fig. 4(b)) analyses were performed to determine growth direction of HA nanorods

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความละเอียดสูงยการ (HR-ยการ) (เลือกตั้งอิเล็กตรอนการเลี้ยวเบน (SAED) และ Fig. 4(a)) (Fig. 4(b)) วิเคราะห์ได้ดำเนินการเพื่อกำหนดทิศทางการเติบโตของฮา nanorods

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความละเอียด TEM สูง (HR-TEM) (รูปที่. 4 (ก)) และการเลี้ยวเบนของอิเล็กตรอนพื้นที่ที่เลือก (SAED) (รูปที่. 4 (ข)) ได้ดำเนินการวิเคราะห์เพื่อกำหนดทิศทางการเจริญเติบโตของ HA แท่งนาโน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แบบความละเอียดสูง ( hr-tem ) ( รูปที่ 4 ) และเลือกพื้นที่การเลี้ยวเบนอิเล็กตรอน ( saed ) ( รูป 4 ( b ) ) วิเคราะห์ข้อมูลการวิจัยเพื่อกำหนดทิศทางการเจริญเติบโตของ nanorods
ฮา