IGBTs are normally engaged in hard-

IGBTs are normally engaged in hard-switching
applications as the device will switch high currents and
voltages under different inductive loading conditions [1].
Therefore, the IGBTs have to be exposed to different
standard tests to examine the IGBTs safe operating area
(SOA). Typically, there are two standard test circuits for
switching under high inductive loads. The first is the
unclamped inductive load switching test. In this test, the
semiconductor device has to absorb the entire energy
stored in the inductive load as it turns off. The second is
the clamped inductive load switching that employs a
freewheeling diode (FWD) in anti-parallel with the
inductive load. This diode provides a path for the load
inductor current after turning off the device under test
(DUT) [2]. However, the DUT could fail during such
tests resulting in all of the stored energy being transferred
into the failed DUT. This energy will significantly
damage the DUT and obscure any useful insights that
may indicate the origin and cause of failure at the chip
level. As the IGBT ratings increase the testing process
will become more and more problematic due to the very
high energy stored within the reactive elements of the test
circuit. Non-destructive testers (NDT) are implemented
in order to prevent or reduce the severity of such events
and may even protect the device from permanent failure.
NDT circuits can be classified into two categories
according to their principle of operation;

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

IGBTs ได้ปกติหมกมุ่นหนักสลับ โปรแกรมประยุกต์เป็นอุปกรณ์จะเปลี่ยนกระแสสูง และ แรงดันภายใต้เงื่อนไขการโหลดเหนี่ยวแตกต่างกัน [1] ดังนั้น IGBTs จำเป็นต้องแตกต่างกัน ทดสอบมาตรฐานการตรวจสอบพื้นที่ปฏิบัติงานปลอดภัย IGBTs (SOA) โดยปกติ มีสองมาตรฐานทดสอบวงจรสำหรับ สลับภายใต้โหลดสูงเชิงอุปนัย ครั้งแรกเป็นการ โหลด unclamped เหนี่ยวสลับทดสอบ ในการทดสอบนี้ การ อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำมีการดูดซับพลังงานทั้งหมด เก็บไว้ในการโหลดเหนี่ยวที่จะปิด ที่สองคือ โหลดเหนี่ยว clamped สลับที่มีการ ไดโอด (ฟอร์เวิร์ด) freewheeling ป้องกันควบคู่กับการ โหลดเหนี่ยว ไดโอดนี้แสดงเส้นโหลด ปัจจุบันหลังจากปิดอุปกรณ์ภายใต้การทดสอบมือ (บิลพัสดุ์) [2] . อย่างไรก็ตาม บิลพัสดุ์อาจล้มเหลวในช่วงดังกล่าว ทดสอบในทั้งหมดของพลังงานเก็บไว้ที่กำลังโอนย้าย ในบิลพัสดุ์ล้มเหลว พลังงานนี้จะมีนัยสำคัญ ความเสียหายบิลพัสดุ์ และบดบังใด ๆ ข้อมูลที่เป็นประโยชน์ที่ อาจระบุมาและสาเหตุของความล้มเหลวในการชิพ ระดับ เป็นการจัดอันดับของ IGBT เพิ่มการทดสอบ จะมีปัญหามากเนื่องการมาก พลังงานสูงเก็บไว้ภายในองค์ประกอบของการทดสอบปฏิกิริยา วงจร ดำเนินการทดสอบแบบไม่ทำลาย (ผู้) เพื่อป้องกัน หรือลดความรุนแรงของเหตุการณ์ดังกล่าว และแม้จะป้องกันอุปกรณ์จากความล้มเหลวอย่างถาวร วงจรผู้สามารถแบ่งได้สองประเภท ตามหลักการของการดำเนินงาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

IGBTs
มีส่วนร่วมได้ตามปกติในที่ยากต่อการเปลี่ยนการใช้งานเป็นอุปกรณ์ที่จะเปลี่ยนกระแสสูงและแรงดันไฟฟ้าภายใต้เงื่อนไขการโหลดอุปนัยที่แตกต่างกัน
[1].
ดังนั้น IGBTs
จะต้องมีการสัมผัสกับที่แตกต่างกันการทดสอบมาตรฐานในการตรวจสอบการดำเนินงานIGBTs พื้นที่ปลอดภัย
(SOA)
โดยปกติมีสองวงจรทดสอบมาตรฐานสำหรับการเปลี่ยนภายใต้แรงเหนี่ยวนำสูง ที่แรกก็คือโหลดอุปนัย unclamped ทดสอบการเปลี่ยน ในการทดสอบนี้อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่มีการดูดซับพลังงานทั้งหมดที่เก็บไว้ในโหลดอุปนัยเป็นมันจะเปิดออก ประการที่สองคือสลับโหลดอุปนัย clamped ที่มีพนักงานไดโอดอิสระเสรี(FWD) ในการต่อต้านการควบคู่ไปกับการโหลดอุปนัย ไดโอดนี้จะให้เส้นทางสำหรับการโหลดปัจจุบันเหนี่ยวนำหลังจากปิดอุปกรณ์ภายใต้การทดสอบ(DUT) [2] อย่างไรก็ตาม DUT อาจล้มเหลวในระหว่างเช่นการทดสอบผลในทุกของพลังงานที่เก็บไว้ถูกโอนเข้าDUT ล้มเหลว พลังงานนี้มีนัยสำคัญจะเกิดความเสียหาย DUT และปิดบังข้อมูลเชิงลึกใด ๆ ที่มีประโยชน์ที่อาจบ่งบอกถึงที่มาและสาเหตุของความล้มเหลวที่ชิประดับ ขณะที่การจัดอันดับ IGBT เพิ่มขั้นตอนการทดสอบจะกลายเป็นมากขึ้นและมีปัญหามากขึ้นเนื่องจากการมากพลังงานสูงที่เก็บไว้ในองค์ประกอบของปฏิกิริยาของการทดสอบวงจร การทดสอบแบบไม่ทำลาย (NDT) จะดำเนินการเพื่อป้องกันหรือลดความรุนแรงของเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นดังกล่าวและอาจป้องกันอุปกรณ์จากความล้มเหลวอย่างถาวร. วงจร NDT สามารถแบ่งได้เป็นสองประเภทตามหลักการของการดำเนินงานของพวกเขา;

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

igbts เป็นปกติธุระในที่ยากสลับ
การใช้งานเป็นอุปกรณ์ที่จะเปลี่ยนกระแสและแรงดันสูงภายใต้สภาวะโหลดอุปนัยแตกต่าง
[ 1 ]
ดังนั้น igbts ต้องได้รับการทดสอบเพื่อตรวจสอบมาตรฐานแตกต่างกัน

igbts ความปลอดภัยพื้นที่ปฏิบัติการ ( SOA ) โดยทั่วไปมีสองวงจรทดสอบ
สลับสูงภายใต้การโหลด แรกคือ
unclamped โหลด เปลี่ยนแบบทดสอบ ในการทดสอบนี้
อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำได้ดูดซับพลังงานทั้งหมด
เก็บไว้ในโหลดอุปนัยเป็นปิด ประการที่สองคือ
หนีบอุปนัยโหลดสลับที่ใช้น้อยที่สุด ( FWD )
ไดโอดป้องกันขนานกับ
โหลดอุปนัย ไดโอดนี้มีเส้นทางสำหรับการโหลด
ปัจจุบันหลังจากปิดอุปกรณ์ภายใต้การทดสอบ
( ในการสั่งซื้อ ) [ 2 ] อย่างไรก็ตาม ในการสั่งซื้ออาจล้มเหลวในการทดสอบเช่น
ในรูปของพลังงานที่เก็บไว้ถูกโอน
เป็นล้มเหลวในการสั่งซื้อ . พลังงานนี้จะมาก
ความเสียหายในการสั่งซื้อและปิดบังข้อมูลเชิงลึกที่เป็นประโยชน์ใด ๆที่
อาจระบุที่มาและสาเหตุของความล้มเหลวในระดับชิป

เป็น IGBT คะแนนเพิ่มกระบวนการทดสอบ
จะกลายเป็นมากขึ้นและมีปัญหาเนื่องจากการมาก
พลังงานสูงเก็บไว้ภายในเป็นองค์ประกอบของการทดสอบ
วงจร ทดสอบไม่ทำลาย ( NDT ) จะใช้
เพื่อป้องกันหรือลดความรุนแรงของเหตุการณ์ดังกล่าวและอาจจะแม้แต่
ปกป้องอุปกรณ์จากความล้มเหลวถาวร
วงจร NDT สามารถแบ่งได้เป็น 2 ประเภทคือ ตามหลักของการดำเนินงานของพวกเขา
;