High frequency insulated-gate bipol

High frequency insulated-gate bipolar transistors
(IGBTs), high voltage IGBT stack, IGBT series connection,
insulated gate bipolar transistors, nonpunch-through IGBT,
power electronic switching, power semiconductor switches, pulsed
power switching, semiconductor device packaging, semiconductor
device testing, solid state switches, switching, turn-off switching
loss, turn-on time.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความถี่สูงฉนวนประตูทรานซิสเตอร์สองขั้ว
(IGBTs) แรงดันสูง IGBT กองเชื่อมต่อชุด IGBT,
ประตูฉนวนทรานซิสเตอร์สองขั้ว nonpunch ผ่าน IGBT,
อำนาจเปลี่ยนอิเล็กทรอนิกส์สวิตช์สารกึ่งตัวนำไฟฟ้า, พัลซิ่ง
อำนาจเปลี่ยนบรรจุภัณฑ์อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ เซมิคอนดักเตอร์
ทดสอบอุปกรณ์สวิทช์สถานะของแข็งเปลี่ยนสลับเปิดปิด
สูญเสียเปิดในเวลา.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Transistors
(IGBTs) ไฟที่ไบโพลาร์ประตูฉนวนความถี่สูง ไฟฟ้าแรงสูง IGBT กอง IGBT ชุดเชื่อม ต่อ,
หุ้มประตูไฟที่ไบโพลาร์ transistors, nonpunch ผ่าน IGBT,
ไฟฟ้าอิเล็กทรอนิกส์สลับ สลับสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า สูง
ไฟสลับ บรรจุภัณฑ์ของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ สารกึ่งตัวนำ
อุปกรณ์ทดสอบ ของแข็งสลับ สลับ สลับหันออก
turn-on เวลา ขาดทุน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความถี่สูงตัวกล้องหุ้มด้วยฉนวน - ประตูสวิตช์ Bipolar MOS จำนวนทรานซิสเตอร์
( igbts ),แรงดันสูง IGBT Stack , IGBT series ,การเชื่อมต่อ,
ตัวกล้องหุ้มด้วยฉนวนประตูสวิตช์ Bipolar MOS ทรานซิสเตอร์, nonpunch - ผ่าน IGBT ,
พลังไฟด้วยระบบอิเล็กทรอนิกส์การสลับการใช้พลังงานเซมิคอนดักเตอร์สวิตช์,ใด Intense Pulsed Light
พลังงานการสลับใช้งาน,เซมิคอนดักเตอร์อุปกรณ์บรรจุ ภัณฑ์ ,เซมิคอนดักเตอร์
อุปกรณ์การทดสอบ, solid state สวิตช์การสวิตชิ่ง,การเปิด - ปิดเปิด
ซึ่งจะช่วยการสูญเสียเปิดเวลาเปิด.