Modified Chemical Vapor Deposition

Modified Chemical Vapor Deposition (MCVD)
In MCVD a hollow glass tube, approximately 3 feet long and 1 inch in diameter
(1 m long by 2.5 cm diameter), is placed in a horizontal or vertical lathe and spun
rapidly. A computer-controlled mixture of gases is passed through the inside of
the tube. On the outside of the tube, a heat source (oxygen/hydrogen torch) passes
up and down as illustrated in Figure 2-5.
Each pass of the heat source fuses a small amount of the precipitated gas
mixture to the surface of the tube. Most of the gas is vaporized silicon dioxide
(glass), but there are carefully controlled remounts of impurities (dopants) that
cause changes in the index of refraction of the glass. As the torch moves and the
preform spins, a layer of glass is formed inside the hollow preform. The dopant
(mixture of gases) can be changed for each layer so that the index may be varied
across the diameter.
After sufficient layers are built up, the tube is collapsed into a solid glass rod
referred to as a preform. It is now a scale model of the desired fiber, but much
shorter and thicker. The preform is then taken to the drawing tower, where it is
pulled into a length of fiber up to 10 kilometers long.
Outside Vapor Deposition (OVD)
The OVD method utilizes a glass target rod that is placed in a chamber and spun
rapidly on a lathe. A computer-controlled mixture of gases is then passed between
the target rod and the heat source as illustrated in Figure 2-6. On each pass of the
heat source, a small amount of the gas reacts and fuses to the outer surface of the
rod. After enough layers are built up, the target rod is removed and the remaining
soot preform is collapsed into a solid rod. The preform is then taken to the tower
and pulled into fiber.
Vapor Axial Deposition (VAD)
The VAD process utilizes a very short glass target rod suspended by one end. A
computer-controlled mixture of gases is applied between the end of the rod and
the heat source as shown in Figure 2-7. The heat source is slowly backed off as
the preform lengthens due to tile soot buildup caused by gases reacting to the heat
and fusing to the end of the rod. After sufficient length is formed, the target rod
is removed from the end, leaving the soot preform. The preform is then taken to
the drawing tower to be heated and pulled into the required fiber length.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การสะสมไอสารเคมีแก้ไข (MCVD)ใน MCVD หลอดแก้วกลวง ประมาณ 3 ฟุตยาวและเส้นผ่านศูนย์กลาง 1 นิ้ว(1 เมตรยาวตามเส้นผ่าศูนย์กลาง 2.5 ซม.), เป็นวางในแนวนอน หรือแนวตั้งกลึง และปั่นรวดเร็ว คอมพิวเตอร์ควบคุมส่วนผสมของก๊าซผ่านภายในหลอด แหล่งความร้อน (คบเพลิง/ไฮโดรเจนออกซิเจน) ผ่านด้านนอกของท่อขึ้นและลงดังที่แสดงในรูป 2-5แต่ละด่านของแหล่งความร้อน fuses จำนวนก๊าซ precipitatedผสมผสานกับพื้นผิวของท่อ ส่วนใหญ่ของก๊าซเป็นแก้ไขซิลิกอนไดออกไซด์(แก้ว), แต่มีการควบคุมอย่าง remounts ของสิ่งสกปรก (dopants) ที่ทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงในการหักเหของดัชนีของแก้ว เป็นไฟฉายย้ายและมาสเตอร์แบทช์สีดำหมุน ชั้นของแก้วจะเกิดขึ้นภายในมาสเตอร์แบทช์สีดำกลวง Dopant(ส่วนผสมของก๊าซ) สามารถเปลี่ยนสำหรับแต่ละชั้นเพื่อให้ดัชนีอาจจะแตกต่างกันข้ามเส้นผ่าศูนย์กลางหลังจากชั้นพอมีสร้างขึ้น ท่อยุบลงร็อดแก้วแข็งอ้างถึงเป็นตัวมาสเตอร์แบทช์สีดำ เป็นแบบมาตราส่วนของเส้นใยต้อง มากสั้น และหนา มาสเตอร์แบทช์สีดำที่แล้วมาใช้การวาดทาวเวอร์ ที่ไปความยาวของเส้นใยยาวถึง 10 กิโลเมตรไอน้ำที่อยู่นอกสะสม (OVD)วิธี OVD ใช้ร็อดเป้าหมายแก้ว ที่มีอยู่ในหอที่ปั่นบนเครื่องกลึงอย่างรวดเร็ว คอมพิวเตอร์ควบคุมส่วนผสมของก๊าซถูกส่งผ่านไปในระหว่างนั้นร็อดเป้าหมายและแหล่งความร้อนดังที่แสดงในรูป 2-6 ในแต่ละรอบของการแหล่งความร้อน ก๊าซน้อยปฏิกิริยา และ fuses พื้นผิวภายนอกของการกลาส หลังจากมีสร้างชั้นพอขึ้น ร็อดเป้าหมายจะถูกลบออก และเหลือมาสเตอร์แบทช์สีดำฟุ้งถูกยุบเป็นเหล็กแข็ง มาสเตอร์แบทช์สีดำที่นำมาแล้วไปหอและดึงเป็นเส้นใยไอแกนสะสม (VAD)การ VAD ใช้ร็อดเป้าหมายสั้น ๆ แก้วการระงับ โดยปลายด้านหนึ่ง Aมีใช้คอมพิวเตอร์ควบคุมส่วนผสมของก๊าซระหว่างจุดสิ้นสุดของท่อนไม้ และแหล่งความร้อนดังแสดงในรูป 2-7 ช้ามีสนับสนุนแหล่งความร้อนออกเป็นมาสเตอร์แบทช์สีดำที่เท่าเดิมเนื่องจากกระเบื้องรู้ฟุ้งที่เกิดจากปฏิกิริยากับความร้อนของก๊าซและด้วยการสิ้นสุดของท่อนไม้ หลังจากความยาวพอที่จะเกิดขึ้น คันเป้าหมายจะถูกลบออกจากท้าย ออกจากมาสเตอร์แบทช์สีดำฟุ้ง มาสเตอร์แบทช์สีดำที่แล้วมาใช้ทาวเวอร์รูปวาดจะเร่าร้อน และดึงเป็นความยาวของเส้นใยที่จำเป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดัดแปลงสะสมไอเคมี (MCVD)
ใน MCVD หลอดแก้วกลวงประมาณ 3 ฟุตและยาว 1 นิ้วเส้นผ่าศูนย์กลาง
(1 เมตรยาวโดยมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 2.5 เซนติเมตร)
จะอยู่ในเครื่องกลึงแนวนอนหรือแนวตั้งและหมุนอย่างรวดเร็ว
มีส่วนผสมที่ควบคุมด้วยคอมพิวเตอร์ของก๊าซจะถูกส่งผ่านภายในของหลอด ที่ด้านนอกของท่อแหล่งความร้อน (ออกซิเจน / ไฟฉายไฮโดรเจน)
ผ่านไปขึ้นและลงแสดงในรูปที่2-5.
ผ่านของแหล่งความร้อนแต่ละฟิวส์จำนวนเล็ก ๆ
ของก๊าซตกตะกอนผสมกับพื้นผิวของหลอด ส่วนใหญ่เป็นก๊าซจะระเหยซิลิคอนไดออกไซด์
(แก้ว) แต่มีการควบคุมอย่างระมัดระวัง remounts ของสิ่งสกปรก (สารเจือ)
ที่ทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงในดัชนีหักเหของแก้ว ขณะที่การเคลื่อนไหวไฟฉายและ
preform สปินชั้นของแก้วจะเกิดขึ้นภายใน preform กลวง เจือปน
(ส่วนผสมของก๊าซ)
สามารถเปลี่ยนแปลงได้สำหรับแต่ละชั้นเพื่อที่ว่าดัชนีอาจจะแตกต่างกันทั่วเส้นผ่าศูนย์กลาง.
หลังจากที่ชั้นเพียงพอที่จะสร้างขึ้นในหลอดที่มีการทรุดตัวลงเป็นแท่งแก้วที่เป็นของแข็งเรียกว่า preform
ตอนนี้มันเป็นแบบจำลองขนาดของเส้นใยที่ต้องการ
แต่มากสั้นและหนา preform
จะถูกนำตัวไปยังหอคอยวาดภาพซึ่งจะมีการดึงเข้าสู่ความยาวของเส้นใยได้ถึง10 กิโลเมตรยาว.
นอกสะสมไอ (OVD)
วิธี OVD
ใช้ก้านเป้าหมายแก้วที่วางอยู่ในห้องและหมุนตัวไปอย่างรวดเร็วในกลึง มีส่วนผสมที่ควบคุมด้วยคอมพิวเตอร์ของก๊าซจะถูกส่งจากนั้นระหว่างแกนเป้าหมายและแหล่งความร้อนดังแสดงในรูปที่ 2-6 เมื่อวันที่ผ่านของแต่ละแหล่งความร้อนเป็นจำนวนน้อยของก๊าซปฏิกิริยาและฟิวส์กับพื้นผิวด้านนอกของแกน หลังจากที่ชั้นพอที่จะสร้างขึ้นคันเป้าหมายจะถูกลบออกและที่เหลือpreform เขม่าถูกยุบเป็นแกนของแข็ง preform จะถูกนำไปยังหอและดึงเข้าไปในเส้นใย. สะสมไอ Axial (VAD) กระบวนการ VAD ใช้แก้วก้านที่สั้นมากเป้าหมายที่ถูกระงับโดยปลายด้านหนึ่ง ส่วนผสมคอมพิวเตอร์ควบคุมของก๊าซที่นำมาใช้ระหว่างปลายไม้และแหล่งความร้อนดังแสดงในรูปที่ 2-7 แหล่งความร้อนที่ได้รับการสนับสนุนอย่างช้า ๆ ออกเป็นpreform จะทำให้มีระยะเนื่องจากการสะสมของเขม่ากระเบื้องที่เกิดจากการทำปฏิกิริยากับก๊าซความร้อนและการหลอมรวมถึงจุดสิ้นสุดของแกนที่ หลังจากที่มีความยาวเพียงพอที่จะเกิดขึ้นแกนเป้าหมายจะถูกลบออกจากปลายออก preform เขม่า preform จะนำมาจากนั้นไปที่หอการวาดภาพที่จะร้อนและดึงเข้าสู่ยาวเส้นใยที่จำเป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การแก้ไข ( chemical vapor deposition ( mcvd )
ใน mcvd หลอดแก้วกลวง สูงประมาณ 3 ฟุต ยาว 1 นิ้วในเส้นผ่าศูนย์กลาง
( 1 เมตร ยาว 2.5 ซม. ) จะอยู่ในแนวนอน หรือแนวตั้ง กลึง และปั่น
อย่างรวดเร็ว . เป็นคอมพิวเตอร์ควบคุมส่วนผสมของก๊าซผ่านภายใน
หลอด ด้านนอกของหลอดแหล่งความร้อน ( ออกซิเจน ไฮโดรเจน ไฟฉาย /
) ผ่านขึ้นและลงตามที่แสดงในรูปที่ 2-5 .
แต่ละผ่านของแหล่งความร้อนที่ฟิวส์จำนวนเล็ก ๆของการตกตะกอนก๊าซ
ผสมกับพื้นผิวของท่อ ส่วนใหญ่ของก๊าซระเหยซิลิคอนไดออกไซด์
( แก้ว ) , แต่ก็มีการควบคุมอย่างระมัดระวัง remounts สิ่งเจือปน ( ใน )
ทําให้เกิดการเปลี่ยนแปลงในดัชนีการหักเหของแสงของแก้ว เหมือนไฟฉายเคลื่อนที่และ
preform สปินชั้นของกระจกจะเกิดขึ้นภายใน preform กลวง โดยโดพันท์
( ส่วนผสมของก๊าซ ) ที่สามารถเปลี่ยนแปลงได้ในแต่ละชั้นเพื่อให้ดัชนีอาจหลากหลาย

หลังจากที่ชั้นข้ามเส้นผ่าศูนย์กลาง เพียงพอจะสร้างขึ้นมาได้ หลอดจะพังลง
แท่งแก้วแข็งเรียกว่าแสดง มันเป็นขนาดของเส้นใยแบบที่ต้องการ แต่มาก
สั้นและหนาขึ้นที่แสดงเป็นแล้วเอาไปวาดทาวเวอร์ซึ่งเป็น
ถูกดึงเข้าไปในความยาวของเส้นใยถึง 10 กิโลเมตร นอก vapor deposition ( ovd )

วิธี ovd ใช้แก้วเป้าหมายร็อดที่วางอยู่ในห้อง และสาน
อย่างรวดเร็วบนเครื่องกลึง เป็นคอมพิวเตอร์ควบคุมส่วนผสมของก๊าซจะผ่านระหว่าง
เป้าหมายไม้เรียวและแหล่งความร้อนดังแสดงในรูปที่ 2 . ในแต่ละรอบของ
แหล่งความร้อน จำนวนเล็ก ๆของก๊าซที่ทำปฏิกิริยาและฟิวส์ไปยังพื้นผิวด้านนอกของ
คันเบ็ด หลังจากที่ชั้นมากพอจะสร้างขึ้น ไม้เท้า เป้าหมายจะถูกลบออกและที่เหลือเป็นยุบเป็น preform
เขม่าเหล็กแข็ง ที่แสดงเป็นงั้นไปที่หอ

และดึงในเส้นใย ไอแกนปลด ( VAD )
กระบวนการวาดใช้สั้นมากแก้วเป้าหมายคันระงับโดยปลายด้านหนึ่ง
เป็นที่ควบคุมส่วนผสมของก๊าซที่ใช้ระหว่างปลายไม้เท้าและ
แหล่งความร้อน ดังแสดงในรูปที่ 2-7 . แหล่งความร้อนที่ค่อยๆ ถอยออกมาเป็น
preform ยาวเนื่องจากกระเบื้องเขม่าสะสมที่เกิดจากก๊าซปฏิกิริยาความร้อน
และมิวถึงปลายคันเบ็ด หลังจากที่มีความยาวจะเกิดขึ้น เป้าหมายคัน
ออกจากจบทิ้งเขม่าแสดงที่แสดงเป็นงั้นไป
รูปวาดหอคอยจะอุ่นและดึงเข้าไปตามความยาวเส้นใย .