We investigate the effect of parame

We investigate the effect of parameters including size of
puddles, local charge density deviation, and device sizes. The in homogeneity of epitaxial graphene
generated by steps and terraces of SiC substrates is also discussed. The simulation results quantify
possible statistical errors in Hall mobility measurements, Dirac point estimation and non-uniformity of
scaled devices over wafers.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราตรวจสอบผลของขนาดของพารามิเตอร์ปลิง ความแตกต่างของความหนาแน่นค่าธรรมเนียมท้องถิ่น และขนาดอุปกรณ์ Homogeneity ในของ epitaxial grapheneสร้างขึ้นตามขั้นตอนและเทอเรสของ SiC พื้นผิวยังกล่าวถึงการ กำหนดปริมาณของผลการทดลองเป็นไปได้ทางสถิติข้อผิดพลาดในฮอลล์เห็นวัด ดิแรกชี้ประเมินและไม่ใช่รื่นรมย์ปรับอุปกรณ์มากกว่ารับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราจะตรวจสอบผลของพารามิเตอร์รวมทั้งขนาดของแอ่งน้ำส่วนเบี่ยงเบนความหนาแน่นของค่าใช้จ่ายในท้องถิ่นและขนาดอุปกรณ์ ในความเป็นเนื้อเดียวกันของ graphene epitaxial
สร้างโดยขั้นตอนและระเบียงของพื้นผิว SiC ยังมีการกล่าวถึง ผลการจำลองปริมาณข้อผิดพลาดทางสถิติที่เป็นไปได้ในการวัดการเคลื่อนไหวของฮอลล์ประมาณจุด Dirac และไม่สม่ำเสมอของอุปกรณ์ปรับมากกว่าเวเฟอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราได้ศึกษาผลของพารามิเตอร์ ได้แก่ ขนาดของ
puddles ท้องถิ่น ปัตเบี่ยงเบน และขนาดของอุปกรณ์ ในค่า
epitaxial กราฟีนที่สร้างขึ้นโดยขั้นตอนและระเบียงของ SIC ) ยังกล่าวถึง ผลการจำลองแบบจะหาข้อผิดพลาดที่เป็นไปได้ในการวัดสถิติ
( Hall , Dirac และจุดการประกอบ
ปรับอุปกรณ์เวเฟอร์