K2Ti6O13 and its nickel doped (x =

K2Ti6O13 and its nickel doped (x = 0.05, 0.10, 0.15 mol%) ceramic specimens were synthesized using solid-state route. Lattice constants evaluated from room temperature XRD spectra revealed the phase formation in a monoclinic symmetry. Lattice constant have been found to increase with the increase in nickel concentration. The data revealed that the dielectric constant exhibit the normal dielectric behaviour and decrease with the increase in frequency and dopant concentration. Due to variation of doping concentration dielectric loss was primarily found to increase due to space charges but further it decreases due to inhibition of domain-wall motion. The ac conductivity shows the frequency and composition dependent behaviour. It increases with the increase in frequency and dopant concentration.

ACKNOWLEDGMENT

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

K2Ti6O13 และนิกเกิลของ doped (x = 0.05, 0.10, 0.15 โมล%) ไว้เป็นตัวอย่างเซรามิกถูกสังเคราะห์โดยใช้กระบวนการผลิตโซลิดสเตต โครงตาข่ายประกอบคงประเมินจากอุณหภูมิห้อง XRD แรมสเป็คตราเปิดเผยขั้นตอนการก่อตัวในสมมาตร monoclinic พบโครงตาข่ายประกอบคงเพิ่มขึ้นกับการเพิ่มขึ้นของความเข้มข้นของนิกเกิล ข้อมูลที่เปิดเผยว่า คง dielectric แสดงพฤติกรรมการเป็นฉนวนที่ปกติ และลด ด้วยเพิ่มความเข้มข้นความถี่และ dopant เนื่องจากการเปลี่ยนแปลงของความเข้มข้นโดปปิงค์ เป็นฉนวนสูญเสียหลักพบเพิ่มขึ้นเนื่องจากค่าธรรมเนียมพื้นที่ แต่ต่อไป จะลดลงเนื่องจากยับยั้งการเคลื่อนไหวของผนังโดเมน นำ ac แสดงพฤติกรรมขึ้นอยู่กับความถี่และส่วนประกอบ มันเพิ่มขึ้นพร้อมเพิ่มความถี่และ dopant สมาธิ

ยอมรับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

K2Ti6O13 และเจือของนิกเกิล (x = 0.05, 0.10, 0.15 โมเลกุล%) ตัวอย่างเซรามิกถูกสังเคราะห์โดยใช้เส้นทางของรัฐที่มั่นคง คงตาข่ายประเมินจาก XRD อุณหภูมิห้องสเปกตรัมเปิดเผยขั้นตอนการสร้างในสมมาตร monoclinic คงที่ตาข่ายได้พบว่าเพิ่มขึ้นกับการเพิ่มขึ้นของความเข้มข้นของนิกเกิล ข้อมูลแสดงให้เห็นว่าการแสดงคงที่อิเล็กทริกอิเล็กทริกพฤติกรรมปกติและลดลงตามการเพิ่มขึ้นของความถี่และความเข้มข้นของสารเจือปน เนื่องจากรูปแบบของการสูญเสียความเข้มข้นของยาสลบอิเล็กทริกที่พบส่วนใหญ่จะเพิ่มขึ้นเนื่องจากค่าใช้จ่ายในพื้นที่ต่อไป แต่มันลดลงอันเนื่องมาจากการยับยั้งการเคลื่อนไหวของผนังโดเมน การนำแดแสดงความถี่และองค์ประกอบพฤติกรรมขึ้น มันเพิ่มขึ้นกับการเพิ่มขึ้นของความถี่และความเข้มข้นเจือปนทราบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

k2ti6o13 และนิกเกิลด้วย ( ( - , X ) = 0.05 , 0.10 , 0.15 mol % ) ชิ้นงานเซรามิคสังเคราะห์ โดยใช้เส้นทางของ . ค่าคงที่โครงการประเมินจากอุณหภูมิห้อง XRD พบระยะการเกิดสเปกตรัมในสมมาตรโมโนคลินิก . คงที่แลทได้รับพบว่าเพิ่มด้วยการเพิ่มปริมาณนิเกิล .ข้อมูลที่แสดงการเปลี่ยนแปลงพฤติกรรมและค่าคงที่ไดอิเล็กปกติลดลง ด้วยการเพิ่มความถี่ และโคบอลต์เข้มข้น เนื่องจากการเปลี่ยนแปลงของยาสลบความเข้มข้นการขาดทุนเป็นหลัก พบเพิ่มขึ้นเนื่องจากค่าใช้จ่ายพื้นที่ แต่ต่อไปมันจะลดลงเนื่องจากการยับยั้งผนังโดเมนการเคลื่อนไหวค่าการนำไฟฟ้า AC แสดงความถี่และองค์ประกอบขึ้นอยู่กับพฤติกรรม เพิ่มด้วยการเพิ่มความถี่ และความเข้มข้นของโดพันท์

รับทราบ .