Etching ProfilesIn most cases, the

Etching Profiles

In most cases, the desired etch profile is square shaped. To obtain this perfect profile, etch and passivation have to be carefully balanced and if need reajusted as the aspect ratio of the structure increase. Excessive sidewall passivation leads to tapered profiles which are desired for shallow trench isolation etch. The lack of sidewall passivation and excessive spontaneous chemical etching leads to undercutting. Ion deflection in very narrow spaces can lead to bowing. At the interfaces of layers such as the interface between the gate oxide and the poly-Si layer, notching has to be avoided.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โพรไฟล์การแกะสลักในกรณีส่วนใหญ่ สี่เหลี่ยมมีรูปโพรไฟล์ etch ต้อง รับโปรไฟล์นี้โก กัด และ passivation ได้อย่างสมดุล และถ้าต้องการ reajusted เป็นอัตราส่วนกว้างยาวของโครงสร้างเพิ่มขึ้น กัดเป้าหมาย passivation แก้มมากเกินไปให้เรียวกับโพรไฟล์ที่ต้องการแยกร่องลึกตื้นขึ้น การขาดของแก้ม passivation และกัดเคมีอยู่มากเกินไปนำไปสู่ undercutting Deflection ไอออนในช่องว่างที่แคบมากอาจทำให้สี ในอินเทอร์เฟซของชั้นเช่นอินเทอร์เฟซระหว่างออกไซด์ประตูชั้นโพลีซี บากได้เพื่อหลีกเลี่ยง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดูรายละเอียดการแกะสลักในกรณีส่วนใหญ่ที่ต้องการรายละเอียดจำหลักเป็นรูปสี่เหลี่ยม เพื่อให้ได้รายละเอียดที่สมบูรณ์แบบนี้จำหลักและฟิล์มจะต้องมีความระมัดระวังที่สมดุลและหากจำเป็นต้อง reajusted เป็นอัตราส่วนการเพิ่มขึ้นของโครงสร้าง ฟิล์มแก้มยางที่มากเกินไปจะนำไปสู่รูปแบบเรียวซึ่งเป็นที่ต้องการสำหรับการแยกกัดร่องตื้น ขาดทู่แก้มและแกะสลักทางเคมีที่เกิดขึ้นเองมากเกินไปนำไปสู่การ undercutting โก่งไอออนในพื้นที่แคบมากสามารถนำไปสู่โค้ง ในการเชื่อมต่อของชั้นเช่นเชื่อมต่อระหว่างประตูออกไซด์และชั้นโพลีศรีธนูจะต้องมีการหลีกเลี่ยง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพโปรไฟล์

ในกรณีส่วนใหญ่ ที่ต้องการแกะสลักโปรไฟล์เป็นเหลี่ยม เพื่อให้ได้รายละเอียดที่สมบูรณ์แบบนี้กัด passivation และต้องสมดุลอย่างรอบคอบและถ้าต้องการ reajusted ตามอัตราส่วนของโครงสร้างที่เพิ่มขึ้น แก้มรุ้งมากเกินไปนำไปสู่รูปแบบเรียวซึ่งต้องการแยกร่องตื้นเห็นได้ชัดเจน .ขาดของรุ้งและธรรมชาติทางเคมีกัดแก้มมากเกินไปนำไปสู่ตัดราคา . รายละเอียดการในที่แคบมากเป็นสามารถนําไปคำนับ ที่อินเทอร์เฟซของชั้น เช่น อินเทอร์เฟซระหว่างประตู ออกไซด์ และ โพลี ซี ชั้นบากต้องหลีกเลี่ยง .