Fig. 4 represents TEM nanostructure

Fig. 4 represents TEM nanostructure images of AR-SiC (Fig. 4(a)
and (b)) and preform samples (Fig. 4(c–f)) after semi-solid stir casting.
Fig. 4(b), (d) and (f) are schematic illustrations corresponding
to the nanostructures seen in Fig. 4(a), (c) and (e), respectively. As
shown in Fig. 4(a), nano SiC particles in the AR-SiC sample have a
high tendency to agglomerate during stir casting in order to reduce
their free surface energy. As can be seen in Fig. 4(a), the vast majority
of SiC particles in the AR-SiC sample have a high propensity to
agglomerate at grain boundaries instead of within the grain interior,
and this is attributed to the effect of the particle pushing
mechanism during solidification, as shown by arrows in Fig. 4(b).
However, as can be seen in Fig. 4(c), in the case of preform samples,
the majority of well-dispersed SiC particles reside in the grain interior
rather than at the grain boundaries, and this is ascribed to the
effect of the particle engulfment mechanism during solidification,
as demonstrated by arrows in Fig. 4(d).
In fact, the better distribution of SiC particles

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูป 4 แสดงภาพ nanostructure TEM ของ SiC (มะเดื่อ 4(a) ARและ (b)) และ preform ตัวอย่าง (รูป 4(c–f)) หลังจากหล่อกึ่งของแข็งผัดมะเดื่อ 4(b), (d) (f) และมีภาพประกอบแผนผังที่สอดคล้องการ nanostructures ที่เห็นในรูป 4(a), (ค) และ (e), ตามลำดับ เป็นแสดงในรูป 4(a) อนุภาคนาโน SiC ในตัวอย่างของ AR SiC มีการแนวโน้มสูง agglomerate ระหว่างกวนหล่อเพื่อลดพลังงานผิวของพวกเขาฟรี สามารถเห็นได้ในรูป 4(a) ส่วนใหญ่ของ SiC อนุภาคในตัวอย่างของ AR SiC มีนิสัยชอบความสูงเพื่อจับเป็นก้อนที่แปแทนภายในภายในเมล็ดข้าวและเกิดจากผลกระทบของอนุภาคที่ผลักดันกลไกในระหว่างการแข็งตัว ซึ่งแสดง โดยลูกศรในรูป 4(b)อย่างไรก็ตาม เป็นสามารถมองเห็นในรูป 4(c) ในกรณีของตัวอย่าง preformส่วนใหญ่ของ SiC ดีกระจายอนุภาคอยู่ในภายในเมล็ดข้าวแทนที่ข้าว ขอบเขต และนี้เป็นกำหนดให้การผลของกลไก engulfment อนุภาคในระหว่างการแข็งตัวโดยลูกศรในรูป 4(d)ในความเป็นจริง การกระจายที่ดีกว่าของ SiC อนุภาค

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. 4 แสดงให้เห็นถึงภาพ TEM โครงสร้างระดับนาโนของ AR-SiC (รูปที่. 4 (ก)
และ (ข)) และตัวอย่าง Preform (รูปที่. 4 (C-F)) หลังจากที่หล่อผัดกึ่งของแข็ง
มะเดื่อ. 4 (ข) (ง) และ (ฉ) มีภาพประกอบวงจรที่สอดคล้องกัน
เพื่อโครงสร้างนาโนที่เห็นในรูป 4 (ก) (ค) และ (จ) ตามลำดับ ในฐานะที่
แสดงในรูป 4 (ก), อนุภาคนาโน SiC ในตัวอย่าง AR-SiC มี
แนวโน้มสูงที่จะจับเป็นก้อนในช่วงปั่นป่วนหล่อเพื่อลด
การใช้พลังงานพื้นผิวของฟรี ที่สามารถเห็นได้ในรูป 4 (ก) ส่วนใหญ่
ของอนุภาค SiC ในตัวอย่าง AR-SiC มีแนวโน้มสูงที่จะ
จับเป็นก้อนที่ข้าวเขตแดนแทนภายในตกแต่งภายในเมล็ดข้าว
และนี่คือที่มาประกอบกับผลกระทบของอนุภาคผลักดัน
กลไกในระหว่างการแข็งตัวที่แสดง โดยลูกศรในรูป 4 (ข)
อย่างไรก็ตามในขณะที่สามารถมองเห็นได้ในรูป 4 (ค) ในกรณีของตัวอย่าง Preform ที่
ส่วนใหญ่ของดีแยกย้ายกันอนุภาค SiC อาศัยอยู่ในการตกแต่งภายในเมล็ดข้าว
มากกว่าข้าวเขตแดนและนี้คือกำหนดให้กับ
ผลกระทบของกลไกอนุภาค engulfment ในระหว่างการแข็งตัว
เป็นแสดงให้เห็นโดย ลูกศรในรูป 4 (D)
ในความเป็นจริงการกระจายที่ดีขึ้นของอนุภาค SiC

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 4 แสดงภาพโครงสร้างนาโนแบบ AR ( รูปที่ 4 ( SIC )และ ( B ) และตัวอย่างที่แสดง ( รูปที่ 4 ( c ) F ) หลังจากกวนหล่อกึ่งของแข็ง .รูปที่ 4 ( B ) , ( d ) และ ( F ) มีภาพประกอบแผนผังที่สอดคล้องกันที่เห็นในรูปนาโน 4 ( ) ( ค ) และ ( จ ) ตามลำดับ เป็นแสดงในรูปที่ 4 ( ) , อนุภาคนาโนซิลิกอนใน AR SIC ตัวอย่างมีมีแนวโน้มสูงที่จะจับเป็นก้อน ระหว่างผัดหล่อเพื่อลดพลังงานพื้นผิวฟรีของพวกเขา ที่สามารถเห็นได้ในรูปที่ 4 ( ) , ส่วนใหญ่ของ SIC อนุภาคใน AR SIC ตัวอย่างมีความโน้มเอียงสูงตะวันอ้อมข้าวที่รอยเม็ดแทน ภายในลายไม้ภายในและนี่คือ ประกอบกับผลกระทบของอนุภาคผลักดันกลไกในการแข็งตัว ดังที่แสดงโดยลูกศรในรูป 4 ( b )อย่างไรก็ตาม , ที่สามารถเห็นได้ในรูปที่ 4 ( C ) ในกรณีของตัวอย่าง preform ,ส่วนใหญ่ของ SIC อนุภาคกระจายตัวดี อาศัยอยู่ใน เมล็ดภายในมากกว่า รอยเม็ด และนี้คือ ascribed ไปผลของอนุภาค engulfment กลไกในการแข็งตัวดังที่แสดงโดยลูกศรในรูปที่ 4 ( D )ในความเป็นจริง ดีกว่าการกระจายของ SIC อนุภาค