ZnO is a promising material for man

ZnO is a promising material for many different applica-
tions such as solar cells, gas sensors, ultrasonic oscillators
and transducers [ l-51. Its direct optical bandgap (3.3 eV)
is wide enough to transmit most of the useful solar radiation
in ZnO/CdS/CuInSe,-type solar cells. Moreover, ZnO is a
good candidate to substitute indium tin oxide (ITO) and tin
oxide ( SnOz) in conductive electrodes of amorphous silicon
solar cells due to the high stability of ZnO films in a hydrogen
plasma. In the present work ZnO thin films are prepared by
the spray pyrolysis method which is well known for its sim-
plicity, reproducibility and possibility to produce cheap large-
area films.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ZnO เป็นวัสดุสัญญาสำหรับหลายอื่น applica
tions เซลล์แสงอาทิตย์ แก๊สเซ็นเซอร์ อัลตราโซนิค oscillators
และหัววัด [l-51 ของ bandgap แสงโดยตรง (3.3 eV)
จะกว้างพอที่จะส่งผ่านของรังสีแสงอาทิตย์มีประโยชน์
ใน ZnO/ซี ดี/CuInSe, -พิมพ์เซลล์แสงอาทิตย์ นอกจากนี้ ZnO เป็นการ
สมัครรับดีแทนอินเดียมทินออกไซด์ (ITO) และกระป๋อง
ออกไซด์ (SnOz) หุงตไฟฟ้าซิลิคอนไป
เซลล์แสงอาทิตย์เนื่องจากความมั่นคงสูงของฟิล์ม ZnO ในไฮโดรเจนเป็น
พลาสมา ในปัจจุบันงาน ZnO ที่ฟิล์มบางที่เตรียมโดย
วิธีไพโรไลซิสเปรย์ซึ่งเป็นที่รู้จักกันดีสำหรับซิมการ์ดของ -
plicity, reproducibility และความเป็นไปได้ในการผลิตราคาขนาดใหญ่ -
ฟิล์มตั้ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิงค์ออกไซด์เป็นวัสดุที่มีแนวโน้มสำหรับการประยุกต์ใช้ที่แตกต่างกันหลาย
ข้อเช่นเซลล์แสงอาทิตย์, เซ็นเซอร์ก๊าซ Oscillators ล้ำ
และก้อน [L-51 bandgap แสงโดยตรง (3.3 eV)
กว้างพอที่จะส่งมากที่สุดของรังสีแสงอาทิตย์ที่มีประโยชน์
ในการซิงค์ออกไซด์ / ซีดี / CuInSe, ชนิดเซลล์แสงอาทิตย์ นอกจากนี้ซิงค์ออกไซด์เป็น
ผู้สมัครที่ดีเพื่อทดแทนอินเดียมดีบุกออกไซด์ (ITO) และดีบุก
ออกไซด์ (SnOz) ในขั้วไฟฟ้าของซิลิกอนอสัณฐาน
เซลล์แสงอาทิตย์เนื่องจากความมั่นคงสูงของฟิล์มซิงค์ออกไซด์ไฮโดรเจน
พลาสม่า ในการทำงานในปัจจุบันฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ที่เตรียมโดย
วิธีการไพโรไลซิสเปรย์ซึ่งเป็นที่รู้จักกันดีสำหรับซิของ
plicity ซ้ำและความเป็นไปได้ในการผลิตราคาถูกขนาดใหญ่
ภาพยนตร์พื้นที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิงค์ออกไซด์เป็นแนวโน้มวัสดุหลายที่แตกต่างกันสิ่งที่เห็นทั้งหมด -
ยินดีด้วยเช่นเซลล์แสงอาทิตย์ ก๊าซเซ็นเซอร์
oscillators ultrasonic และ transducers [ l-51 . bandgap แสงนั้นโดยตรง ( 3.3 EV )
กว้างพอที่จะส่งที่สุดของประโยชน์
รังสีใน ZnO / ซีดี / CuInSe , - เซลล์แสงอาทิตย์ชนิด และซิงค์ออกไซด์เป็น
ผู้สมัครที่ดีเพื่อทดแทนอินเดียมทินออกไซด์ ( ITO ) และดีบุก
ออกไซด์ ( snoz ) นำขั้วไฟฟ้าจากเซลล์แสงอาทิตย์ Amorphous Silicon
เนื่องจากเสถียรภาพสูงของซิงค์ออกไซด์ฟิล์มในไฮโดรเจน
พลาสมา ในปัจจุบันงานฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ที่เตรียมโดยวิธีสเปรย์ไพโรไลซิส
ซึ่งเป็นที่รู้จักกันดีของซิม -
plicity ยา , และความเป็นไปได้ที่จะผลิตราคาถูกขนาดใหญ่ -
พื้นที่ภาพยนตร์