Gallium NitrideGaN is a semiconduct

Gallium Nitride
GaN is a semiconductor of the III-V class, with Wurtzite crystal structure. It can be grown on a substrate of sapphire (Al2O3) or SiC, despite the difference in lattice constants. GaN can be doped, e.g. with silicon to n-type and with magnesium to p-type. Unfortunately, doping interferes with the growth process so that the GaN becomes fragile. In general, defects in GaN crystals lead to good electron conductivity, i.e. the material is naturally of n-type. GaN has a direct bandgap of 3.4 eV, corresponding to a wavelength in the ultraviolet.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แกลเลียม Nitrideย่านเป็นสารกึ่งตัวนำชั้น III V มีโครงสร้างผลึก Wurtzite มันสามารถเติบโตบนพื้นผิวของแซฟไฟร์ (Al2O3) หรือ SiC แม้มีความแตกต่างของค่าคงที่โครงตาข่ายประกอบ สามารถจะ doped กันได้ เช่นซิลิคอนชนิด n และแมกนีเซียมชนิด p อับ โดปปิงค์รบกวนกระบวนการเจริญเติบโตที่ย่านจะเปราะบาง ทั่วไป ข้อบกพร่องในผลึกกันทำนำอิเล็กตรอนดี เช่นวัสดุธรรมชาติชนิด n ย่านมี bandgap ตรงของ 3.4 eV ที่สอดคล้องกับความยาวคลื่นในการรังสีอัลตราไวโอเลต

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แกลเลียมไนไตรด์
กันเป็นเซมิคอนดักเตอร์ของชนชั้น III-V ที่มีโครงสร้างผลึก Wurtzite มันสามารถเจริญเติบโตบนพื้นผิวของไพลิน (Al2O3) หรือ SiC แม้จะมีความแตกต่างในค่าคงที่ตาข่าย กานสามารถเจือเช่นกับซิลิกอนที่จะชนิดเอ็นและแมกนีเซียมชนิดพี แต่น่าเสียดายที่ยาสลบรบกวนกับกระบวนการการเจริญเติบโตเพื่อให้กานกลายเป็นเปราะบาง โดยทั่วไปข้อบกพร่องในผลึกกานนำไปสู่การนำอิเล็กตรอนที่ดีคือวัสดุที่เป็นธรรมชาติของชนิดเอ็น กานมี bandgap โดยตรงจาก 3.4 eV สอดคล้องกับความยาวคลื่นในรังสีอัลตราไวโอเลต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แกลเลียมไนไตรด์
กานเป็นสารกึ่งตัวนำของ iii-v คลาสที่มีโครงสร้างผลึก . มันสามารถเจริญเติบโตบนพื้นผิวของพลอย ( Al2O3 ) หรือ SIC แม้จะมีความแตกต่างในทางตุงตาข่าย กันได้ด้วย เช่น กับซิลิคอนเพื่อทั่วไปและแมกนีเซียมกับพี . ขออภัย ยาสลบรบกวนกระบวนการการเจริญเติบโตเพื่อให้กันกลายเป็นเปราะบาง โดยทั่วไปข้อบกพร่องในกานผลึกนำไปสู่การนำอิเล็กตรอนดี เช่น เป็นวัสดุธรรมชาติของทั่วไป . โดยมี bandgap ตรง 3.4 eV ที่ความยาวคลื่นในช่วงอัลตราไวโอเลต