In the early 1960s, when ICs were f

In the early 1960s, when ICs were first being developed, the largest single crystal of silicon that could be grown was about 1 inch in diameter. The technology has come a long way. Now, highly perfect single crystals of silicon can be grown 12 inches in diameter and 40 inches long The second step in IC fabrication is to slice the single-crystal rod into wafers about 25 thousandths of an inch thick and to grind and polish these wafers to an incredible degree of flatness and smoothness(note the mirror finish of the wafer in Figure 6-4). This shaping is necessary because the devices that will be formed later at and on the surface of the wafer are only 20 millionths of an inch(500 nanometers) across. Even the tiniest scratch or pore will disrupt the formation of these devices. All the precision slicing, grinding, and polishing are done with ceramics.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในช่วงปี 1960 ก่อน เมื่อ ICs ได้ก่อนได้รับการพัฒนา ผลึกเดี่ยวที่ใหญ่ที่สุดของซิลิคอนที่สามารถปลูกได้ในเส้นผ่าศูนย์กลางประมาณ 1 นิ้ว เทคโนโลยีมีมาให้ สูงสมบูรณ์แบบผลึกเดี่ยวของซิลิคอนสามารถจะเติบโต 12 นิ้วเส้นผ่านศูนย์กลาง และขั้นตอนสองในการผลิต IC จะหั่นแกนผลึกเดี่ยวไปรับประมาณ 25 ยาว 40 นิ้ว thousandths นิ้วหนา และการบด และโปแลนด์รับเหล่านี้ยังมีเหลือเชื่อเรียบและราบรื่น (หมายเหตุกระจกเสร็จของแผ่นเวเฟอร์ในรูป 6-4) ได้ สร้างรูปร่างนี้เป็นสิ่งจำเป็นเนื่องจากอุปกรณ์ที่จะสร้างขึ้นในภายหลังใน และ บนพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์ 20 เพียง millionths นิ้ว (500 nanometers) ข้าม แม้แต่รอยขีดข่วนน้อยที่สุดหรือรูขุมขนจะรบกวนการก่อตัวของอุปกรณ์เหล่านี้ ทั้งหมดแม่นยำแบ่ง บด และขัดอยู่แล้วกับเครื่องเคลือบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในช่วงต้นทศวรรษที่ 1960 เมื่อวงจรรวมที่ได้รับครั้งแรกที่ได้รับการพัฒนาผลึกเดี่ยวที่ใหญ่ที่สุดของซิลิกอนที่สามารถเติบโตขึ้นเป็นประมาณ 1 นิ้วในเส้นผ่าศูนย์กลาง เทคโนโลยีที่มีวิธีมานาน ตอนนี้ที่สมบูรณ์แบบผลึกเดี่ยวสูงของซิลิกอนสามารถปลูกได้ 12 นิ้วและมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 40 นิ้วยาวขั้นตอนที่สองในการผลิต IC คือการหั่นแท่งผลึกเดี่ยวเป็นเวเฟอร์เกี่ยวกับ 25/1000 ของนิ้วหนาและการบดและขัดเวเฟอร์เหล่านี้ไป ระดับที่น่าทึ่งของความเรียบและเรียบ (โปรดสังเกตเงาของเวเฟอร์ในรูปที่ 6-4) การสร้างนี้เป็นสิ่งจำเป็นเพราะอุปกรณ์ที่จะเกิดขึ้นต่อมาและบนพื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์เป็นเพียง 20/1000000 ของนิ้ว (500 นาโนเมตร) ข้าม แม้แต่รอยขีดข่วนน้อยที่สุดหรือรูขุมขนจะรบกวนการก่อตัวของอุปกรณ์เหล่านี้ ทั้งหมดหั่นแม่นยำบดและขัดที่ทำด้วยเซรามิก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในช่วงต้นทศวรรษที่ 1960 เมื่อ ICS ก่อนถูกพัฒนาที่ใหญ่ที่สุดเดียวผลึกซิลิคอนที่สามารถเจริญเติบโตได้ในเส้นผ่าศูนย์กลางประมาณ 1 นิ้ว เทคโนโลยีมาอยู่ได้นาน ตอนนี้ขอแบบผลึกเดี่ยวซิลิคอนสามารถปลูกได้ 12 นิ้วในเส้นผ่าศูนย์กลาง 40 นิ้วยาวขั้นตอนที่สองใน IC fabrication คือชิ้นไม้ single-crystal เป็นเวเฟอร์ 25 / 1000 ของนิ้วหนาและบดและขัดทาเหล่านี้ไปยังระดับที่น่าทึ่งของความเรียบและเรียบเนียน ( หมายเหตุเสร็จสิ้นกระจกของเวเฟอร์ในรูปน้า )นี้รูปร่างเป็นสิ่งจำเป็นเนื่องจากอุปกรณ์ที่จะเกิดขึ้นภายหลังที่ และบนพื้นผิวของแผ่นเพียง 20 millionths ของนิ้ว ( 500 นาโนเมตร ) ผ่าน แม้เพียงเล็กน้อยจากรอยขีดข่วนหรือขัดขวางการพัฒนาของอุปกรณ์เหล่านี้ ทั้งหมดที่ต้องการหั่น , บดและขัดเสร็จแล้ว ด้วยเครื่องเคลือบ