Sensor response enhancement of etha

Sensor response enhancement of ethanol sensors based on ZnO nanostructures decorated with gold nanoparticles (ZnO:AuNPs under dark condition), UV illumination (ZnO under UV illumination) and gold nanoparticles in combination with UV illumination (ZnO:AuNPs under UV illumination) was intensively investigated in the temperatures in the range of 25-150ºC. It was found that the sensor response of ZnO:AuNPs sensors under dark condition and ZnO sensors under UV illumination can be improved. Moreover, they can broadly respond to ethanol vapor at an operating temperature of 25-150ºC. The sensor based on ZnO:AuNPs under UV illumination exhibited the optimum sensor response to ethanol vapor at anoperating temperature of 25-150ºC. The sensor response enhancement mechanism can be divided in two main parts including sensor response enhancement due to addition of AuNPs and UV illumination. AuNPs added onto ZnO nanostructure really affect the chemical reaction change in the oxygen adsorption reaction resulting in a larger depletion layer width. Therefore, from the sensor response formula, it can enhance the sensor response to higher than that of ZnO nanostructure sensors. Finally, the sensor response enhancement due to UV illumination is explained by electron carriers being excited from band to band forming weakly bound oxygen ions. This produces a thinner depletion layer due to photo activation and they easily are removed from the ZnO surface resulting in high sensor response with lower resistance

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพิ่มประสิทธิภาพในการตอบสนองเซนเซอร์เซนเซอร์เอทานอลตาม ZnO nanostructures ตกแต่ง ด้วยทองเก็บกัก (ZnO:AuNPs ภายใต้เงื่อนไขเข้ม), แสง UV (ZnO ภายใต้แสง UV) และทองเก็บกักรวมกับแสง UV (ZnO:AuNPs ภายใต้แสง UV) ถูกตรวจสอบเข้มอุณหภูมิในช่วง 25-150ºC พบว่า สามารถปรับปรุงการตอบสนองของเซนเซอร์ ZnO:AuNPs เซ็นเซอร์ภายใต้เงื่อนไขที่เข้มและ ZnO เซ็นเซอร์ภายใต้แสง UV นอกจากนี้ พวกเขาอย่างกว้างขวางสามารถตอบสนองเอไอที่มีอุณหภูมิของ 25-150ºC เซนเซอร์ที่อิง ZnO:AuNPs ภายใต้แสง UV แสดงการตอบสนองของเซนเซอร์ที่ดีที่สุดไปไอเอทานอลที่อุณหภูมิ 25-150ºC anoperating สามารถแบ่งกลไกการเพิ่มประสิทธิภาพการตอบสนองเซ็นเซอร์ในสองส่วนหลักรวมถึงเซ็นเซอร์ตอบสนองประสิทธิภาพเนื่องจากเพิ่มการส่องสว่าง AuNPs และ UV AuNPs เพิ่มลงใน ZnO nanostructure จริง ๆ มีผลต่อการเปลี่ยนแปลงปฏิกิริยาทางเคมีปฏิกิริยาการดูดซับออกซิเจนส่งผลให้มีความกว้างใหญ่ของชั้นจนหมด ดังนั้น จากสูตรการตอบสนองของเซนเซอร์ ก็สามารถเพิ่มการตอบสนองของเซนเซอร์จะสูงกว่าของ ZnO nanostructure เซนเซอร์ ในที่สุด การเพิ่มประสิทธิภาพการตอบสนองเซ็นเซอร์เนื่องจากแสง UV อธิบาย โดยสายการบินอิเล็กตรอนกำลังตื่นเต้นจากวงการวงรูปไอออนออกซิเจน weakly ผูก นี้ผลิตเชิงชั้นบางกว่าเนื่องจากใช้งานภาพ และพวกเขาได้ถูกลบออกจาก ZnO พื้นผิวผลตอบสนองของเซนเซอร์สูง มีความต้านทานต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเพิ่มประสิทธิภาพการตอบสนองเซ็นเซอร์ของเซ็นเซอร์เอทานอลอยู่บนพื้นฐานของโครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์ตกแต่งด้วยอนุภาคนาโนทองคำ (ZnO: AuNPs ภายใต้เงื่อนไขเข้ม) ส่องสว่าง UV (ZnO ภายใต้การส่อง UV) และอนุภาคนาโนทองคำร่วมกับไฟส่องสว่าง UV (ZnO: AuNPs ภายใต้การส่อง UV) ถูกตรวจสอบอย่างเข้มงวด ในอุณหภูมิในช่วงของ25-150ºCที่ นอกจากนี้ยังพบว่าการตอบสนองเซ็นเซอร์ของ ZnO: เซ็นเซอร์ AuNPs ภายใต้เงื่อนไขที่มืดและเซ็นเซอร์ ZnO ภายใต้การส่องรังสียูวีได้ดีขึ้น นอกจากนี้พวกเขาในวงกว้างสามารถตอบสนองต่อไอเอทานอลที่อุณหภูมิการดำเนินงานของ25-150ºC เซ็นเซอร์อยู่บนพื้นฐานของ ZnO: AuNPs ภายใต้การส่อง UV แสดงการตอบสนองที่ดีที่สุดเพื่อเซ็นเซอร์ไอเอทานอลที่ anoperating อุณหภูมิ25-150ºC กลไกการเพิ่มประสิทธิภาพการตอบสนองเซ็นเซอร์สามารถแบ่งออกเป็นสองส่วนหลัก ได้แก่ การเพิ่มประสิทธิภาพการตอบสนองเซ็นเซอร์เนื่องจากการเพิ่มขึ้นของ AuNPs และไฟส่องสว่างรังสียูวี AuNPs เพิ่มไปยังโครงสร้างระดับนาโนซิงค์ออกไซด์จริงๆส่งผลกระทบต่อการเปลี่ยนแปลงที่เกิดปฏิกิริยาทางเคมีในการทำปฏิกิริยาการดูดซับออกซิเจนที่เกิดขึ้นในชั้นความกว้างของการสูญเสียขนาดใหญ่ ดังนั้นจากสูตรการตอบสนองเซ็นเซอร์ก็สามารถเพิ่มการตอบสนองเซ็นเซอร์จะสูงกว่าของเซ็นเซอร์โครงสร้างระดับนาโนซิงค์ออกไซด์ ในที่สุดการเพิ่มประสิทธิภาพการตอบสนองเซ็นเซอร์เนื่องจากการส่องสว่างรังสียูวีจะมีการอธิบายโดยผู้ให้บริการอิเล็กตรอนถูกตื่นเต้นจากวงดนตรีกับวงดนตรีรูปผูกพันอ่อนออกซิเจนไอออน นี้ผลิตชั้นพร่องทินเนอร์เนื่องจากการเปิดใช้งานภาพและพวกเขาได้อย่างง่ายดายจะถูกลบออกจากพื้นผิวซิงค์ออกไซด์ที่เกิดขึ้นในการตอบสนองเซ็นเซอร์สูงที่มีความต้านทานต่ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเพิ่มประสิทธิภาพของเซ็นเซอร์เซนเซอร์เอทานอลจากซิงค์ออกไซด์นาโน ( นาโนซิงค์ออกไซด์ ประดับทอง : aunps ภายใต้สภาพความมืด ) , แสงยูวี ( ZnO ภายใต้แสง UV ) และอนุภาคนาโนของทองในการรวมกันกับแสง UV ( P : aunps ภายใต้แสง UV ) และตรวจสอบอุณหภูมิในช่วง 25-150 º C พบว่า เซ็นเซอร์วัดการตอบสนองของซิงค์ออกไซด์ : aunps เซ็นเซอร์และเซ็นเซอร์ไฟฟ้าภายใต้สภาพความมืดภายใต้แสง UV ได้ดีขึ้น นอกจากนี้ พวกเขาสามารถกว้างตอบไอเอทานอลที่อุณหภูมิ 25-150 º C เซ็นเซอร์ที่ใช้ใน aunps ภายใต้แสงยูวีไฟฟ้า : มีการเซนเซอร์ที่ anoperating ไอเอทานอลที่อุณหภูมิ 25-150 º C เซ็นเซอร์การเสริมกลไกที่สามารถแบ่งออกเป็นสองส่วนหลัก ได้แก่ การเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์เนื่องจากเพิ่ม aunps และ แสงยูวี aunps เพิ่มลงบนโครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์มีผลต่อปฏิกิริยาทางเคมีการเปลี่ยนแปลงในการดูดซับออกซิเจนในปฏิกิริยาที่เกิดขึ้นบนชั้น ความกว้าง ดังนั้น จากเซ็นเซอร์ตอบสนองสูตร ก็สามารถเพิ่มเซ็นเซอร์การตอบสนองสูงกว่าของซิงค์ออกไซด์โครงสร้างนาโนเซ็นเซอร์ ในที่สุด การเพิ่มเซ็นเซอร์เนื่องจากแสง UV ได้สิ่งกระตุ้นตื่นเต้นจากวงดนตรีที่สร้างอย่างอ่อนผูกออกซิเจนไอออนวง ผลิตทินเนอร์การทำลายชั้นบรรยากาศ เนื่องจากภาพการเปิดใช้งานและพวกเขาจะถูกลบออกจากพื้นผิวได้อย่างง่ายดายซิงค์ออกไซด์ที่เกิดในการตอบสนองสูง มีความต้านทานต่ำ เซ็นเซอร์