Fig. 2(a) shows the effect of growt

Fig. 2(a) shows the effect of growth temperature on the GPC and nr of SnO2 thin films. With increasing growth temperatures from 150 and 350 °C, the GPC slightly increased from 0.05 to 0.072 nm/cycle, while the nr showed an almost constant value of 1.95. From a careful study on the growth kinetics of PEALD-SnO2 at 350 °C and the fact that the thermal decomposition temperature of SnCl4 is higher than 500 °C [2], the possibility of thermal decomposition of SnCl4 can be excluded from the origin of the increase in GPC. Therefore, it is plausible that the lower GPC at low growth temperatures is due to an incomplete reaction between chemisorbed SnCl4 and plasma at given temperatures, which is a similar effect of the low plasma power, as seen in Fig. 1(c). As shown in the inset images of Fig. 2(a), RBS spectrum indicated that Cl impurities was not exist in the films deposited at 150 and 350 °C. It is thought that PEALD-SnO2 thin films using SnCl4and O2 plasma can be deposited as impurity-free films through the clear ligand elimination reaction by oxygen radicals. Based on the simulation analysis of RBS, PEALD-SnO2 thin films using SnCl4 and O2 plasma exhibited an oxygen-rich stoichiometry, while the O/Sn atomic ratio of the films decreased from 2.23 to 2.04 when the deposition increased from 150 to 350 °C. A similar behavior (depending on the growth temperature) was in good agreement with previous studies by Choi et al. [8] and Heo et al. [2]. It was suggested that oxygen-rich SnO2 thin films resulted from unstable oxygen species such as hydroxyl groups, interstitial oxygen, or oxygen at grain boundaries at low growth temperatures. Furthermore, the oxidation of the substrate surface by exposure to the energetic O2 plasma at the initial growth stage could contribute to the oxygen abundance found in the RBS analysis. From the areal density of the film obtained by RBS, the volume density of the PEALD-SnO2 thin film was calculated as 5.95 g/cm3 and 6.72 g/cm3 at 150 and 350 °C, respectively, which was in accordance with the bulk density (6.95 g/cm3).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 2(a) แสดงผลของการเจริญเติบโตอุณหภูมิ GPC และ nr ของฟิล์มบางของ SnO2 ด้วยการเพิ่มอุณหภูมิในการเจริญเติบโตจาก 150 และ 350 ° C, GPC เล็กน้อยเพิ่มขึ้นจาก 0.05 0.072 nm/รอบ ในขณะที่ nr แสดงให้เห็นว่าค่าเงิน 1.95 เกือบคง จากการศึกษาระวังจลนพลศาสตร์การเจริญเติบโตของ PEALD SnO2 ที่ 350 ° C และความจริงที่ว่าอุณหภูมิความร้อนแยกส่วนประกอบของ SnCl4 สูงกว่า 500 องศาเซลเซียส [2], เป็นไปได้ของเน่าความร้อนของ SnCl4 สามารถแยกออกจากจุดเริ่มต้นของการเพิ่มขึ้นของ GPC จึง มันเป็นเป็นไปได้ว่า GPC ต่ำที่อุณหภูมิต่ำการเจริญเติบโตเนื่องจากมีปฏิกิริยาไม่สมบูรณ์ระหว่าง chemisorbed SnCl4 และพลาสมาที่ได้อุณหภูมิ ซึ่งมีลักษณะคล้ายคลึงกันของพลังพลาสม่าต่ำ เห็นใน Fig. 1(c) ดังแสดงในภาพแทรกของ Fig. 2(a), RBS สเปกตรัมแสดงว่า Cl สิ่งสกปรกมีอยู่ในภาพยนตร์ฝากที่ 150 และ 350 ° c มันเป็นความคิดที่ PEALD SnO2 บางฟิล์มใช้พลาสม่า SnCl4and O2 สามารถฝากเป็นฟิล์มที่ปราศจากมลทินผ่านปฏิกิริยากำจัดลิแกนด์ที่ชัดเจนโดยออกซิเจน ขึ้นอยู่กับการวิเคราะห์การจำลองของ RBS, PEALD SnO2 ฟิล์มบางที่ใช้พลาสม่า SnCl4 และ O2 จัดแสดง stoichiometry อุดมไปด้วยออกซิเจน ในขณะที่ O/Sn อัตราส่วนอะตอมของภาพยนตร์ลดลงจาก 2.23 การ 2.04 เมื่อสะสมที่เพิ่มขึ้นจาก 150 350 องศาเซลเซียส มีลักษณะคล้ายกัน (ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิเจริญเติบโต) ในข้อตกลงที่ดีกับการศึกษาก่อนหน้านี้โดย Choi et al. [8] และเฮาเอ็ด al. [2] เขาแนะนำว่า ฟิล์มบางของ SnO2 อุดมไปด้วยออกซิเจนเป็นผลมาจากออกซิเจนที่ไม่เสถียรพันธุ์ เช่นกลุ่มไฮดรอกซิล หลากออกซิเจน ออกซิเจนที่ขอบเม็ดที่อุณหภูมิต่ำการเจริญเติบโต นอกจากนี้ ออกซิเดชันของพื้นผิวพื้นผิวจากการสัมผัสกับพลาสม่า O2 มีพลังในระยะเริ่มต้นเจริญเติบโตสามารถช่วยให้อุดมสมบูรณ์ออกซิเจนที่พบในการวิเคราะห์ RBS จากความหนาแน่น areal ฟิล์มรับ โดย RBS ปริมาณความหนาแน่นของ SnO2 PEALD ที่ฟิล์มบางที่คำนวณเป็น 5.95 g/cm3 และ 6.72 g/cm3 ที่ 150 และ 350 ° C ตามลำดับ ซึ่งเป็นไปตามความหนาแน่นจำนวนมาก (6.95 g/cm3)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. 2 (ก) แสดงให้เห็นถึงผลของอุณหภูมิในการเจริญเติบโตและ GPC ถิ่นของ SnO2 ฟิล์มบาง ด้วยการเพิ่มการเจริญเติบโตที่อุณหภูมิ 150 และ 350 องศาเซลเซียสที่เพิ่มขึ้นเล็กน้อย GPC 0.05-0.072 นาโนเมตร / รอบในขณะที่ยางธรรมชาติแสดงให้เห็นว่าค่าคงที่เกือบ 1.95 จากการศึกษาอย่างรอบคอบในจลนพลศาสตร์การเจริญเติบโตของ PEALD-SnO2 ที่ 350 องศาเซลเซียสและความจริงที่ว่าอุณหภูมิการสลายตัวทางความร้อนของ SnCl4 สูงกว่า 500 ° C [2] เป็นไปได้ของการสลายตัวทางความร้อนของ SnCl4 สามารถแยกออกจากต้นกำเนิดของ การเพิ่มขึ้นใน GPC ดังนั้นจึงเป็นไปได้ว่า GPC ที่ต่ำกว่าการเจริญเติบโตที่อุณหภูมิต่ำเป็นเพราะปฏิกิริยาที่ไม่สมบูรณ์ระหว่าง chemisorbed SnCl4 และพลาสม่าที่อุณหภูมิที่กำหนดซึ่งเป็นผลที่คล้ายกันของอำนาจพลาสม่าต่ำเท่าที่เห็นในรูป 1 (ค) ดังแสดงในภาพภาพประกอบของรูป 2 (ก), สเปกตรัม RBS ชี้ให้เห็นว่าสิ่งสกปรก Cl ไม่ได้อยู่ในภาพยนตร์ที่ฝากที่ 150 และ 350 องศาเซลเซียส มันเป็นความคิดที่ PEALD-SnO2 ฟิล์มบางโดยใช้พลาสม่า SnCl4and O2 สามารถฝากเป็นภาพยนตร์ที่บริสุทธิ์ปราศจากผ่านปฏิกิริยาการกำจัดแกนด์ที่ชัดเจนจากอนุมูลออกซิเจน จากการวิเคราะห์แบบจำลองของ RBS, PEALD-SnO2 ฟิล์มบางโดยใช้พลาสม่า SnCl4 และ O2 แสดงความปริมาณสารสัมพันธ์ที่อุดมด้วยออกซิเจนในขณะที่ O / Sn อัตราส่วนอะตอมของภาพยนตร์ลดลง 2.23-2.04 เมื่อการสะสมเพิ่มขึ้น 150-350 องศาเซลเซียส . พฤติกรรมที่คล้ายกัน (ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิการเจริญเติบโต) เป็นข้อตกลงที่ดีกับการศึกษาก่อนหน้าโดย Choi et al, [8] และ Heo et al, [2] มันก็ชี้ให้เห็นว่า SnO2 ที่อุดมด้วยออกซิเจนฟิล์มบางเป็นผลมาจากออกซิเจนที่ไม่เสถียรเช่นกลุ่มไฮดรอกซิออกซิเจนสิ่งของหรือออกซิเจนที่ข้าวเขตแดนที่อุณหภูมิต่ำการเจริญเติบโต นอกจากนี้การเกิดออกซิเดชันของพื้นผิวจากการสัมผัสกับพลาสม่าพลัง O2 ในขั้นตอนการเจริญเติบโตเริ่มต้นอาจนำไปสู่​​ความอุดมสมบูรณ์ของออกซิเจนที่พบในการวิเคราะห์ RBS จากความหนาแน่นของภาพยนตร์เรื่องนี้ได้รับโดย RBS ความหนาแน่นของปริมาณการ PEALD-SnO2 ฟิล์มบางที่ถูกคำนวณเป็น 5.95 g ​​/ cm3 และ 6.72 กรัม / cm3 ที่ 150 และ 350 องศาเซลเซียสตามลำดับซึ่งเป็นไปตามที่มีความหนาแน่นเป็นกลุ่ม (6.95 g ​​/ cm3)