By this implantation a heavily n-ty

By this implantation a heavily n-type doped region is formed in the p-type substrate. Due to this counter doping, diodes are formed between the gate and the source area and the gate and the drain area. Thereby the source area is electrically isolated from the drain area because one of these diodes is always reverse biased and the transistor can only be made conductive by applying a voltage at the gate to inverse a thin layer below the gate.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โดยฝังนี้ ภูมิภาคเจือ n ชนิดหนักจะเกิดขึ้นในพื้นผิวชนิด p เนื่องจากนี้เคาน์เตอร์ยาสลบ ไดโอดเกิดขึ้นระหว่างประตู และพื้นที่แหล่ง และประตู และบริเวณท่อระบายน้ำ จึงพื้นที่แหล่งได้ด้วยระบบไฟฟ้าแยกจากท่อระบายน้ำเนื่องจากไดโอดเหล่านี้อย่างใดอย่างหนึ่งเสมอกลับลำเอียง และทรานซิสเตอร์สามารถเพียงทำนำไฟฟ้า โดยใช้แรงดันที่ประตูผกผันบาง ๆ ด้านล่างประตู

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยการปลูกถ่ายนี้ภูมิภาคอย่างหนักชนิดเอ็นเจือจะเกิดขึ้นในสารตั้งต้นชนิดพี เนื่องจากยาสลบเคาน์เตอร์นี้ไดโอดจะเกิดขึ้นระหว่างประตูและพื้นที่แหล่งที่มาและประตูและบริเวณท่อระบายน้ำ ดังนั้นพื้นที่แหล่งที่มาจะถูกแยกออกจากพื้นที่ด้วยระบบไฟฟ้าท่อระบายน้ำเพราะหนึ่งในไดโอดเหล่านี้มักจะย้อนกลับลำเอียงและทรานซิสเตอร์สามารถทำได้โดยการใช้กระแสไฟฟ้าแรงดันไฟฟ้าที่ประตูจะผกผันเป็นชั้นบาง ๆ ด้านล่างประตู

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยทั่วไปนี้เป็นหนักด้วยการเขตจะเกิดขึ้นในพีพื้นผิว เนื่องจากนี้นับว่าไดโอดจะเกิดขึ้นระหว่างประตูและแหล่งพื้นที่ และประตูและพื้นที่ระบาย จึงเป็นแหล่งพื้นที่ด้วยระบบไฟฟ้าแยกจากพื้นที่ระบายเพราะหนึ่งของไดโอดเหล่านี้อยู่เสมอกลับ มีอคติ และทรานซิสเตอร์สามารถสร้างกระแสไฟฟ้าโดยการใช้แรงดันที่ประตู ผกผันบางๆด้านล่างประตู