Static power is the main source of

Static power is the main source of power consumption in SRAMs. The conventional 6T-SRAM cell is shown in Figure 1b. The cell consists of two back-to-back inverters (M1-M4) and two access transistors (M5, M6). This cell uses the same path for both read and write operations, and most of the cell failures occur due to the read mode issues. A 5T-SRAM cell is an asymmetric type of SRAM cell (see Figure 1c). This cell leaves out one of the pull-up PMOS transistors in order to decrease the strength of back-to-back inverter, which lowers the static power. The correct functionality of this cell over a wide range of supply voltages has been verified in previous work. We observe that this cell provides a novel opportunity to save static power when storing ‘one’ in Q node. During this operation, the single pull-up PMOS transistor is in OFF mode and disconnects the Vdd from storage nodes. This reduces the energy consumption of writing ‘one’ on 5T cells.
M1

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อำนาจคงเป็นแหล่งหลักของการใช้พลังงานในการ SRAMs เซลล์ธรรมดา 6T-พาร์จะแสดงในรูปที่ 1b เซลล์ประกอบด้วยอินเวอร์เตอร์กลับไปกลับสอง (M1-M4) และทรานซิสเตอร์เข้าสอง (M5, M6) เซลล์นี้ใช้เส้นทางเดียวกันทั้งอ่าน และเขียน และส่วนใหญ่ของเซลล์ที่เกิดความล้มเหลวเนื่องจากปัญหาเกี่ยวกับโหมดการอ่าน เซลล์พาร์ 5T คือ พาร์ชนิดสมมาตรเป็นเซลล์ (ดูรูปที่ 1c) เซลล์นี้ใบออกแบบ pull-up PMOS ทรานซิสเตอร์อย่างใดอย่างหนึ่งเพื่อลดความแรงของอินเวอร์เตอร์ที่กลับไปกลับ ซึ่งช่วยลดพลังงานไฟฟ้าสถิต การทำงานที่ถูกต้องของเซลล์นี้ช่วงกว้างของแหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้าได้รับการยืนยันในการทำงานก่อนหน้านี้ เราสังเกตว่า เซลล์นี้มีโอกาสที่นวนิยายในการประหยัดพลังงานแบบคงที่เมื่อเก็บ 'หนึ่ง' ในโหน Q ในระหว่างการดำเนินการนี้ ทรานซิสเตอร์ PMOS ตอนเดียวอยู่ในโหมดปิด และยก Vdd เก็บโหน นี้ช่วยลดการใช้พลังงานของการเขียน 'หนึ่ง' บนเซลล์ 5T M1

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พลังงานคงที่เป็นแหล่งที่มาหลักของการใช้พลังงานใน SRAMs เซลล์ 6T-SRAM ทั่วไปจะแสดงในรูปที่ 1B เซลล์ประกอบด้วยสองอินเวอร์เตอร์กลับไปกลับ (M1-M4) และสองทรานซิสเตอร์เข้าถึง (M5, M6) เซลล์นี้จะใช้เส้นทางเดียวสำหรับทั้งอ่านและเขียนการดำเนินงานและส่วนใหญ่ของความล้มเหลวของเซลล์เกิดขึ้นเนื่องจากปัญหาโหมดอ่าน เซลล์ 5T-SRAM เป็นประเภทที่ไม่สมมาตรของเซลล์ SRAM (ดูรูปที่ 1C) เซลล์ใบนี้หนึ่งของทรานซิสเตอร์ดึงขึ้น PMOS เพื่อลดความแข็งแรงของอินเวอร์เตอร์กลับไปด้านหลังซึ่งช่วยลดการใช้พลังงานไฟฟ้าสถิตย์ ฟังก์ชันการทำงานที่ถูกต้องของเซลล์นี้ในช่วงที่กว้างของแรงดันไฟฟ้าที่จ่ายที่ได้รับการยืนยันในการทำงานก่อนหน้า เราสังเกตว่าเซลล์นี้ให้เป็นโอกาสใหม่ในการประหยัดพลังงานแบบคงที่เมื่อมีการเก็บหนึ่งใน Q โหนด ในระหว่างการดำเนินการนี้ซิงเกิ้ลดึงขึ้นพีมอสทรานซิสเตอร์อยู่ในโหมดปิดและยกเลิกการเชื่อมต่อ Vdd จากโหนดการจัดเก็บข้อมูล ซึ่งจะช่วยลดการใช้พลังงานของการเขียน 'หนึ่ง' ใน 5T เซลล์.
M1

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พลังงานคงเป็นแหล่งที่มาหลักของการใช้พลังงานใน srams . เซลล์ 6t-sram ปกติจะแสดงในรูปที่ 1 บี เซลล์ประกอบด้วยสองชนกัน เครื่องแปลงกระแสไฟฟ้า ( m1-m4 ) และสองเข้าถึงทรานซิสเตอร์ ( M5 , M6 ) เซลล์นี้จะใช้เส้นทางเดียวกันสำหรับทั้งอ่านและเขียนงาน และส่วนใหญ่ของเซลล์ความล้มเหลวเกิดขึ้นเนื่องจากอ่านโหมดปัญหา เป็น 5t-sram เซลล์เป็นชนิดไม่สมมาตรของ SRAM เซลล์ ( ดูรูป 1C ) เซลล์ใบนี้ออกหนึ่งของการหยุด pmos ทรานซิสเตอร์ เพื่อลดความแรงของอินเวอร์เตอร์กลับไปที่ช่วยลดพลังงานคงที่ แก้ไขการทำงานของเซลล์นี้มากกว่าที่หลากหลายของแรงดันไฟฟ้าอุปทานได้รับการยืนยันในงานก่อนหน้านี้ เราสังเกตว่า เซลล์นี้มีโอกาสใหม่ในการประหยัดพลังงานคงเมื่อเก็บ ' หนึ่ง ' Q โหนด ในการดำเนินการนี้ ทรานซิสเตอร์หยุด pmos เดียวในโหมดปิดและตัดการเชื่อมต่อ VDD จากโหนดเก็บ นี้ช่วยลดการใช้พลังงานในการเขียน ' หนึ่ง ' 5T เซลล์M1