Incontrast with Ga-doped BN nanotub

In
contrast with Ga-doped BN nanotube, the Al-doped BN nanotube
has a significant change in the energy gap (about 21.44%) with
the adsorption energy of 1.01 eV.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในความแตกต่างกับพัน Ga doped ทิวบ์ ทิวบ์ doped อัลพันมีการเปลี่ยนแปลงที่สำคัญในช่องว่างของพลังงาน (ประมาณ 21.44%) ด้วยพลังงานดูดซับ 1.01 eV

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ใน
ทางตรงกันข้ามกับ BN Ga เจือนาโน, อัลเจือ BN นาโน
มีการเปลี่ยนแปลงที่สำคัญในช่องว่างพลังงาน (ประมาณ? 21.44%) ที่มี
พลังงานการดูดซับของ? 1.01 eV

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในทางตรงกันข้ามกับ GA เจือน
นาโน , Al เจือ BN ท่อนาโน
มีการเปลี่ยนแปลงอย่างมีนัยสำคัญในช่องว่างพลังงาน ( เกี่ยวกับ  รวม %
) กับการดูดซับพลังงานของ  1.01 eV .