The IR absorbance spectra of invest

The IR absorbance spectra of investigated glazes are
illustrated in Fig. 6. All the spectra showed five characteristic
peaks located at 1634 cm, 1401 cm, 1048 cm,
781 cm and 461 cm, respectively.The absorption band
at 1634 cm was close to the position of H2O bending
vibrations.The smaller intensity bands at 1401cm and
781 cm, could be assigned to the (PO4)3 asymmetric
stretches of P–O–P bond.The absorption band at 1048 cm
was assigned to the stretching vibration of Si–O, which
indicated that the structure of the tested glazes was dominated
by the so-called Q3 group (where Q is the number of bridging
oxygen) [18,19]. The band at 461cm could be linked with
the bending vibrations of two types of bridge bonds Si–O–Si
and Si–O–Al [19].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีสเป็ค absorbance IR ของ glazes การตรวจสอบภาพประกอบ 6 รูป ทุกมุมที่แสดงให้เห็นลักษณะห้ายอด 1634 ซม. ซม. 1401, 1048 ซม.ซม. 781 และ 461 ซม. ตามลำดับ แถบดูดซึมที่ 1634 ซม.ถูกตำแหน่งของ H2O ดัดสั่นสะเทือน วงดนตรีเข้มเล็กที่ 1401 ซม และมีกำหนดซม. 781 ไป (PO4) 3 สมมาตรเหยียดของพันธบัตร P – O – P วงการดูดซึมที่ 1048 ซม.ถูกกำหนดให้กับการสั่นยืดของศรี – O ซึ่งระบุว่า โครงสร้างของ glazes ทดสอบถูกครอบงำโดยเรียกว่าไตรมาสที่ 3 (ที่ Q เป็นจำนวนของการเชื่อมโยงออกซิเจน) [18,19] วงที่ 461 ซมสามารถเชื่อมโยงกับการสั่นสะเทือนดัดสองประเภทพันธบัตรสะพานศรี – O – ศรีและศรี – O – อัล [19]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อินฟราเรดสเปกตรัมการดูดกลืนแสงของน้ำยาเคลือบเงาตรวจสอบมีการ
แสดงในรูป 6. สเปกตรัมทั้งหมดแสดงให้เห็นลักษณะห้า
ยอดเขาที่ตั้งอยู่ที่ 1634 ซม. ?, 1401 ซม. 1048 ซม. ?,
781 ซม. และ 461 ซม., ตามลำดับการดูดซึมวง
ที่ 1634 ซม. ใกล้เคียงกับตำแหน่งของ H2O ดัด
vibrations.The วงดนตรีเข้มขนาดเล็ก ที่ 1401cm และ
781 ซม. ?, อาจจะได้รับมอบหมายให้ (PO4) 3 หรือไม่? ไม่สมมาตร
เหยียดของ P-O-P bond.The วงดูดซึมที่ 1048 ซม.
ได้รับมอบหมายให้สั่นสะเทือนยืดของ Si-O ซึ่ง
ชี้ให้เห็นว่าโครงสร้างของการเคลือบการทดสอบที่ถูกครอบงำ
โดยกลุ่มไตรมาสที่ 3 ที่เรียกว่า (ที่ถามคือ จำนวนของการแก้
ออกซิเจน) [18,19] วงดนตรีที่ 461cm อาจจะเชื่อมโยงกับ
การสั่นสะเทือนที่ดัดของทั้งสองประเภทของพันธบัตรสะพาน Si-O-Si
และ Si-O-อัล [19]