The purpose of this memorandum is t

The purpose of this memorandum is to investigate the effect of selected dopants (namely
tungsten (W) and W-titanium (Ti)) on semiconducting to metallic phase transition of the
vanadium dioxide (VO
2
) in the longwave infrared (LWIR) range. The specific properties
investigated in this study are the transition temperature T
t
, the electrical resistivity and the
optical transmittance. The fabrication of
films was done by magnetron radio-frequency
sputtering technique. The results indicated that T
t
of our undoped VO
2
films
is ~ 65°C and
can be brought down to ~ 15°C with ~2.1 at.%
of W doping. When the film is in the metallic
phase (above the T
t
), the electrical resistivity of und
oped films drops three orders of
magnitude while it drops two orders of magn
itude in W-doped films with an electrical
hysteresis of less than 10°C in both cases. Co-d
oping with W (~1 at.%) and Ti (of ~6 at.%)
greatly modifies the resistivity slope, the latte
r showing no abrupt transition but rather a
smooth, linear transition over a large temperature range with T
t
near 55°C. The resistivity
drop upon heating of the co-doped film is less
than one order of magnitude but its electrical
hysteresis is totally suppressed. Regarding opti
cal transmittance, all films under investigation
have high transmission (>75%) at room temperatur
e (RT) in the IR region. In the metallic
phase (above T
t
), undoped films become nearly opaque
with a transmittance in LWIR of less
than 5%, less than 20% for W-doped films and
less than 35% for those co-doped with W and
Ti. The latter films give a barely noticeable optical hysteresis (~2°C). The results of this
study show the possibility and efficiency of doping VO
2
to modulate the transmission in the
longwave infrared range and vary the hysteresis.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วัตถุประสงค์ของการบันทึกนี้คือการตรวจสอบผลกระทบของ dopants เลือก (คือ
ทังสเตน (กว้าง) และกว้างไทเทเนียม (Ti)) ในสารกึ่งตัวนำที่จะเปลี่ยนแปลงขั้นตอนของโลหะ
วาเนเดียมออกไซด์ (Vo
2
) ในอินฟราเรดคลื่นยาว ( LWIR) ช่วง คุณสมบัติเฉพาะ
การตรวจสอบในการศึกษาครั้งนี้มีการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ T
T
ต้านทานไฟฟ้าและการส่งผ่านแสง
ผลิตของ
ภาพยนตร์ทำโดยแมกคลื่นความถี่วิทยุ
เทคนิคสปัตเตอร์ ผลที่ได้ชี้ให้เห็นว่า T
T
ของ Vo undoped ของเรา
2

ภาพยนตร์ที่ ~ 65 องศาเซลเซียสและ
สามารถนำลงไป ~ 15 องศาเซลเซียสด้วย ~ 2.1 ที่.
% ของน้ำหนักยาสลบ เมื่อภาพยนตร์เรื่องนี้อยู่ในขั้นตอนการโลหะ
(เหนือ T
T
), ความต้านทานไฟฟ้าของคาดไม่ถึง
ภาพยนตร์ OPED ลดลงสามคำสั่งของ
ขนาดในขณะที่มันลดลงสองคำสั่งของ MAGN
itude กว้างในการเจือภาพยนตร์ด้วยไฟฟ้า
hysteresis น้อยกว่า 10 องศาเซลเซียสในทั้งสองกรณี ร่วมง
oping W (~ 1 ที่.%) และทิ (จาก ~ 6 ที่.%)
ช่วยปรับเปลี่ยนความลาดชันของความต้านทาน, ลาเต้
r แสดงไม่มีการเปลี่ยนแปลงอย่างกระทันหัน แต่
เรียบการเปลี่ยนแปลงเชิงเส้นที่มีขนาดใหญ่กว่า ช่วงอุณหภูมิด้วย T
T
ใกล้ 55 องศาเซลเซียส
ต้านทานลดลงโดยความร้อนของฟิล์มร่วมยาน้อย
กว่าหนึ่งในลำดับความสำคัญ แต่ไฟฟ้า
hysteresis ที่ถูกระงับโดยสิ้นเชิง เกี่ยวกับ OPTI
เสียการส่งผ่านภาพยนตร์ทั้งหมดภายใต้การสอบสวน
มีการส่งผ่านสูง (> 75%) ที่อุณหภูมิห้อง
อี (RT) ในภูมิภาค ir ในโลหะ
เฟส (เหนือ T
T
) ภาพยนตร์ undoped เกือบกลายเป็นสีขาวขุ่น
ด้วยการส่งผ่านใน LWIR น้อย
กว่า 5% น้อยกว่า 20% น้ำหนักเจือภาพยนตร์และ
น้อยกว่า 35% สำหรับผู้ที่ร่วมยาที่มีน้ำหนักและทิ
ภาพยนตร์หลังให้ hysteresis แสงเห็นได้ชัดแทบจะไม่ (~ 2 องศาเซลเซียส) ผลที่ได้จากการศึกษาครั้งนี้
แสดงความเป็นไปได้และประสิทธิภาพของยาสลบ Vo
2
เพื่อปรับการส่ง
คลื่นยาวช่วงอินฟราเรดและแตกต่างกัน hysteresis

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วัตถุประสงค์ของบันทึกนี้คือการ ตรวจสอบผลของการเลือก dopants (ได้แก่
ทังสเตน (W) และ W-ไทเทเนียม (ตี้)) บนตัวการเปลี่ยนเฟสโลหะของ
ไดออกไซด์วาเนเดียม (VO
2
) ในช่วง longwave อินฟราเรด (LWIR) คุณสมบัติเฉพาะ
ตรวจสอบในการศึกษานี้มีการเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิ T
t
, ความต้านทานไฟฟ้าและ
transmittance แสง ประดิษฐ์ของ
ทำฟิล์ม โดยความถี่วิทยุ magnetron
เทคนิคสปัตเตอร์ ระบุผลลัพธ์ที่ T
t
ของเราโว undoped
2
ฟิล์ม
เป็น ~ 65° C และ
สามารถนำลงไป ~ 15° C ด้วย ~2.1 at.%
of W โดปปิงค์ เมื่อภาพยนตร์เรื่องนี้คือใน
ระยะ (ข้างบนเทียบกับ
t
), ความต้านทานไฟฟ้าของแดน
สั่งสามหยดฟิล์ม oped
ขนาดขณะมันหยด magn สั่งสอง
itude ในภาพยนตร์ W doped กับการไฟฟ้า
สัมผัสน้อยกว่า 10 องศาเซลเซียสในทั้งสองกรณี บริษัท d
oping ด้วย W (~ 1 at.%) และตี้ (ของ at.% ~ 6)
มากปรับเปลี่ยนความต้านทานความชัน ลาเต้
r แสดงไม่เปลี่ยนอย่างทันทีทันใดแต่จะเป็น
เรียบ เส้นเปลี่ยนช่วงอุณหภูมิขนาดใหญ่ด้วย T
t
ใกล้ 55 องศาเซลเซียส ความต้านทานที่
เมื่อความร้อนของฟิล์มร่วม doped คือน้อย
กว่าหนึ่งสั่งของขนาดแต่การไฟฟ้า
สัมผัสจะหยุดโดยสิ้นเชิง เกี่ยวกับ opti
cal transmittance ฟิล์มทั้งหมดภายใต้ตรวจสอบ
มีสูงส่ง (> 75%) ที่ห้อง temperatur
e (RT) ในภูมิภาค IR ใน
ระยะ (ข้าง T
t
), ฟิล์ม undoped กลายเป็นเกือบทึบแสง
กับ transmittance ใน LWIR น้อย
กว่า 5% น้อยกว่า 20% สำหรับฟิล์ม W doped และ
น้อยกว่า 35% สำหรับเหล่า doped ร่วมกับ W และ
ตี้ ฟิล์มหลังให้สัมผัสแสงแทบไม่ชัด (~ 2° C) ผลลัพธ์นี้
ศึกษาแสดงความเป็นไปได้และประสิทธิภาพของโวโดปปิงค์
2
การ modulate ส่งใน
longwave อินฟราเรดช่วง และสัมผัสแตกต่างกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วัตถุประสงค์ของหนังสือบริคณห์สนธิคือการตรวจสอบที่มีผลบังคับใช้ของที่เลือก dopants (เช่น
ทังสเตน( W )และ W - ไทเทเนียม( TI )บน semiconducting สีเมทัลลิคดูขั้นตอนการเปลี่ยนแปลงที่
เก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์( VO
2
)ในคลื่นยาวอินฟราเรด( lwir ). ระบุคุณสมบัติ
ซึ่งจะช่วยให้การสอบสวนในการศึกษานี้มีการเปลี่ยนแปลง อุณหภูมิ T

T transmittance ออปติคอลไดรฟ์ออก
และพิกัดความต้านทานไฟฟ้าเสกสรรปั้นแต่งของ
ภาพยนตร์ เป็นการกระทำโดย magnetron คลื่นความถี่วิทยุ
เทคนิคละล่ำละลัก ผลที่ได้ระบุว่า t

T ของ undoped ของเรา VO

ภาพยนตร์ 2
คือ C ~ 65 °และ
สามารถพาลงไปยัง~ 15 ° C พร้อมด้วย~ 2.1 ที่. doping %
ของ W เมื่อ ภาพยนตร์ ที่อยู่ในสีเมทาลิค
ช่วง(มากกว่า T

T )พิกัดความต้านทานไฟฟ้าของ ภาพยนตร์ und
ถูกเนรเทศไปยังลดลงต่ำกว่าสามคำสั่งของ
สุกใสในขณะที่มันลดลงต่ำกว่าสองใบสั่งซื้อของการควบคุมลูกปืน
itude ใน ภาพยนตร์ W - doped ด้วยไฟฟ้า
hysteresis ที่น้อยกว่า 10 ° C ในทั้งสองกรณี ร่วม - D
oping กับ W (~ 1 .%)และหมากผู้หมากเมีย(ของ~ 6 .%)
มากแก้ไขที่พิกัดความต้านทานลาด,ลาเต้
R แสดงไม่มีการเปลี่ยนแปลงแบบปัจจุบันทันด่วนแต่เป็น
เรียบเนียน,ตามแนวยาวการเปลี่ยนผ่านที่มีขนาดใหญ่พร้อมด้วยช่วง อุณหภูมิ T

ใกล้กับ T 55 ° C พิกัดความต้านทาน
ซึ่งจะช่วยลดลงเมื่อเครื่องทำความร้อนของ ภาพยนตร์ ร่วมกัน - doped
ตามมาตรฐานที่มีน้อยลงการสั่งซื้อมากกว่าหนึ่งของความสุกใสแต่ไฟฟ้า
hysteresis ของตนจะถูกระงับทั้งหมด เกี่ยวกับ transmittance Opti
CAL ภาพยนตร์ โดยทั้งหมดอยู่ ภายใต้ การสอบสวน
มีการส่งสัญญาณสูง(> 75% )ที่ห้อง อุณหภูมิ
E ( RT )ใน ภูมิภาค อินฟราเรดที่ ในโลหะ
ช่วง(มากกว่า T

T ) ภาพยนตร์ undoped กลายเป็นแอตทริบิวต์เกือบ
ด้วย transmittance ใน lwir น้อย
กว่า 5% ไม่น้อยกว่า 20% สำหรับ ภาพยนตร์ W - doped และ
น้อยกว่า 35% สำหรับผู้ที่ร่วม - doped กับ W และ
หมากผู้หมากเมีย ภาพยนตร์ หลังที่ทำให้แทบจะไม่เห็นได้ชัด hysteresis ออปติคอลไดรฟ์(~ 2 ° C ) ผลที่ได้ของการแสดงโชว์
ซึ่งจะช่วยการศึกษานี้มี ประสิทธิภาพ และความเป็นไปได้ของ doping VO

กล้ำ 2 การส่งสัญญาณอินฟราเรด
ซึ่งจะช่วยได้ในช่วงที่คลื่นยาวและ hysteresis ที่แตกต่างกันไป