that Fe3+ can provide strong coordi

that Fe3+ can provide strong coordination with phosphate-containing
compounds [25]. Therefore, Fe3+ was chosen as the conjugate
ion for the fabrication of PPi sensors.
The effect of Fe3+ on the fluorescence intensity of Cys-CdS QDs
was examined. The emission spectra of Cys-CdS QDs in the presence
of various concentrations of Fe3+ in 0.1 M Tris–HCl buffer
pH 7.5 are shown in Fig. 2. The fluorescence intensity of Cys-CdS
QDs was significantly quenched by the addition of Fe3+. The degree
of the fluorescence quenching increased linearly with increasing
Fe3+ concentration in the range of 0.02–0.80 mM. At the same time,
no change in the shape of the emission spectra was observed. The
fluorescence quenching by Fe3+ may undergo an electron transfer
process from the excited electrons in the conduction band of
Cys-CdS QDs to Fe3+. Therefore, the probability of electron–hole
recombination was reduced. This result confirms that Fe3+ can
interact well with the surface of Cys-CdS QDs and potentially be
used as a decorative species for a new sensor.
The detection of PPi by Cys-CdS QDs decorated with Fe3+
Generally, the fluorescence intensity of QDs is quite sensitive to
the nature of the surface. The presence of several species on the
surface of QDs can influence the efficiency of the electron–hole
recombination process, leading to a change in the fluorescence
intensity [41]. According to the results discussed in the previous
section, the fluorescence intensity of Cys-CdS QDs was initially
modulated by Fe3+ in the sensor fabrication step. From this point
of view, we hypothesized that the complex between Fe3+ and phosphate-containing
compounds has a better quenching efficiency
than Fe3+ alone. Therefore, the electron transfer between Cys-CdS
QDs and the quencher can be increased, which decreases the observed
fluorescence intensity.
To verify this hypothesis, the influence of PPi on the fluorescence
intensity of unmodified Cys-CdS QDs and [Cys-CdS QDs]-
Fe3+ systems was examined. As shown in Fig. 3A, the fluorescence
intensity initially modulated by Fe3+ can be gradually decreased by
increasing the PPi concentration. Meanwhile, the shape of the
emission spectra did not change with increasing PPi concentration.
In a parallel experiment, we explored the effect of PPi on the fluorescence
intensity of the unmodified Cys-CdS QDs, and the results
are provided in Fig. 3B. It was found that PPi has a very small effect
to the fluorescence intensity of the unmodified Cys-CdS QDs (at pH
7.5 and the same PPi concentration level) compared with the [CysCdS
QDs]-Fe3+ as a sensor probe. This implies that Fe3+ plays an
important role in inducing the quenching efficiency upon the addition
of PPi

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่ Fe3 + สามารถให้ติดต่อประสานงานแข็งแกร่งประกอบด้วยฟอสเฟตสาร [25] ดังนั้น Fe3 + ถูกเลือกเป็นค่าสังยุคไอออนสำหรับประดิษฐ์ของเซ็นเซอร์ PPiผลของ Fe3 + fluorescence ความเข้มของซีดี Cys QDsถูกตรวจสอบ แรมสเป็คตรามลพิษแบบของซีดี Cys QDs ที่ในสถานะของต่าง ๆ ความเข้มข้นของ Fe3 + ในบัฟเฟอร์ M ตรี – HCl 0.1pH 7.5 แสดงใน Fig. 2 ความเข้ม fluorescence Cys-ซีดีQDs ถูก quenched อย่างมีนัยสำคัญ โดยการเพิ่ม Fe3 + ระดับของการ fluorescence ปราบเชิงเส้นเพิ่มกับเพิ่มFe3 + ความเข้มข้นในช่วง 0.02 – 0.80 mM ในเวลาเดียวกันเปลี่ยนแปลงรูปร่างของแรมสเป็คตรามลพิษถูกตรวจสอบ ที่fluorescence ชุบ โดย Fe3 + อาจได้รับการถ่ายโอนอิเล็กตรอนประมวลผลจากอิเล็กตรอนในวงการจึงตื่นเต้นQDs Cys ซีกับ Fe3 + ดังนั้น ความเป็นไปได้ของอิเล็กตรอน – หลุมrecombination ลดลง ผลลัพธ์นี้ยืนยันว่า สามารถ Fe3 +โต้ตอบกันกับพื้นผิวของซีดี Cys QDs และอาจจะใช้เป็นพันธุ์สำหรับตกแต่งสำหรับเซนเซอร์ใหม่การตรวจพบ PPi โดย QDs Cys ซีดีตกแต่งกับ Fe3 +ทั่วไป ความเข้ม fluorescence ของ QDs จะค่อนข้างอ่อนไหวกับธรรมชาติของผิว อยู่หลายชนิดในการพื้นผิวของ QDs สามารถมีอิทธิพลต่อประสิทธิภาพของอิเล็กตรอน – หลุมกระบวนการ recombination นำไปสู่การเปลี่ยนแปลงในการ fluorescenceความรุนแรง [41] ตามผลการหารือในก่อนหน้าส่วน fluorescence ความเข้มของ QDs Cys-ซีดีเป็นครั้งแรกสันทัด โดย Fe3 + ในขั้นตอนการผลิตเซ็นเซอร์ จากจุดนี้มุมมอง เราตั้งสมมติฐานว่าที่ซับซ้อนระหว่าง Fe3 + และประกอบด้วยฟอสเฟตสารประกอบที่มีประสิทธิภาพดีกว่า quenchingกว่า Fe3 + คนเดียว ดังนั้น อิเล็กตรอนถ่ายโอนระหว่าง Cys-ซีดีQDs และ quencher จะสามารถเพิ่ม ลดซึ่งการสังเกตfluorescence ความเข้มเพื่อตรวจสอบสมมติฐานนี้ อิทธิพลของ PPi ในการ fluorescenceความเข้มของ unmodified QDs Cys ซีดี [ซีดี-Cys QDs] -Fe3 + ระบบถูกตรวจสอบ ตามที่แสดงใน Fig. 3A, fluorescence ที่ความรุนแรงเริ่มสันทัด โดย Fe3 + สามารถค่อย ๆ ลดลงโดยเพิ่มความเข้มข้น PPi ในขณะเดียวกัน รูปร่างของใบแรมสเป็คตราเล็ดรอดได้ไม่เปลี่ยนแปลง ด้วยการเพิ่มความเข้มข้นของ PPiในทดลองขนาน เราอุดมผลของ PPi ที่ fluorescenceความเข้มของ QDs Cys ซี unmodified และผลลัพธ์มีใน Fig. 3B พบว่า PPi มีผลขนาดเล็กมากกับความเข้ม fluorescence ของ QDs Cys ซี unmodified (ที่ค่า pH7.5 และระดับความเข้มข้นเดียวกัน PPi) เปรียบเทียบกับการ [CysCdSQDs] -Fe3 + เป็นโพรบเซ็นเซอร์ หมายความว่า Fe3 + เล่นการบทบาทสำคัญใน inducing ประสิทธิภาพ quenching ตามเพิ่มของ PPi

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่ Fe3 + สามารถให้การประสานงานที่ดีกับฟอสเฟตที่มี
สาร [25] ดังนั้น Fe3 + รับเลือกให้เป็นคอนจูเกต
ไอออนสำหรับการผลิตของเซ็นเซอร์ PPI.
ผลของ Fe3 + บนเรืองแสงความเข้มของ Cys ซีดี QDS
ถูกตรวจสอบ สเปกตรัมการปล่อย Cys ซีดี QDS ในการปรากฏตัว
ของความเข้มข้นต่างๆของ Fe3 + 0.1 M บัฟเฟอร์ Tris-HCl
ค่า pH 7.5 จะแสดงในรูป 2. เรืองแสงความเข้มของ Cys ซีดี
QDS ถูกดับอย่างมีนัยสำคัญโดยนอกเหนือจาก Fe3 + การศึกษาระดับปริญญา
ของดับเรืองแสงเพิ่มขึ้นเป็นเส้นตรงกับการเพิ่ม
ความเข้มข้นของ Fe3 + ในช่วง 0.02-0.80 มิลลิ ในเวลาเดียวกัน,
ไม่มีการเปลี่ยนแปลงในรูปของการปล่อยสเปกตรัมได้สังเกต
ดับเรืองแสงโดย Fe3 + อาจได้รับการถ่ายโอนอิเล็กตรอน
กระบวนการจากอิเล็กตรอนตื่นเต้นในวงการนำของ
Cys ซีดี QDS เพื่อ Fe3 + ดังนั้นน่าจะเป็นของอิเล็กตรอนหลุม
รวมตัวกันอีกก็ลดลง ผลที่ได้นี้ยืนยันว่า Fe3 + สามารถ
โต้ตอบกันได้ดีกับพื้นผิวของ Cys ซีดี QDS และอาจจะ
นำมาใช้เป็นสายพันธุ์ที่ตกแต่งสำหรับเซ็นเซอร์ใหม่.
การตรวจสอบของ PPI โดย Cys ซีดี QDS ตกแต่งด้วย Fe3 +
โดยทั่วไปเรืองแสงความเข้มของ QDS ค่อนข้าง ไวต่อ
ธรรมชาติของพื้นผิว การปรากฏตัวของหลายชนิดบน
พื้นผิวของ QDS จะมีผลต่อประสิทธิภาพของอิเล็กตรอนหลุม
กระบวนการรวมตัวที่นำไปสู่การเปลี่ยนแปลงในการเรืองแสง
ความเข้ม [41] ตามผลการหารือในก่อนหน้านี้
ส่วนเรืองแสงความเข้มของ Cys ซีดี QDS แรกคือ
ปรับโดย Fe3 + ในขั้นตอนการผลิตเซ็นเซอร์ จากจุดนี้
ในมุมมองของเราตั้งสมมติฐานว่าซับซ้อนระหว่าง Fe3 + และฟอสเฟตที่มี
สารประกอบที่มีประสิทธิภาพดีกว่าดับ
กว่า Fe3 + คนเดียว ดังนั้นการถ่ายโอนอิเล็กตรอนระหว่าง Cys ซีดี
QDS และดับสามารถเพิ่มขึ้นซึ่งจะเป็นการลดสังเกต
เรืองแสงความเข้ม.
ต้องการตรวจสอบสมมติฐานนี้อิทธิพลของ PPI ในการเรืองแสง
ความเข้มของ QDS แปร Cys-ซีดีและ [Cys ซีดี QDS] -
ระบบ Fe3 + ถูกตรวจสอบ ดังแสดงในรูป 3A, เรืองแสง
ความเข้มปรับครั้งแรกโดย Fe3 + สามารถค่อยๆลดลงโดย
การเพิ่มความเข้มข้นของ PPI ในขณะที่รูปทรงของ
สเปกตรัมการปล่อยไม่ได้เปลี่ยนด้วยการเพิ่มความเข้มข้นของ PPI.
ในการทดลองแบบคู่ขนานที่เราสำรวจผลกระทบของ PPI ในการเรืองแสง
ความเข้มของการแปร Cys ซีดี QDS และผลที่
ได้แสดงไว้ในรูป 3B พบว่า PPI มีผลขนาดเล็กมาก
ที่จะเรืองแสงความเข้มของการแปร Cys ซีดี QDS (ที่ pH
7.5 และระดับความเข้มข้น PPI เดียวกัน) เมื่อเทียบกับ [CysCdS
QDS] -Fe3 + เป็น probe เซ็นเซอร์ นี่ก็หมายความว่า Fe3 + เล่น
บทบาทสำคัญในการกระตุ้นให้เกิดประสิทธิภาพในการดับเมื่อนอกจาก
ของ PPI

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่ fe3 สามารถประสานงานที่แข็งแกร่งกับประกอบด้วยสารประกอบฟอสเฟต
[ 25 ] ดังนั้น fe3 ถูกเลือกเป็นคู่
ไอออนสำหรับการประดิษฐ์หรือ เซ็นเซอร์
ผลของ fe3 ในเรือง ความรุนแรงของภาวะซีดีควอนตัมด็อต
ถูกตรวจสอบ การปล่อยสเปกตรัมของภาวะซีดีควอนตัมด็อตต่อ
ของความเข้มข้นต่างๆใน 0.1 M HCl fe3 ทริสบัฟเฟอร์ pH 7.5 (
แสดงในรูปที่ 2ความเข้มของการเรืองแสง CYS ซีดี
ควอนตัมด็อตแบบดับโดยนอกเหนือจาก fe3 . ระดับของการเพิ่มน้ำหนัก

ดับเพิ่มความเข้มข้น fe3 ในช่วง 0.02 - 0.80 มิลลิเมตร ในเวลาเดียวกัน
ไม่มีการเปลี่ยนแปลงรูปร่างของการปล่อยสเปกตรัมถูกสังเกต
เรืองแสงดับโดย fe3 อาจได้รับการถ่ายโอนอิเล็กตรอน
กระบวนการจากอิเล็กตรอนตื่นเต้นในนำวงดนตรีของ
CYS ซีดีควอนตัมด็อตเพื่อ fe3 . ดังนั้นความน่าจะเป็นของอิเล็กตรอนและหลุม
การลดลง ผลยืนยันว่าสามารถ
fe3 โต้ตอบได้ดีกับพื้นผิวของภาวะซีดีควอนตัมด็อตและอาจจะใช้เป็นชนิด
ตกแต่งสำหรับเซ็นเซอร์ใหม่
ตรวจหา PPI โดยภาวะซีดีควอนตัมด็อต ประดับด้วย fe3
โดยทั่วไปความเข้มของการเรืองแสงควอนตัมด็อตค่อนข้างไว
ธรรมชาติของพื้นผิว การแสดงตนของหลายสปีชีส์บนพื้นผิวของควอนตัมด็อต
สามารถมีผลต่อประสิทธิภาพของอิเล็กตรอนและหลุม
การกระบวนการที่นำไปสู่การเปลี่ยนแปลงในความเข้มของการเรืองแสง
[ 41 ] ผลการหารือในส่วนก่อนหน้า
, เรือง ความรุนแรงของภาวะควอนตัมด็อตตอนแรก
ซีดีปรับโดย fe3 ในเซนเซอร์แบบขั้นตอน จากจุดนี้
ดู เราตั้งสมมุติฐานว่าซับซ้อนระหว่าง fe3 และฟอสเฟตที่มีสารประกอบที่มีประสิทธิภาพดีกว่า

fe3 ดับกว่าอยู่คนเดียว ดังนั้น การถ่ายโอนอิเล็กตรอนระหว่างภาวะซีดี
ควอนตัมด็อตและทำให้เย็นลงจะเพิ่มขึ้น ซึ่งลดได้

การเข้ม เพื่อตรวจสอบสมมติฐานนี้อิทธิพลของ PPI ในเรือง
เข้มแปร CYS ซีดีและซีดีควอนตัมด็อต [ ภาวะควอนตัมด็อต ] -
fe3 ระบบคือการตรวจสอบ ดังแสดงในรูปที่ 3A , fluorescence
เข้มเริ่มปรับโดย fe3 สามารถค่อย ๆ ลดลง
เพิ่มปรับความเข้มข้น ในขณะเดียวกัน การเปลี่ยนแปลงรูปร่างของ
ไม่ได้เปลี่ยนแปลงด้วยการเพิ่มความเข้มข้นของ PPI .
ในการทดสอบแบบขนานเราสำรวจผลกระทบของ PPI ในความเข้มของการเรืองแสง
แปร CYS ซีดีควอนตัมด็อตและผลลัพธ์
มีไว้ในรูปที่ 3 บี พบว่า PPI มีผลน้อยมากกับการเปลี่ยนแปลงความเข้มของภาวะซีดีควอนตัมด็อต ( pH
7.5 และระดับความเข้มข้นเดียวกัน PPI ) เมื่อเทียบกับ [ cyscds
ควอนตัมด็อต ] - fe3 เป็นเซ็นเซอร์ด้วย นอกจากนี้ fe3 เล่น
บทบาทที่สำคัญในการเพิ่มประสิทธิภาพโดยการชุบบน
ของ PPI