Pure and Al-doped ZnO ceramics were

Pure and Al-doped ZnO ceramics were prepared by conventional sintering high pressure treated nano powders at 1150 ℃ for 2 h, and the effect of Al-doping on the microstructure and dielectric properties were mainly investigated. X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM) results revealed that Al reacted with ZnO and formed ZnAl2O4 nano-precipitates on the grain boundaries. Small amount of ZnAl2O4 nano-precipitates (i.e. < 1 mol%) enhanced the grain growth of ZnO, while larger amount suppressed the grain growth. AC impedance analysis indicated that Al-doping decreases the resistivity of ZnO ceramics. Didlectric studies revealed that the incorporation of Al in ZnO can significantly enhance the dielectric constant (1.39x104 at 1 kHz) of ZnO ceramics. And the dielectric behavior can be well-explained by Maxwell-Wagner relaxation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บริสุทธิ์ และ เจืออัลเซรามิกส์ ZnO วจัดทำขึ้น โดยทั่วไปการอบความดันสูงรักษาผงนาโนที่ 1150 ℃สำหรับ 2h และผลของยาสลบอัลคุณสมบัติจุลภาคและเป็นฉนวนได้ตรวจสอบส่วนใหญ่อยู่ กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) ผลการสแกนและการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ (XRD) เปิดเผยว่า อัลปฏิกิริยากับ ZnO และเกิด ZnAl2O4 nano-precipitates บนขอบเกรน ZnAl2O4 นาโน-precipitates (เช่น < 1 โมล%) เล็กน้อยเพิ่มการเติบโตของเกรนของ ZnO ในขณะที่มากกว่าจำนวนยับยั้งการเจริญเติบโตของข้าว วิเคราะห์ความต้านทาน AC แสดงว่า อัลยาสลบลดลงความต้านทานไฟฟ้าของเซรามิกส์ ZnO Didlectric การศึกษาพบว่า การรวมตัวของอัลใน ZnO สามารถช่วยเพิ่มค่าคงเป็นฉนวน (1.39x104 ที่ 1 kHz) ของเซรามิกส์ ZnO และลักษณะการทำงานเป็นฉนวนสามารถอธิบายอย่างดี โดยแมกซ์เวลล์วากเนอร์ผ่อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บริสุทธิ์และอัลเจือเซรามิกส์ ZnO ถูกจัดทำขึ้นโดยการชุมนุมเผาแรงดันสูงได้รับการรักษาผงนาโน 1150 ℃เป็นเวลา 2 ชั่วโมงและผลกระทบของอัลยาสลบจุลภาคและคุณสมบัติเป็นฉนวนถูกตรวจสอบส่วนใหญ่ X-ray การเลี้ยวเบน (XRD) และกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) ผลการศึกษาพบว่าอัลปฏิกิริยากับซิงค์ออกไซด์และรูปแบบที่ ZnAl2O4 นาโนตกตะกอนในข้าวเขตแดน จำนวนเล็ก ๆ ของ ZnAl2O4 นาโนตกตะกอน (เช่น <1 mol%) เพิ่มการเจริญเติบโตของข้าวซิงค์ออกไซด์ในขณะที่จำนวนมากถูกระงับการเจริญเติบโตของข้าว การวิเคราะห์ความต้านทาน AC ชี้ให้เห็นว่าอัลยาสลบลดความต้านทานของเซรามิกซิงค์ออกไซด์ การศึกษา Didlectric เปิดเผยว่าการรวมตัวของอัลใน ZnO อย่างมีนัยสำคัญสามารถเพิ่มค่าคงที่อิเล็กทริก (1.39x104 วันที่ 1 kHz) ของเซรามิกซิงค์ออกไซด์ และพฤติกรรมอิเล็กทริกสามารถดีอธิบายโดยแมกซ์เวล-Wagner ผ่อนคลาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บริสุทธิ์และอัลด้วยเช่นกัน เซรามิค เตรียมโดยวิธีความดันสูงรักษาผงนาโนที่ 1150 ℃ 2 ชั่วโมง การเผา และผลของอัลโด๊ปในโครงสร้างจุลภาคและสมบัติไดอิเล็กทริก คือ ส่วนใหญ่ เครื่อง X-ray diffraction ( XRD ) และกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( SEM ) พบว่าปฏิกิริยาที่เกิดขึ้น znal2o4 อัลและซิงค์ออกไซด์นาโน เม็ดตะกอนในขอบเขต จำนวนเล็ก ๆของ znal2o4 นาโนตะกอน ( เช่น < 1 mol % ) เพิ่มการเจริญเติบโตของเมล็ดข้าวของ ZnO , ในขณะที่ยอดใหญ่ยับยั้งเม็ดโต การวิเคราะห์ความต้านทาน AC พบว่า การลดความต้านทานของอัลซิงค์ออกไซด์เซรามิกส์ didlectric ศึกษาพบว่า การรวมตัวของอัลใน ZnO อย่างมีนัยสำคัญสามารถเพิ่มฉนวน ( 1.39x104 คงที่ที่ 1 kHz ) ของซิงค์ออกไซด์เซรามิกส์ และสามารถอธิบายพฤติกรรมการโดยแมกซ์เวลล์ วากเนอร์ ผ่อนคลาย