We report the growth of ZnO nanowir

We report the growth of ZnO nanowires on ZnO:Ga/glass templates and the fabrication of laterally grown ZnO nanowire ethanol sensors. It was
found that growth direction of the nanowires depends strongly on growth parameters. It was also found that resistivity of the fabricated sensor
decreased upon ethanol gas injection. By introducing 1500 ppm ethanol gas, it was found that the device response were around 20%, 35%, 58% and
61% when the gas sensor was operated at 180 ◦C, 230 ◦C, 260 ◦C and 300 ◦C, respectively. It was also found that the device response at 300 ◦C were
around 18%, 26%, 43%, 55% and 61% when the concentration of injected ethanol gas was 50 ppm, 100 ppm, 500 ppm, 1000 ppm and 1500 ppm,
respectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เรารายงานการเติบโตของ ZnO nanowires ZnO:Ga / แก้วแม่แบบและการผลิตเซนเซอร์เอทานอล nanowire ZnO ปลูกแบบแนวนอน มันเป็นพบว่า ทิศทางการเติบโตของ nanowires นี้อย่างยิ่งขึ้นอยู่กับพารามิเตอร์ที่เจริญเติบโต นอกจากนี้ยังพบว่าความต้านทานของเซ็นเซอร์ประดิษฐ์ลดลงเมื่อฉีดก๊าซเอทานอล โดยการนำก๊าซเอทานอล 1500 ppm พบว่า การตอบสนองอุปกรณ์ได้ประมาณ 20%, 35%, 58% และ61% เมื่อก๊าซเซนเซอร์ดำเนินที่ 180 ◦C, 230 ◦C, 260 ◦C และ 300 ◦C ตามลำดับ นอกจากนี้ยังพบว่า มีการตอบสนองของอุปกรณ์ที่ 300 ◦Cประมาณ 18%, 26%, 43%, 55% และ 61% เมื่อฉีดความเข้มข้นของ เอทานอลก๊าซก็ 50 ppm, 100 ppm, 500 ppm, 1000 ppm และ 1500 ppmตามลาดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เรารายงานการเจริญเติบโตของเส้นลวดนาโนซิงค์ออกไซด์ใน ZnO: แม่ Ga / แก้วและการผลิตที่ปลูกขวาง ZnO เซ็นเซอร์เส้นลวดนาโนเอทานอล มันถูก
พบว่าทิศทางการเจริญเติบโตของเส้นลวดนาโนขึ้นอย่างมากในการเจริญเติบโต นอกจากนี้ยังพบว่าความต้านทานของเซ็นเซอร์ประดิษฐ์
ลดลงเมื่อฉีดก๊าซเอทานอล โดยการแนะนำ 1,500 ppm ก๊าซเอทานอลก็พบว่าการตอบสนองอุปกรณ์ที่มีประมาณ 20%, 35%, 58% และ
61% เมื่อแก๊สเซ็นเซอร์ได้รับการดำเนินการใน 180 ◦C 230 ◦C 260 ◦Cและ 300 ◦C, ตามลำดับ นอกจากนี้ยังพบว่าการตอบสนองอุปกรณ์ที่ 300 ◦Cเป็น
ประมาณ 18%, 26%, 43%, 55% และ 61% เมื่อความเข้มข้นของก๊าซเอทานอลที่ฉีดเป็น 50 ppm, 100 ppm, 500 ppm 1000 ppm และ 1,500 ppm ,
ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เรารายงานการเจริญเติบโตของซิงค์ออกไซด์นาโนซิงค์ออกไซด์ใน GA / แก้วแม่แบบและการปลูกขวาง ZnO nanowire เอทานอลเซนเซอร์ มันคือพบว่า ทิศทางการเติบโตของนาโนที่ยังขึ้นอยู่กับค่าพารามิเตอร์การเติบโต นอกจากนี้ยังพบว่าค่าความต้านทานของเซ็นเซอร์ ประดิษฐ์ลดลงเมื่อฉีดก๊าซเอทานอล โดยการแนะนำ 1500 ppm ก๊าซเอทานอล พบว่าอุปกรณ์ที่ตอบสนองได้ประมาณ 20 % , 35% , 58 และ61% เมื่อก๊าซเซ็นเซอร์ ดำเนินการที่ 180 ◦ C 230 ◦ C , 260 ◦ C 300 ◦องศาเซลเซียส ตามลำดับ นอกจากนี้ยังพบว่าอุปกรณ์การตอบสนองที่ 300 ◦ C คือประมาณ 18 % , 26% , 43 % 55% และ 61% เมื่อความเข้มข้นของแก๊สฉีดเอทานอลที่ความเข้มข้น 50 , 100 ppm , 500 ppm , 1000 ppm และ 1 , 500 ส่วนในล้านส่วนตามลำดับ