The small-grain structure is due to

The small-grain structure is due to morphological changes of the surface in the course of high-temperature annealing.


Moreover,decomposition of SiC is not a self-limiting process and,

as a result,regions of different film thicknesses coexist,


as shown by low-energy electron microscopy(LEEM).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โครงสร้างขนาดเล็กเมล็ดเนื่องจากการเปลี่ยนแปลงสัณฐานของพื้นผิวในหลักสูตรการอบเหนียวอุณหภูมิสูงได้ นอกจากนี้ เน่าของ SiC ไม่จำกัดตนเองกระบวนการ และ ดัง ขอบเขตของความหนาของฟิล์มแตกต่างกันมีอยู่ แสดง โดยอิเล็กตรอนพลังงานต่ำ microscopy(LEEM)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โครงสร้างขนาดเล็กเม็ดเกิดจากการเปลี่ยนแปลงทางสัณฐานวิทยาของพื้นผิวในหลักสูตรของการหลอมอุณหภูมิสูง. นอกจากนี้ยังมีการสลายตัวของ SiC ไม่ได้เป็นกระบวนการตนเอง จำกัด และเป็นผลให้ภูมิภาคของภาพยนตร์ที่แตกต่างกันความหนาอยู่ร่วมกันที่แสดงโดยพลังงานต่ำกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (LEEM)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โครงสร้างเม็ดมีขนาดเล็ก เนื่องจากมีการเปลี่ยนแปลงทางสัณฐานวิทยาของพื้นผิวในหลักสูตรของอุณหภูมิการอบ .


นอกจากนี้การสลายตัวของ SIC ไม่ใช่ตนเอง จำกัด กระบวนการและ

ผล ภูมิภาคของความหนาฟิล์มต่างๆอยู่ร่วมกัน


ตามที่แสดง โดยใช้กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (

leem )