silicon surfaces and compared the t

silicon surfaces and compared the total and quantum efficiency
with solar cells made with other texturing techniques that were
discussed in the previous section. The silicon nanowire (Si nw)
technique has also been included, which is similar to the porous
silicon surface. The height of nanowires here are about 3–4 mm
compared to the 300 nm tall nanowires for the porous silicon
case. The photovoltaic device parameters for the four different
types of solar cells are summarized in Table 2. All the devices in
Table 2 have similar emitter doping concentrations, surface
passivation layers and alloyed aluminum back surface field to
ensure a fair comparison.
The device with a chemically textured surface and SiNx as the
ARC is used to benchmark solar cells with other surface texturing
schemes. It is evident from Table 1 that the ultrafast laser
texturing scheme results in the highest short-circuit current
density of 39.2 mA/cm2 and is a clear indication of superior light
trapping. However, the device displays a conversion efficiency of
over 14% due to a lower open-circuit voltage. We believe that
proper optimization of surface dopant concentration, removal of
laser-induced defects and a better surface passivation layer will
improve the Voc. The silicon nanowire scheme also shows a very
promising current density value with a conversion efficiency of
13.7%. The porous silicon solar cell reported by NREL shows the
best conversion efficiency of around 16.8% and a short-circuit
current density of 34.1 mA/cm2. The question now arises as to
why there is a significant variation in the short-circuit current
density among the different surface texturing schemes even
though all of them have reflection losses below 5–6%. Hence, in
order to gain a further insight on the impact of surface texturing

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พื้นผิวซิลิกอนและเมื่อเทียบ
ประสิทธิภาพทั้งหมดและควอนตัมกับเซลล์แสงอาทิตย์ที่ทำด้วยเทคนิคพื้นผิวอื่น ๆ ที่มี
กล่าวถึงในส่วนก่อนหน้านี้ เส้นลวดนาโนซิลิกอน (Si NW) เทคนิค
ได้รับยังรวมถึงการที่มีความคล้ายคลึงกับพื้นผิวที่มีรูพรุนซิลิคอน
ความสูงของเส้นลวดนาโนที่นี่ประมาณ 3-4 มิลลิเมตร
เทียบกับ 300 นาโนเมตรสูงเส้นลวดนาโนซิลิกอนรูพรุนกรณี
พารามิเตอร์อุปกรณ์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์สำหรับสี่ประเภทที่แตกต่างกัน
จากเซลล์แสงอาทิตย์ได้สรุปไว้ในตารางที่ 2 อุปกรณ์ทั้งหมดในตาราง
2 มีความเข้มข้นที่คล้ายกันอีซีแอลยาสลบผิว
ชั้นทู่และอลูมิเนียมกลับพื้นผิวสนามอัลลอยด์เพื่อให้มั่นใจว่า
เปรียบเทียบยุติธรรม.
อุปกรณ์ที่มีพื้นผิวพื้นผิวทางเคมีและ sinx เป็น
โค้งจะใช้ในการเซลล์แสงอาทิตย์มาตรฐานที่มีพื้นผิวพื้นผิวรูปแบบอื่น ๆ
มันจะเห็นได้จากตารางที่ 1 ที่เร็วมากเลเซอร์
พื้นผิวผลโครงการในความหนาแน่นที่สูงที่สุด
ลัดวงจรปัจจุบันของ 39.2 ma/cm2 และเป็นข้อบ่งชี้ที่ชัดเจนของแสงที่เหนือกว่าดัก
แต่อุปกรณ์ที่จะแสดงประสิทธิภาพการแปลงจาก
กว่า 14% เนื่องจากแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิดที่ต่ำกว่า เราเชื่อว่า
การเพิ่มประสิทธิภาพที่เหมาะสมของความเข้มข้นของสารเจือปนพื้นผิวการกำจัดของเลเซอร์
ข้อบกพร่องที่เกิดขึ้นและพื้นผิวชั้นดีทู่
จะปรับปรุง VOC เส้นลวดนาโนซิลิกอนโครงการยังแสดงให้เห็นมาก
ค่าความหนาแน่นที่มีแนวโน้มในปัจจุบันที่มีประสิทธิภาพการแปลงจาก 13.7%
ซิลิกอนเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีรูพรุนที่รายงานโดย NREL แสดงให้เห็นถึงประสิทธิภาพการแปลงที่ดีที่สุด
ประมาณ 16.8% และไฟฟ้าลัดวงจร-
ความหนาแน่นกระแสจาก 34.1 ma/cm2 คำถามที่เกิดขึ้นในขณะนี้เป็นไปได้
เหตุผลที่มีการเปลี่ยนแปลงอย่างมีนัยสำคัญในความหนาแน่น
ลัดวงจรปัจจุบันในหมู่รูปแบบที่แตกต่างกันพื้นผิวพื้นผิวแม้
แม้ว่าทั้งหมดของพวกเขามีการสูญเสียการสะท้อนต่ำกว่า 5-6% ด้วยเหตุนี้ในการสั่งซื้อ
จะได้รับข้อมูลเชิงลึกเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลกระทบของพื้นผิวพื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิลิคอนจัดการ และเปรียบเทียบประสิทธิภาพรวมและควอนตัม
ทำกันเซลล์แสงอาทิตย์พื้นผิวเทคนิคที่
กล่าวถึงในส่วนก่อนหน้านี้ Nanowire ซิลิคอน (Si nw)
เทคนิคยังได้รวม ซึ่งมีลักษณะคล้ายกับที่ porous
ผิวซิลิคอน ความสูงของ nanowires นี่กำลัง 3-4 mm
เมื่อเทียบกับ 300 nm สูง nanowires สำหรับซิลิคอน porous
กรณี พารามิเตอร์อุปกรณ์แผงเซลล์แสงอาทิตย์สำหรับสี่แตกต่าง
ชนิดของเซลล์แสงอาทิตย์ได้สรุปไว้ในตารางที่ 2 อุปกรณ์ทั้งหมดใน
2 ตารางมีตัวส่งคล้ายโดปปิงค์ความเข้มข้น ผิว
passivation ชั้นและฟิลด์กลับผิวอลูมิเนียม alloyed กับ
ความยุติธรรมเปรียบเทียบได้
อุปกรณ์สารเคมีพื้นผิวและ SiNx เป็นการ
ARC ใช้เปรียบเซลล์แสงอาทิตย์กับพื้นผิวอื่น ๆ ผิว
แผนการ จะเห็นได้จากตารางที่ 1 ที่เลเซอร์ ultrafast
texturing โครงร่างผลลัพธ์สูงสุดในปัจจุบันที่ลัดวงจร
ความหนาแน่นของ mA 39.2 cm2 และข้อบ่งชี้ชัดเจนของแสงเหนือกว่า
ดัก อย่างไรก็ตาม อุปกรณ์แสดงประสิทธิภาพแปลง
กว่า 14% เนื่องจากแรงดันไฟฟ้าวงจรเปิดล่าง เราเชื่อว่า
เพิ่มประสิทธิภาพที่เหมาะสมของ dopant ผิวเข้มข้น เอา
passivation ผิวที่ดีและข้อบกพร่องที่เกิดจากเลเซอร์ชั้นจะ
Voc. การปรับปรุง แสดงโครงร่าง nanowire ซิลิคอนมีมาก
สัญญา of
13.7% ประสิทธิภาพการแปลงค่าความหนาแน่นของกระแส เซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอน porous รายงาน NREL แสดง
สุดประสิทธิภาพแปลงประมาณ 16.8% และแบบ short-circuit
ปัจจุบันที่ความหนาแน่นของ mA 34.1 cm2 คำถามนี้เกิดขึ้นเป็นการ
ทำไมมีการเปลี่ยนแปลงที่สำคัญในการลัดวงจรปัจจุบัน
ความหนาแน่นระหว่างผิวที่แตกต่างพื้นผิวโครงร่างแม้
แม้ว่าพวกเขาทั้งหมดได้สะท้อนการขาดทุนต่ำกว่า 5-6% ดังนั้น ใน
สั่งเข้าใจเพิ่มเติมเกี่ยวกับผลกระทบของพื้นผิวพื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พื้นผิวซิลิกอนและเมื่อเทียบกับยอดรวมที่มี ประสิทธิภาพ และควอนตัม
กับเซลล์แสงอาทิตย์ทำด้วยเทคนิค texturing อื่นๆที่มีหยิบยกขึ้นมาพูดถึง
ซึ่งจะช่วยในส่วนก่อนหน้าที่ ซิลิโคน nanowire (ไมล์ด้านทิศตะวันตกเฉียงเหนือศรี)
เทคนิคที่ได้รับการรวมไว้ซึ่งมีความคล้ายคลึงกับพื้นผิว
ซิลิกอนที่มีรูพรุนที่ยัง ความสูงของ nanowires ที่นี่มีเกี่ยวกับ 3-4 3-4 3-4 มม.
เมื่อเทียบกับ 300 กรณี nanowires สำหรับซิลิกอนที่มีรูพรุนที่
สูง nmพารามิเตอร์ของอุปกรณ์ Solar ที่แตกต่างกันสำหรับผู้ใช้บริการสี่
ประเภท ของเซลล์แสงอาทิตย์มีสาระสำคัญในตารางที่ 2 อุปกรณ์ทั้งหมดใน
ตารางที่ 2 มีความเหมือน Consumer doping ความเข้มข้น,พื้นผิว
passivation ชั้นและ alloyed อะลูมิเนียมกลับพื้นผิวฟิลด์เพื่อ
ซึ่งจะช่วยให้ความมั่นใจว่างานการเปรียบเทียบ.
ที่อุปกรณ์ด้วยเคมีพื้นผิวบนพื้นผิวและ sinx เป็น
ARC ใช้เซลล์แสงอาทิตย์ในการวัด ประสิทธิภาพ ด้วยพื้นผิวอื่นๆ texturing
โครงสร้าง มันมีหลักฐานจากตารางที่ 1 ที่ ultrafast เลเซอร์
texturing โครงสร้างผลในระดับสูงสุดเพื่อไปถึงได้ไม่ไกลนัก - วงจรปัจจุบัน
ความหนาแน่นของ 39.2 mA /ซม. 2 และเป็นที่ชัดเจนการแสดงของแสงที่ยอดเยี่ยม
จับบอล. อย่างไรก็ตามอุปกรณ์จะแสดง ประสิทธิภาพ การแปลงของ
ซึ่งจะช่วยมากกว่า 14% เนื่องจากการระดับแรงดันไฟฟ้าที่ต่ำแบบเปิดโล่งแผงวงจร เราเชื่อว่า
ตามมาตรฐานการปรับแต่ง ประสิทธิภาพ ที่เหมาะสมของพื้นที่การ dopant สมาธิของข้อบกพร่อง
เลเซอร์ - ก่อขึ้นและชั้น passivation พื้นผิวได้ดียิ่งขึ้นที่จะ
ซึ่งจะช่วยเพิ่มสารระเหยอินทรีย์( VOC )ได้ โครงสร้าง nanowire ซิลิกอนยังแสดงเป็นอย่างมากนักเตะดาวรุ่งอนาคตไกล
ซึ่งจะช่วยมอบความคุ้มค่าความหนาแน่นในปัจจุบันมี ประสิทธิภาพ การแปลงของ
13.7% โซลาร์เซลล์ที่มีรูพรุนซิลิกอนซึ่งรายงานโดย nrel แสดง ประสิทธิภาพ การแปลง
ที่ดีที่สุดที่มีอยู่ประมาณ 16.8% และการลัดวงจรที่
ในปัจจุบันความหนาแน่นของ 34.1 mA / cm 2 . คำถามที่เกิดขึ้นในขณะนี้เป็น
ทำไมมีที่มีความสำคัญยิ่งในการเปลี่ยนแปลงที่ไฟฟ้าลัดวงจรปัจจุบัน
ความหนาแน่นในกลุ่มที่แตกต่างกันบนพื้นผิว texturing แผนร่างการทำงาน( Schemes )แม้
แม้จะมีผลสะท้อนความสูญเสียด้านล่าง 5 - 6% . ดังนั้นในการสั่งซื้อ
ซึ่งจะช่วยให้ได้รับความรู้ความเข้าใจอีกแห่งอยู่ที่ผลกระทบของ texturing พื้นผิว