3.6. Tunneling mechanismFrom the cu

3.6. Tunneling mechanism
From the current-voltage characteristics, we have observed
that the turn-on voltage of the LEDs that depended on the active
nanoparticles could be related to the bandgap of the AIZS
nanoparticles. As we tuned the bandgap of the nanoparticles by
decreasing the ratio of the content of silver and zinc, M[Ag]/M[Zn],
the band-edges may shift with an increase in the bandgap. In a
device based on such nanoparticles, this would mean a change in
internal barriers for the carriers.
Considering the fact that holes contribute to device current in
these LEDs, the barrier for hole injection from the electrode can
be determined from the current–voltage characteristics. With
the current in the devices being injection limited, the tunnelingcurrent can be described as
J ¼ ðAβ2E2=φÞexpðBφ3=2=βEÞ
Here, A and B are constants, β the field-enhancement factor, E the
electric field, and φ the barrier height. The equation reduces to ln
(J/E2
)p1/E with a factor of φ3/2 being the proportionality constant.
Plots of ln(J/E2
) versus 1/E (Fowler–Nordheim plots) for the LEDs
have been presented in Fig

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.6 กลไกการทันเนลจากลักษณะแรงดันไฟฟ้าปัจจุบัน เราได้สังเกตเห็นที่แรงดันเปิดไฟ Led ที่ขึ้นอยู่กับการใช้งานอาจเกี่ยวข้องกับ bandgap ของ AIZS การเก็บกักเก็บกัก ตามที่เราปรับ bandgap เก็บกักโดยลดอัตราส่วนของเงินและสังกะสี, / m M [Ag] [Zn],ขอบวงอาจเปลี่ยนการเพิ่มขึ้น bandgap ในการอุปกรณ์ตามเก็บกักเช่น นี้จะหมายถึง การเปลี่ยนแปลงในอุปสรรคภายในสำหรับผู้ให้บริการพิจารณาความจริงที่หลุมที่อุปกรณ์ในปัจจุบันอุปสรรคสำหรับการฉีดหลุมจากอิเล็กโทรดไฟ Led เหล่านี้ สามารถถูกกำหนดจากลักษณะกระแสแรงดันไฟฟ้า มีปัจจุบันอุปกรณ์การฉีดจำกัด tunnelingcurrent สามารถจะอธิบายเป็นJ ¼ ðAβ2E2 = φÞexpð Bφ3 = 2 = βEÞที่นี่ A และ B เป็นค่าคงที่ คูณβปรับปรุงฟิลด์ที่ Eสนามไฟฟ้า และφความสูงกำแพง สมการลด ln(J/E2) p1/E ด้วยตัวของ φ3/2 เป็นค่าคงสัดส่วนวางของ ln(J/E2) กับ 1/E (ฟาวเลอร์-Nordheim แปลง) สำหรับไฟ Ledมีการนำเสนอในรูป

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.6 กลไกการขุดอุโมงค์
จากลักษณะปัจจุบันแรงดันที่เราได้ตั้งข้อสังเกต
ว่าแรงดันไฟฟ้าที่เปิดเครื่องขึ้นของ LED ที่ขึ้นอยู่กับการใช้งาน
อนุภาคนาโนที่อาจจะเกี่ยวข้องกับ bandgap ของ AIZS
อนุภาคนาโน ในฐานะที่เราปรับ bandgap ของอนุภาคนาโนโดย
การลดอัตราส่วนของปริมาณเงินและสังกะสี, M [Ag] / M [Zn]
วงขอบอาจเปลี่ยนกับการเพิ่มขึ้น bandgap ใน
อุปกรณ์บนพื้นฐานของอนุภาคนาโนดังกล่าวนี้จะหมายถึงการเปลี่ยนแปลงใน
อุปสรรคภายในสำหรับผู้ให้บริการ.
พิจารณาข้อเท็จจริงที่ว่าหลุมมีส่วนร่วมกับอุปกรณ์ในปัจจุบัน
ไฟ LED เหล่านี้อุปสรรคสำหรับการฉีดหลุมจากอิเล็กโทรดสามารถ
ได้รับการพิจารณาจากลักษณะปัจจุบันแรงดัน . ด้วย
ปัจจุบันในอุปกรณ์ที่มีการฉีด จำกัด tunnelingcurrent สามารถอธิบายเป็น
J ¼ðAβ2E2 = φÞexpð? Bφ3 = 2 = βEÞ
นี่ A และ B มีค่าคงที่βปัจจัยสนามเพิ่มประสิทธิภาพอี
สนามไฟฟ้าและφ ความสูงอุปสรรค สมการลด LN
(J / E2
) P1 / E กับปัจจัยφ3 / 2 เป็นค่าคงสัดส่วนได้.
แปลง LN (J / E2
) เมื่อเทียบกับ 1 / E (ฟาวเลอร์-Nordheim แปลง) สำหรับไฟ LED
ได้รับการนำเสนอใน มะเดื่อ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.6 กลไกการจากลักษณะแรงดันไฟฟ้าในปัจจุบัน เราได้ตรวจสอบว่าเปิด แรงดันของไฟ LED ที่ขึ้นอยู่กับงานอนุภาคนาโนอาจจะเกี่ยวข้องกับ bandgap ของ aizsอนุภาค ในขณะที่เราปรับ bandgap ของอนุภาคการลดอัตราส่วนของปริมาณเงินและสังกะสี , M [ AG ] / m [ ธาตุ ]ขอบวงอาจจะมีการปรับเพิ่มขึ้นใน bandgap . ในอุปกรณ์ยึด เช่น อนุภาคนาโนนี้จะหมายถึงการเปลี่ยนแปลงในอุปสรรคภายในสำหรับผู้ให้บริการพิจารณาข้อเท็จจริงที่ว่าหลุมสนับสนุนอุปกรณ์ปัจจุบันไฟ LED เหล่านี้ อุปสรรคสำหรับการฉีดหลุมจากขั้วไฟฟ้าสามารถได้รับการพิจารณาจากกระแสและแรงดันของ กับปัจจุบัน ในอุปกรณ์ที่ถูกฉีด จํากัด , tunnelingcurrent สามารถอธิบายเป็นเจ¼ðบีตา 2e2 = φÞ EXP ð B φ 3 = 2 = E Þบีตาที่นี่ ให้ a และ b เป็นค่าคงที่บีตาด้านปัจจัยเสริม Eสนามไฟฟ้า และφกั้นความสูง สมการลดให้ใน( J / E2) P1 / E กับปัจจัยφ 3 / 2 มีสัดส่วนคงที่แปลง ( J / E2 ใน) เมื่อเทียบกับ 1 / E ( ฟาวเลอร์ ) nordheim แปลง ) สำหรับไฟ LEDได้ถูกนำเสนอในรูป