Here, SLS mechanism catalyzed growt

Here, SLS mechanism catalyzed growth of nanowires is used
to create an additional control over the resulting morphology
from thermal decomposition of metal bis(diethylthiocarbamate)s
on substrates. Use of SLS nanowire formation from a thermally
evaporated catalyst layer has been demonstrated previously to
form nanowires directly on substrates.26 First we evaporate
a chromium sticking layer (2 nm) followed by a bismuth catalyst
thin film (12 nm) via thermal evaporation onto silicon substrates.
Then thermal decomposition of either Cu(II)[S2CNC4H10]2 or
Pb(II)[S2CNC4H10]2 in the presence of the melted Bi catalyst
results in the 1-D growth of Cu2S and PbS nanowires respectively

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่นี่ ใช้ SLS กลไกกระบวนการเจริญเติบโตของ nanowiresการสร้างการควบคุมสัณฐานวิทยาได้จากความร้อนเน่าของ s bis โลหะ (diethylthiocarbamate)บนพื้นผิว ใช้ SLS nanowire ก่อจากการแพชั้นเศษหายไปได้ถูกแสดงก่อนหน้านี้ให้ฟอร์ม nanowires บน substrates.26 ก่อนเราระเหยโครเมียมติดชั้น (2 nm) ตาม ด้วยเศษบิสมัทฟิล์มบาง (12 nm) ผ่านการระเหยความร้อนบนพื้นผิวซิลิกอนที่เน่าแล้วความร้อนของ Cu(II) ใด [S2CNC4H10] 2 หรือPb(II) [S2CNC4H10] 2 ในต่อหน้าของเศษ Bi หลอมผลเจริญเติบโต 1-D ของ nanowires Cu2S และ PbS ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นี่คือกลไก SLS เร่งการเจริญเติบโตของ nanowires ถูกนำมาใช้
เพื่อสร้างการควบคุมเพิ่มเติมผ่านทางสัณฐานวิทยาที่เกิด
จากการสลายตัวทางความร้อนของทวิโลหะ (diethylthiocarbamate) s
บนพื้นผิว การใช้การก่อตัว SLS เส้นลวดนาโนจากความร้อน
ชั้นตัวเร่งปฏิกิริยาระเหยได้แสดงให้เห็นก่อนหน้านี้
ในรูปแบบ nanowires โดยตรงบน substrates.26 แรกที่เราระเหย
ชั้นติดโครเมียม (2 นาโนเมตร) ตามด้วยตัวเร่งปฏิกิริยาบิสมัท
ฟิล์มบาง (12 นาโนเมตร) ผ่านการระเหยความร้อนลงบนซิลิกอน พื้นผิว.
แล้วสลายตัวทางความร้อนของทั้ง Cu (II) [S2CNC4H10] 2 หรือ
ตะกั่ว (II) [S2CNC4H10] 2 ในการปรากฏตัวของตัวเร่งปฏิกิริยาละลาย Bi
ผลในการเจริญเติบโต 1-D ของ Cu2S และพีบีเอส nanowires ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่นี่ , SLS กลไกเร่งการเจริญเติบโตของนาโนที่ใช้
เพื่อสร้างเพิ่มเติมการควบคุมที่เกิดจากการสลายตัวทางความร้อนของสัณฐานวิทยา
ทวิโลหะ ( diethylthiocarbamate ) S
บนพื้นผิว . ใช้รูปแบบ nanowire SLS จากแช
ระเหยชั้นตัวเร่งปฏิกิริยาถูกแสดงโดยตรงในรูปแบบนาโนก่อนหน้านี้


substrates.26 แรกเราระเหยโครเมียมติดชั้น 2 nm ) ตามด้วยตัวเร่งปฏิกิริยา
ฟิล์มบิสมัท ( 12 nm ) ผ่านการระเหยความร้อนบนพื้นผิวซิลิกอน .
แล้วความร้อนการสลายตัวของ Cu ( II ) [ s2cnc4h10 ] 2
Pb ( II ) [ s2cnc4h10 ] 2 ต่อหน้าละลายตัวเร่งปฏิกิริยา
ผลลัพธ์ในการบิ ภายในของ cu2s และ PBS นาโนตามลำดับ