Schottky barriers have rectifying c

Schottky barriers have rectifying characteristics, suitable for use as a diode. One of the primary characteristics of a Schottky barrier is the Schottky barrier height, denoted by ΦB (see figure). The value of ΦB depends on the combination of metal and semiconductor.[1]

Not all metal–semiconductor junctions form a rectifying Schottky barrier; a metal–semiconductor junction that conducts current in both directions without rectification, perhaps due to its Schottky barrier being too low, is called an ohmic contact.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อุปสรรค Schottky มี rectifying ลักษณะ เหมาะสำหรับใช้เป็นไดโอดมี ลักษณะหลักของอุปสรรค Schottky เป็นความสูงกำแพง Schottky สามารถบุ โดย ΦB (ดูรูป) ค่าของ ΦB ขึ้นอยู่กับการรวมกันของโลหะและสารกึ่งตัวนำ [1]Junctions โลหะ – สารกึ่งตัวนำที่ไม่เป็นอุปสรรค Schottky rectifying เชื่อมต่อโลหะ – สารกึ่งตัวนำที่ทำปัจจุบันในทั้งสองทิศทางโดยไม่กำหนด อาจเนื่องจากเป็น Schottky สิ่งกีดขวางต่ำเกินไป เรียกว่าการติดต่อแบบโอห์มมิค

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ปัญหาและอุปสรรคที่มีลักษณะกีกลั่น, เหมาะสำหรับใช้เป็นไดโอด หนึ่งในลักษณะหลักของอุปสรรคกีเป็นความสูงอุปสรรคกีที่แสดงโดยΦB (ดูรูป) ค่าของΦBขึ้นอยู่กับการรวมกันของโลหะและเซมิคอนดักเตอร์ [1]. ทั้งหมดไม่แยกโลหะในรูปแบบเซมิคอนดักเตอร์อุปสรรคกีกลั่น; แยกโลหะสารกึ่งตัวนำที่ดำเนินการในปัจจุบันทั้งสองทิศทางโดยไม่มีการแก้ไขอาจจะเป็นเพราะอุปสรรคกีที่ถูกต่ำเกินไปเรียกว่าการติดต่อ ohmic

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อุปสรรคท์ได้แก้ไขคุณลักษณะ เหมาะสำหรับใช้เป็นไดโอด หนึ่งในลักษณะหลักของอุปสรรคท์คือความสูงเป็นอุปสรรคท์เขียนแทนด้วยΦ B ( ดูรูป ) คุณค่าของΦ B ขึ้นอยู่กับการรวมกันของโลหะและสารกึ่งตัวนำ [ 1 ]

ไม่ทั้งหมด junctions และสารกึ่งตัวนำโลหะรูปแบบแก้ไขอุปสรรคท์ ;โลหะ - สารกึ่งตัวนำชุมทางที่ดำเนินการในปัจจุบันในทั้งสองทิศทาง โดยไม่มีสาเหตุ อาจจะเกิดจากการกั้นการท์ต่ำเกินไป เรียกว่าการติดต่อค่า .