. IntroductionThe fabrication, char

. Introduction
The fabrication, characterization and manipulation of nanosystems—systems that have features or characteristic lengths between 1 and 100 nm—brings together physics, chemistry, materials science and biology in an unprecedented way [1]. Phenomena occurring in such systems are fundamental to the workings of semiconductor devices, but also to living organisms. The ability to fabricate nanostructures is essential in the further development of functional devices that incorporate nanoscale features. Even more essential is the ability to introduce a wide range of chemical and materials flexibility into these structures to build up more complex nanostructures that can ultimately rival biological nanosystems. In this respect, polymers are potentially ideal nanoscale building blocks because of their length scale, well-defined architecture, controlled synthesis, ease of processing and wide range of chemical functionality that can be incorporated. Fabricating nanostructures using conventional projection photolithographic techniques is not (yet) possible, but the use of ever decreasing exposure wavelengths does push their limits into the ∼120 nm size range. New polymer chemistry has led to chemically amplified resists [2] and the incorporation fluorine into polymers has lead to the development of new resists for 157 nm UV lithography [3]. There are also very encouraging results suggesting that the so-called 100-nm barrier may eventually be overcome using photolithography [4]. Substantially smaller features are routinely produced with e-beam and focused ion beam lithography. In e-beam lithography, a tightly focused beam of high-energy electrons is used to pattern a layer of electron-sensitive polymer, mostly poly(methyl methacrylate) (PMMA) [5]. The resolution limit of e-beam lithography is based on intermolecular forces between unexposed walls and exposed polymer resist molecules which prevents the exposed molecules from being dissolved in the developer solution [6]. Ultimately, the resolution limit is determined by the radius of gyration of the exposed polymers in the developer solvent, but linewidths smaller than 5 nm have been achieved [7] and [8]. E-beam lithography is not yet suitable as a tool for mass production of nanostructures as it is a slow and sequential process. Hence, non-photolithographic methods could provide technologically simpler and cheaper nanofabrication routes. In this review we will look at a number of promising polymer-based nanofabrication strategies that have been developed recently, with an emphasis on those techniques that incorporate nanostructured polymers into devices and that exploit intrinsic polymer properties.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

. บทนำ
การประดิษฐ์ตัวละครและการจัดการของ nanosystems ระบบที่มีคุณสมบัติหรือลักษณะความยาวระหว่างวันที่ 1 และ 100 นาโนเมตรรวบรวมฟิสิกส์, เคมี, วัสดุศาสตร์และชีววิทยาในทางประวัติการณ์ [1] ปรากฏการณ์ที่เกิดขึ้นในระบบดังกล่าวเป็นพื้นฐานของการทำงานของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ แต่ยังรวมถึงสิ่งมีชีวิต ความสามารถในการสร้างโครงสร้างนาโนเป็นสิ่งสำคัญในการพัฒนาต่อไปของอุปกรณ์การทำงานที่รวมคุณสมบัติระดับนาโน แม้กระทั่งที่สำคัญมากขึ้นคือความสามารถที่จะแนะนำที่หลากหลายของความยืดหยุ่นทางเคมีและวัสดุที่เป็นโครงสร้างเหล่านี้จะสร้างขึ้นโครงสร้างนาโนที่ซับซ้อนมากขึ้นที่สามารถ nanosystems ชีวภาพคู่แข่งในท้ายที่สุด ในแง่นี้เป็นโพลีเมอนาโนเหมาะอาจสร้างบล็อคเพราะขนาดความยาวของพวกเขาสถาปัตยกรรมที่ดีที่กำหนดควบคุมการสังเคราะห์ความสะดวกในการประมวลผลและการที่หลากหลายของการทำงานของสารเคมีที่สามารถรวม การประดิษฐ์โครงสร้างนาโนโดยใช้เทคนิค photolithographic ประมาณการเดิมไม่ได้ (ยัง) เป็นไปได้ แต่การใช้ที่เคยลดลงความยาวคลื่นการสัมผัสไม่ผลักดันข้อ จำกัด ของพวกเขาใน ~120 นาโนเมตรช่วงขนาด เคมีพอลิเมอใหม่ได้นำไปสู่การต่อต้านการขยายทางเคมี [2] และฟลูออรีนการรวมตัวกันเป็นโพลีเมอได้นำไปสู่การพัฒนาของต่อต้านใหม่สำหรับ 157 นาโนเมตรพิมพ์หินรังสียูวี [3] นอกจากนี้ยังมีผลอย่างมากให้กำลังใจบอกว่าที่เรียกว่าอุปสรรค 100 นาโนเมตรในที่สุดอาจจะเอาชนะโดยใช้ photolithography [4] อย่างมีนัยสำคัญคุณสมบัติขนาดเล็กที่มีการผลิตเป็นประจำกับ e-คานและมุ่งเน้นการพิมพ์หินลำแสงไอออน ในการพิมพ์หินอีคานคานเน้นแน่นของอิเล็กตรอนพลังงานสูงจะใช้ในรูปแบบชั้นของพอลิเมออิเล็กตรอนที่สำคัญส่วนใหญ่โพลี (อีพ๊อกซี่) (PMMA) [5] ขีด จำกัด ของความละเอียดของการพิมพ์หินอีลำแสงจะขึ้นอยู่กับแรงระหว่างโมเลกุลระหว่างผนังยังไม่ได้ถ่ายและโพลีเมอสัมผัสต่อต้านโมเลกุลซึ่งป้องกันไม่ให้โมเลกุลสัมผัสจากการถูกกลืนหายไปในการแก้ปัญหาการพัฒนา [6] ในท้ายที่สุดขีด จำกัด ความละเอียดจะถูกกำหนดโดยรัศมีของการหมุนของโพลีเมอสัมผัสในตัวทำละลายพัฒนา แต่ linewidths มีขนาดเล็กกว่า 5 นาโนเมตรได้รับการประสบความสำเร็จ [7] และ [8] พิมพ์หิน E-คานยังไม่เหมาะที่จะเป็นเครื่องมือสำหรับการผลิตมวลของโครงสร้างนาโนมันเป็นกระบวนการที่ช้าและต่อเนื่อง ดังนั้นวิธีการที่ไม่ใช่ photolithographic สามารถให้ง่ายและราคาถูกเทคโนโลยีเส้นทาง Nanofabrication ในการทบทวนนี้เราจะดูที่จำนวนของพอลิเมอตามแนวโน้มกลยุทธ์ Nanofabrication ที่ได้รับการพัฒนาเมื่อเร็ว ๆ นี้มีความสำคัญกับเทคนิคเหล่านั้นที่รวมโพลิเมอร์อิเล็กทรอนิคส์และเป็นอุปกรณ์ที่ใช้ประโยชน์จากคุณสมบัติลิเมอร์ที่แท้จริง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

. บทนำ
ผลิต วิเคราะห์ และจัดการ nanosystems ระบบที่มีคุณสมบัติหรือลักษณะความยาวระหว่าง 1 และ 100 nm มาด้วยกัน ฟิสิกส์ เคมี วัสดุศาสตร์ และชีววิทยาในวิธีประวัติการณ์ [ 1 ] ปรากฏการณ์ที่เกิดขึ้นในระบบดังกล่าวมีพื้นฐานการทำงานของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ แต่ยังมีสิ่งมีชีวิตความสามารถในการสร้างนาโนเป็นสิ่งจำเป็นในการพัฒนาต่อไปของการทำงานอุปกรณ์ที่รวมคุณสมบัตินาโนสเกล . ยิ่งสรุปคือความสามารถที่จะแนะนำหลากหลายของความยืดหยุ่นทางเคมีและวัสดุในโครงสร้างเหล่านี้เพื่อสร้างนาโนที่ซับซ้อนมากขึ้นที่สามารถสุดคู่แข่ง nanosystems ทางชีววิทยา ในส่วนนี้พอลิเมอร์จะซ่อนเร้นดีเยี่ยม nanoscale อาคารบล็อกเพราะขนาด ความยาวของ สถาปัตยกรรม ซึ่งจะควบคุมการสังเคราะห์ ความสะดวกในการประมวลผลที่หลากหลายของสารเคมีและฟังก์ชันการทำงานที่สามารถถูกรวม . นาโนโดยใช้เทคนิค fabricating ฉายปกติ photolithographic ไม่ ( ยัง ) เป็นไปได้แต่การใช้แสงความยาวคลื่นที่ไม่เคยลดดันขีดจํากัดของพวกเขาเป็น∼ 120 nm ขนาดช่วง เคมีใหม่ทำให้เคมีขยายต่อต้าน [ 2 ] และการประสานฟลูออรีนเป็นโพลิเมอร์ได้นำไปสู่การพัฒนาใหม่ต่อต้าน 157 nm ยูวีภาพยนตร์จีน [ 3 ]มีการแนะนำว่าให้เรียกว่า 100 nm อุปสรรคในที่สุดก็อาจจะเอาชนะโดยใช้ 43 [ 4 ] คุณสมบัติขนาดเล็กมากตรวจผลิตด้วย e-beam และมุ่งเน้นภายในลำแสงไอออน ใน e-beam ำงานให้โฟกัสลำแสงอิเล็กตรอนพลังงานสูงเพิ่มขึ้น จะใช้รูปแบบชั้นของอิเล็กตรอน โพลีเมอร์ อ่อนไหวส่วนใหญ่พอลิเมทิลเมทาคริเลต ( PMMA ) [ 5 ] ความละเอียดสูงสุด e-beam ทั้งหมดจะขึ้นอยู่กับแรงระหว่างโมเลกุลและโมเลกุลพอลิเมอร์สัมผัสผนังอิ่มต่อต้านซึ่งป้องกันไม่ให้สัมผัสถูกละลายในโมเลกุลจากผู้พัฒนาโซลูชั่น [ 6 ] ในที่สุด ความละเอียดสูงสุดจะถูกกำหนดโดยรัศมีการโคจรของพอลิเมอร์สัมผัสพัฒนาตัวทำละลายแต่ linewidths น้อยกว่า 5 นาโนเมตรได้สำเร็จ [ 7 ] และ   [ 8 ] e-beam สาแหรกไม่เหมาะเป็นเครื่องมือสำหรับการผลิตมวลของนาโนเป็นกระบวนการที่ช้าและต่อเนื่องกัน ดังนั้น ไม่ photolithographic วิธีสามารถให้ความง่ายและราคาถูกเส้นทาง nanofabrication .ในบทความนี้เราจะดูที่ตัวเลขของพอลิเมอร์ที่มีแนวโน้มการใช้กลยุทธ์ nanofabrication ที่เพิ่งถูกพัฒนาขึ้นโดยเน้นเทคนิคเหล่านั้นรวม nanostructured โพลิเมอร์ เป็นอุปกรณ์ที่ใช้ประโยชน์จากภายในและพอลิเมอร์ คุณสมบัติ