In addition, IDSincreases with dece

In addition, IDSincreases with deceasing
VGfrom 0 to 60 V which is indicative of p-type behavior as well.
The electrical transport data also reveal that the graphene deposited on SiGe substrate is of good quality which can be further
improved by refining the transfer process

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นอกจากนี้ IDSincreases กับ deceasing
VGfrom 0 ถึง? 60 V ซึ่งเป็นตัวบ่งชี้ของพฤติกรรมชนิดพีรวมทั้ง
ข้อมูลการขนส่งไฟฟ้านอกจากนี้ยังแสดงให้เห็นว่ากราฟีนวางลงบนพื้นผิวของ SiGe มีคุณภาพดีซึ่งสามารถนำไป
ปรับปรุงให้ดีขึ้นโดยกำหนดขั้นตอนการโอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นอกจากนี้ idsincreases กับ deceasing
vgfrom 0  60 V ที่บ่งบอกถึงพฤติกรรมของพีเช่นกัน .
ข้อมูลการขนส่ง ไฟฟ้า ยังเปิดเผยว่า กราฟีนฝากบนพื้นผิวของ SiGe คุณภาพดีซึ่งสามารถปรับปรุงเพิ่มเติม โดยการปรับกระบวนการโอน