Fig. 6 shows XRD patterns of the an

Fig. 6 shows XRD patterns of the annealed ceramics. The phase
structure exhibits remarkable change with prolonged annealing
time. Variations of the room temperature electrical properties as a
function of annealing time are listed in Table 2. The variation of the
electric properties can be well rationalized by considering the
compositional and structure variations undergoing during hightemperature
annealing. A secondary phase out of the perovskite
background can be clearly identified in the patterns of the long
time annealed samples. The reflection of the secondary phase
matches well tetragonal tungsten bronze (TTB) structure. The
formation of the secondary phase generally leads to the degradation
of the dielectric and piezoelectric properties due to the
diluting effect (less ferroelectric phase), as demonstrated by the reduction of the dielectric and piezoelectric performance with the
further prolonged annealing time. The XRD results of the annealed
samples illustrated the appearance of segregation in the sample for
1080 8C, and this compositional inhomogeneity induced the worse
piezoelectric property comparing with that of 1040 8C samples.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 6 แสดงรูปแบบ XRD ของเซรามิกอบ ขั้นตอนการโครงสร้างการจัดแสดงนิทรรศการเปลี่ยนโดดเด่น ด้วยการหลอมเป็นเวลานานครั้ง เปลี่ยนแปลงของคุณสมบัติทางไฟฟ้าอุณหภูมิห้องเป็นแบบฟังก์ชันของหลอมเวลาระบุไว้ในตารางที่ 2 การเปลี่ยนแปลงของการคุณสมบัติไฟฟ้าสามารถ rationalized ดี โดยพิจารณาการcompositional และรูปแบบโครงสร้างระหว่างระหว่าง hightemperatureหลอม ขั้นตอนการรองจาก perovskiteพื้นหลังสามารถระบุอย่างชัดเจนในรูปแบบของยาวเวลาอบตัวอย่าง สะท้อนของเฟสรองโครงสร้างตอนทังสเตนทองแดง (ดัส) ตรงกัน การก่อตัวของเฟสรองนำไปสู่การเสื่อมสภาพโดยทั่วไปคุณสมบัติเป็นฉนวน และ piezoelectric เนื่องจากการเจือจางผล (หักระยะ ferroelectric), โดยการลดลงของประสิทธิภาพการเป็นฉนวน และ piezoelectric ด้วยการต่อไป เป็นเวลานานเวลาในการหลอม ผล XRD ของที่อบแสดงตัวอย่างลักษณะของการแบ่งแยกในตัวอย่างสำหรับ1080 8C และ inhomogeneity compositional นี้เกิดให้แย่ลงชั่นคุณสมบัติเปรียบเทียบกับที่ 1040 8C ตัวอย่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. 6 แสดงให้เห็นถึงรูปแบบ XRD ของเซรามิกอบ เฟส
โครงสร้างการจัดแสดงนิทรรศการการเปลี่ยนแปลงที่โดดเด่นด้วยการอบเป็นเวลานาน
เวลา รูปแบบของคุณสมบัติทางไฟฟ้าที่อุณหภูมิห้องเป็น
หน้าที่ของเวลาการอบมีการระบุไว้ในตารางที่ 2 การเปลี่ยนแปลงของ
คุณสมบัติไฟฟ้าสามารถให้เหตุผลได้ดีโดยพิจารณาจาก
องค์ประกอบและโครงสร้างรูปแบบในช่วงระหว่างการ hightemperature
หลอม ขั้นตอนการมัธยมศึกษาออกจาก perovskite
พื้นหลังสามารถระบุได้อย่างชัดเจนในรูปแบบของยาว
ตัวอย่างเวลาอบ การสะท้อนของเฟสรอง
ตรงทองแดงทังสเตน tetragonal ดี (TTB) โครงสร้าง
การก่อตัวของเฟสรองโดยทั่วไปจะนำไปสู่การย่อยสลาย
ของคุณสมบัติเป็นฉนวนและ piezoelectric เนื่องจากการ
ผลเจือจาง (น้อยเฟส ferroelectric) ที่แสดงให้เห็นการลดลงของผลการดำเนินงานอิเล็กทริกและ piezoelectric กับที่
เวลาการอบต่อไปเป็นเวลานาน ผล XRD ของอบ
ตัวอย่างแสดงให้เห็นถึงลักษณะของการแยกจากกันในตัวอย่างสำหรับ
1080 8C และนี่ inhomogeneity compositional เหนี่ยวนำที่เลวร้ายกว่า
คุณสมบัติ piezoelectric เปรียบเทียบกับที่ของ 1040 8C ตัวอย่าง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 6 แสดงวิเคราะห์รูปแบบของอบเซรามิค เฟสการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างที่โดดเด่นด้วยการอบอ่อนนานเวลา การเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิห้องสมบัติทางไฟฟ้าเป็นการทำงานของการอบอ่อนอยู่ในรางที่ 2 การเปลี่ยนแปลงของคุณสมบัติทางไฟฟ้าได้เป็นเหตุผลโดยพิจารณาส่วนประกอบและโครงสร้างรูปแบบการในระหว่าง hightemperatureการอบ . ระยะที่สองของเพอรอฟสไกต์พื้นหลังสามารถระบุได้อย่างชัดเจนในรูปแบบของยาวเวลาอบตัวอย่าง ภาพสะท้อนของเฟสที่สองพอดีเตตระโกนอลทังสเตนทองเหลือง ( ttb ) โครงสร้าง ที่การก่อตัวของเฟสที่สองโดยทั่วไปจะนำไปสู่การย่อยสลายในการคุณสมบัติเพียโซอิเล็กทริก เนื่องจากการใส่ Effect ( เฟอร์โรอิเล็กทริกน้อยกว่าระยะ ) , แสดงให้เห็น โดยการลดลงของประสิทธิภาพการใช้เพียโซอิเล็กทริกด้วยเพิ่มเติม เวลาในการอบอ่อน และวิเคราะห์ผลของการอบอ่อนตัวอย่างแสดงลักษณะของการแยกในตัวอย่างสำหรับ1080 8C และ ความไม่สม่ําเสมอส่วนประกอบนี้กระตุ้นให้แย่ลงสมบัติเพียโซอิเล็กทริกเปรียบเทียบกับของ 1040 8C ตัวอย่าง