source operating at 40kVand40 mA. T

source operating at 40kVand
40 mA. The diffraction patterns were recorded between 51 and 651 (2θ) degrees.Specific surfacearea

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แหล่งที่มาทำงานที่ 40kVand40 mA รูปแบบการเลี้ยวเบนได้รับการบันทึกระหว่าง 651 และ 51 องศา (2θ)Surfacearea เฉพาะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แหล่งที่มาปฏิบัติงานที่ 40kVand
40 mA รูปแบบการเลี้ยวเบนที่ถูกบันทึกไว้ระหว่าง 51 และ 651 (2θ) degrees.Specific surfacearea

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แหล่งรวมงานที่ 40kvand
40 มา รูปแบบการเลี้ยวเบนที่ถูกบันทึกไว้ระหว่าง 51 และ 1 ( 2 θ ) องศา พื้นที่ผิวเฉพาะ