Ferroelectric nonvolatile RAM is wi

Ferroelectric nonvolatile RAM is widely considered as
an ideal nonvolatile memory with high write speeds, lowpower
operation and high endurance (read-write cycles)
[1]. Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) has
been studied for over 50 years. The FeRAM devices are
divided into two categories based on the readout technique:
destructive read-out (DRO) FeRAM and non-destructive
read-out (NDRO) FeRAM

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

nonvolatile RAM ferroelectric ถือว่าอย่างกว้างขวางว่าเป็นหน่วยความจำ nonvolatile
เหมาะกับการเขียนด้วยความเร็วสูง lowpower การดำเนินงาน
และความอดทนสูง (อ่านเขียนรอบ)
[1] หน่วยความจำเข้าถึง ferroelectric สุ่ม (feram)
ได้รับการศึกษามานานกว่า 50 ปี อุปกรณ์ feram เป็น
แบ่งออกเป็นสองประเภทตามเทคนิคมิเตอร์ที่อ่านได้:
ทำลายอ่านออก (Dro) feram และไม่ทำลาย
อ่านออก (ndro) feram

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Nonvolatile ferroelectric RAM อย่างกว้างขวางถือเป็น
หน่วยความจำ nonvolatile เหมาะกับสูงเขียนความเร็ว lowpower
การดำเนินงานและความอดทนสูง (รอบการอ่านเขียน)
[1] Ferroelectric หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่ม (FeRAM) มี
การศึกษา 50 ปี อุปกรณ์ FeRAM
แบ่งออกเป็นสองประเภทตามเทคนิค readout:
FeRAM read-out ทำลาย (DRO) และแบบไม่ทำลาย
FeRAM read-out (NDRO)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ferroelectric — nonvolatile random access memory —หน่วยความจำได้รับการยอมรับอย่างกว้างขวางได้รับการพิจารณาให้เป็น
หน่วยความจำแบบไม่ลบเลือนดีเยี่ยมพร้อมด้วยความเร็วสูงเขียน lowpower
การใช้งานและความอดทนสูง(รอบอ่าน - เขียน)
[ 1 ] ferroelectric Random Access Memory ( feram )มี
ซึ่งจะช่วยการศึกษามากกว่า 50 ปี อุปกรณ์ feram มี
แบ่งออกเป็นสอง ประเภท ที่ใช้การอ่านเทคนิค:
ทำลายอ่านออก( dro ) feram และไม่มีการทำลาย
feram อ่าน - out ( ndro )