. RBS/channelling investigations sh

. RBS/channelling investigations showed that there is gradual
(depending on the annealing temperature) epitaxial regrowth taking
place from the amorphous-crystalline interface [15]. In Fig. 2,
numerous small crystallites are visible with random orientation indicating that the crystalline substrate played no role in the
recrystallization process.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

. RBS/channelling สืบสวนพบว่า มีความสมดุล(ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิหลอม) การปลูก epitaxialทำจากอินเทอร์เฟซไปผลึก [15] ใน Fig. 2crystallites ขนาดเล็กจำนวนมากมีเห็นวางสุ่มแสดงว่า พื้นผิวผลึกเล่นไม่มีบทบาทในการrecrystallization กระบวนการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

. RBS / channeling การตรวจสอบพบว่ามีการทยอย
(ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิการหลอม) regrowth epitaxial การ
สถานที่จากอินเตอร์เฟซสัณฐานผลึก [15] ในรูป 2
crystallites ขนาดเล็กจำนวนมากสามารถมองเห็นได้ด้วยการวางแบบสุ่มแสดงให้เห็นว่าพื้นผิวผลึกมีบทบาทใน
กระบวนการ recrystallization

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

. ชัยภูมิ / พยายามติดต่อกับการสืบสวนพบว่ามีค่อยเป็นค่อยไป
( ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิการอบอ่อน ) epitaxial regrowth การ
สถานที่จากรูปร่างผลึกอินเตอร์เฟซ [ 15 ] ในรูปที่ 2
crystallites ขนาดเล็กมากมายที่มองเห็นได้ ด้วยการสุ่มแสดงพื้นผิวผลึกเล่นไม่มีบทบาทในกระบวนการเกิดการตกผลึกใหม่
.