MAGNETRON SPUTTERINGIn diode sputte

MAGNETRON SPUTTERING
In diode sputtering, not all of the electrons escaping the target contribute to the
ionized plasma glow area. The wasted electrons fly around the chamber causing
radiation and other problems, for example, the heating of the target. A magnetron
sputtering source addresses the electron problem by placing magnets behind, and
sometimes, at the sides of the target. These magnets capture the escaping
electrons and confine them to the immediate vicinity of the target. The ion current
(density of ionized argon atoms hitting the target) is increased by an order of
magnitude over conventional diode sputtering systems, resulting in faster
deposition rates at lower pressure. The lower pressure in the chamber helps create
a cleaner film. Target temperature is lower with magnetron sputtering enhancing
the deposition of high quality films.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

MAGNETRON พ่นในไดโอดพ่น ไม่ทั้งหมดของอิเล็กตรอนหนีเป้าหมายนำไปสู่การพลาสม่า ionized เรืองแสงที่ตั้ง เสียอิเล็กตรอนบินรอบก่อให้เกิดหอการค้ารังสีและปัญหาอื่น ๆ เช่น ความร้อนของเป้าหมาย แบบ magnetronพ่นแหล่งปัญหาอิเล็กตรอน โดยการวางแม่เหล็กด้านหลัง และบางครั้ง ที่ด้านข้างของเป้าหมาย แม่เหล็กเหล่านี้จับหลบหนีอิเล็กตรอน และรวมห้องของเป้าหมาย ไอออนปัจจุบัน(ความหนาแน่นของอะตอมอาร์กอน ionized ตีเป้าหมาย) ได้เพิ่มขึ้นตามใบสั่งขนาดผ่านไดโอดธรรมดาพ่นระบบ เป็นผลเร็วขึ้นราคาสะสมที่ความดันต่ำ ความดันต่ำในห้องช่วยสร้างฟิล์มทำความสะอาด อุณหภูมิเป้าหมายอยู่ล่าง มี magnetron พ่นเพิ่มสะสมของฟิล์มคุณภาพสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แมกสปัตเตอร์
ในสปัตเตอร์ไดโอดไม่ทั้งหมดของอิเล็กตรอนหนีเป้าหมายนำไปสู่
​​พื้นที่เรืองแสงพลาสม่าไอออน อิเล็กตรอนที่สูญเสียไปบินไปรอบ ๆ ห้องที่ก่อให้เกิด
รังสีและปัญหาอื่น ๆ เช่นความร้อนของเป้าหมาย แมกนีตรอน
สปัตเตอร์ที่มาอยู่ปัญหาอิเล็กตรอนโดยการวางแม่เหล็กที่อยู่เบื้องหลังและ
บางครั้งที่ด้านข้างของเป้าหมาย แม่เหล็กเหล่านี้จับหนี
อิเล็กตรอนและ จำกัด พวกเขาไปยังบริเวณใกล้เคียงของเป้าหมาย ไอออนปัจจุบัน
(ความหนาแน่นของอะตอมแตกตัวเป็นไอออนอาร์กอนตีเป้าหมาย) จะเพิ่มขึ้นตามคำสั่งของ
ขนาดที่เหนือกว่าระบบสปัตเตอร์ไดโอดทั่วไปจนได้เร็วขึ้น
อัตราการสะสมที่ความดันต่ำ ความดันที่ต่ำกว่าในห้องช่วยสร้าง
ภาพยนตร์ทำความสะอาด เป้าหมายคืออุณหภูมิที่ต่ำกว่าด้วยสปัตเตอร์แมกเสริมสร้าง
การทับถมของภาพยนตร์ที่มีคุณภาพสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แมกนีตรอนสปัตเตอริง
ในไดโอดสปัตเตอริง ไม่ใช่ทั้งหมดของอิเล็กตรอนหนีเป้าหมายไปสู่
ประจุพลาสม่าเรืองแสงบริเวณ เสียอิเล็กตรอนบินรอบห้องทำให้
รังสีและปัญหาอื่น ๆเช่นความร้อนของเป้าหมาย แมกนีตรอนสปัตเตอร์แหล่งที่อยู่
อิเล็กตรอนปัญหาโดยการวางแม่เหล็กไว้และ
บางครั้งที่ด้านข้างของเป้าหมายแม่เหล็กเหล่านี้จับหนี
อิเล็กตรอนและขังไว้ในบริเวณใกล้เคียงของเป้าหมาย ไอออนปัจจุบัน
( ความหนาแน่นของประจุอะตอมอาร์กอนตีเป้าหมาย ) เพิ่มขึ้น โดยคำสั่งของขนาดมากกว่าปกติ ระบบสปัตเตอริง
ไดโอด ส่งผลให้อัตราการเร็ว
ที่ความดันต่ำ ลดความดันในห้องช่วยสร้าง
ฟิล์มสะอาดอุณหภูมิต่ำกับแมกนีตรอนสปัตเตอร์เป้าหมายส่งเสริมการสะสมของฟิล์ม

คุณภาพสูง