When polar compounds interact with

When polar compounds interact with this metal gate, the electric field, and thus the current flowing through the sensor, are modified. The recorded response corresponds to the change of voltage necessary to keep a constant preset drain current (Lundstrom et al., 1990). The selectivity and sensitivity of MOSFET sensors may be influenced by the operating temperature (50–200°C), the composition of the metal gate, and the microstructure of the catalytic metal. MOSFET sensors have a relatively low sensitivity to moisture and are thought to be very robust.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อสารโพลาร์ที่โต้ตอบกับประตูโลหะ สนามไฟฟ้า และดังนั้น ในปัจจุบันไหลผ่านเซ็นเซอร์ มีเปลี่ยน ตอบกลับที่บันทึกไว้สอดคล้องกับการเปลี่ยนแปลงของแรงดันไฟฟ้าที่จำเป็นเพื่อให้คงไว้ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (Lundstrom et al. 1990) ใวและความไวของเซ็นเซอร์ MOSFET อาจมีผลมาจากอุณหภูมิปฏิบัติ (50-200° C), องค์ประกอบของประตูโลหะ และโครงสร้างจุลภาคของโลหะตัวเร่งปฏิกิริยา MOSFET เซนเซอร์มีความไวค่อนข้างต่ำกับความชื้น และมีความคิดที่แข็งแกร่งมาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อสารขั้วโลกโต้ตอบกับประตูโลหะสนามไฟฟ้าและทำให้กระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านเซ็นเซอร์ที่มีการแก้ไข การตอบสนองที่บันทึกไว้สอดคล้องกับการเปลี่ยนแปลงของแรงดันไฟฟ้าที่จำเป็นในการให้ท่อระบายน้ำอย่างต่อเนื่องในปัจจุบันที่ตั้งไว้ (Lundstrom et al., 1990) การเลือกและความไวของเซ็นเซอร์ MOSFET อาจได้รับอิทธิพลจากอุณหภูมิปฏิบัติการ (50-200 ° C) องค์ประกอบของประตูโลหะและจุลภาคของโลหะตัวเร่งปฏิกิริยา เซ็นเซอร์ MOSFET มีความไวค่อนข้างต่ำต่อความชื้นและมีความคิดที่มีประสิทธิภาพมาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เมื่อขั้วของการโต้ตอบกับประตูโลหะ , สนามไฟฟ้า และดังนั้น กระแสที่ไหลผ่านเซ็นเซอร์ จะแก้ไข บันทึกการตอบสนองสอดคล้องกับเปลี่ยนแรงดันไฟฟ้าให้คงที่ไว้ระบายเป็นปัจจุบัน ( Lundstrom et al . , 1990 ) เลือกสรรและความไวของมอสเฟตเซ็นเซอร์อาจจะได้อิทธิพลจากอุณหภูมิสูง ( 50 – 200 ° C ) , ส่วนประกอบของประตูโลหะและโครงสร้างจุลภาคของโลหะเร่งปฏิกิริยา มอสเฟตเซนเซอร์มีความไวค่อนข้างต่ำความชื้นและคิดว่าจะมีประสิทธิภาพมาก