The remainder of this paper is organized as follows. Section
II give a brief overview about the principle structure and
electrical parameter of metal oxide semiconductor field-effect
transistors (MOSFETs) in order to facilitate the readability of
the rest of the paper. Section III, IV, V, VI, and VII discuss
in detail the physical, material, power-thermal, technological,
and economical challenges of CMOS technology, respectively.
Section VIII suggests potential non-CMOS nanodevices that
are able to solve CMOS limitations. Finally, Section IX
concludes the paper.
ส่วนที่เหลือของบทความนี้คือการจัดดังนี้ ส่วน
2 ให้อธิบายภาพรวมเกี่ยวกับหลักการโครงสร้างและพารามิเตอร์ทางไฟฟ้าของสารกึ่งตัวนำโลหะออกไซด์
field-effect ทรานซิสเตอร์ ( สอด ) เพื่อความสะดวกในการอ่าน
ส่วนที่เหลือของกระดาษ ส่วนที่ III , IV , V , VI , VII หารือ
รายละเอียดทางกายภาพ , วัสดุ , พลังงานความร้อน , เทคโนโลยี ,
และความท้าทายทางเศรษฐกิจเทคโนโลยี CMOS ตามลำดับ .
ส่วน viii แสดงให้เห็นศักยภาพที่ไม่ nanodevices CMOS
สามารถแก้ปัญหาที่มีข้อจำกัด ในที่สุด , มาตรา 9
สรุปกระดาษ
การแปล กรุณารอสักครู่..
![](//thimg.ilovetranslation.com/pic/loading_3.gif?v=b9814dd30c1d7c59_8619)