It is well known that ZnO is a typi

It is well known that ZnO is a typical n-type semiconductor and the sensing mechanism is dominated by the surface process. In an air atmosphere, oxygen molecules are firstly absorbed on the surface of ZnO and capture free electrons to produce ionic species such as O, O2 or O2. When ZnO materials are exposed to acetone gas at higher temperature, the acetone gas molecules react with these ionic species, which leads to more free electrons liberated and an increase in the resistance of
the ZnO semiconductor. The reaction kinematics is as follows

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นที่รู้จักว่า ZnO เป็นสารกึ่งตัวนำชนิด n โดยทั่วไป และกลไก sensing ถูกครอบงำ โดยการที่ผิว ในบรรยากาศ อากาศออกซิเจนโมเลกุลแรกได้ดูดซึมบนพื้นผิวของ ZnO และจับอิเล็กตรอนอิสระในการผลิตชนิด ionic เช่น O, O2 หรือ O2 เมื่อวัสดุ ZnO มีสัมผัสกับอะซีโตนก๊าซอุณหภูมิสูง โมเลกุลก๊าซอะซิโตนทำปฏิกิริยากับชนิด ionic เหล่านี้ ซึ่งอิเล็กตรอนอิสระมากกว่า liberated และการเพิ่มความต้านทานของสารกึ่งตัวนำ ZnO Kinematics ปฏิกิริยาเป็นดังนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มันเป็นที่รู้จักกันดีว่า ZnO เป็นปกติสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นและกลไกการตรวจวัดที่ถูกครอบงำด้วยกระบวนการพื้นผิว ในบรรยากาศโมเลกุลออกซิเจนจะถูกดูดซึมแรกบนพื้นผิวของซิงค์ออกไซด์และจับอิเล็กตรอนอิสระในการผลิตสายพันธุ์อิออนเช่น O ?, O2? หรือ O2 ?. เมื่อวัสดุ ZnO มีการสัมผัสกับก๊าซอะซิโตนที่อุณหภูมิสูงกว่าโมเลกุลของก๊าซอะซิโตนทำปฏิกิริยากับสายพันธุ์เหล่านี้อิออนซึ่งนำไปสู่อิเล็กตรอนอิสระเสรีมากขึ้นและการเพิ่มขึ้นของความต้านทานของ
ซิงค์ออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์ จลนศาสตร์ปฏิกิริยาดังต่อไปนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มันเป็นที่รู้จักกันดีว่า ZnO เป็นปกติทั่วไป ) และใช้กลไกเป็น dominated โดยกระบวนการพื้นผิว ในอากาศ โมเลกุล ออกซิเจน คือดูดซึมบนพื้นผิวของ ZnO และจับอิเล็กตรอนอิสระในการผลิตชนิดไอออนเช่น O  O2  หรือ O2  . เมื่อวัสดุสัมผัสกับก๊าซซิงค์ออกไซด์แบบอุณหภูมิสูงอะซิโตนก๊าซโมเลกุลทำปฏิกิริยากับไอออน ชนิดเหล่านี้ ซึ่งนำไปสู่การเพิ่มอิเล็กตรอนอิสระที่ปลดปล่อยและเพิ่มความต้านทานของ
ZnO ) ปฏิกิริยาจลนพลศาสตร์เป็นดังนี้