The polycrystalline silicon is melt

The polycrystalline silicon is melted in a fused silica crucible heated by an induction heated graphite suceptor. The graphite heater may alternately be directly driven by a low voltage at high current. In the Czochralski process, the silicon melt is solidified on to a pencil sized monocrystal silicon rod of the desired crystal lattice orientation. (Figure below) The rod is rotated and pulled upward at a rate to encourage the diameter to expand to several inches. Once this diameter is attained, the boule is automatically pulled at a rate to maintain a constant diameter to a length of a few feet. Dopants may be added to the crucible melt to create, for example, a P-type semiconductor. The growing apparatus is enclosed within an inert atmosphere.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ซิลิกอนคจะละลายในเบ้าหลอมซิลิกาครอบฟันด้วยทั่วตัวร้อน ด้วยการเหนี่ยวนำความร้อน suceptor ไฟท์ ฮีตเตอร์ไฟท์อาจสลับตรงขับเคลื่อน โดยแรงดันต่ำที่สูงในปัจจุบัน ในกระบวนการ Czochralski ละลายซิลิคอนเป็นผลึกไปก้านดินสอ monocrystal ขนาดซิลิโคนของแนวตาข่ายคริสตัลต้องการ (รูปด้านล่าง) คันถูกหมุน และดึงขึ้นอัตราให้เส้นผ่าศูนย์กลางจะขยายไปหลายนิ้ว เมื่อเส้นผ่านศูนย์กลางนี้คือบรรลุ boule จะถูกดึงโดยอัตโนมัติอัตราการรักษาเส้นผ่าศูนย์กลางคงความยาวกี่ฟุต Dopants อาจถูกหลอมเบ้าหลอมเพื่อสร้าง เช่น เป็นสารกึ่งตัวนำชนิด P เครื่องปลูกจะอยู่ภายในบรรยากาศเฉื่อย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิลิคอน polycrystalline จะละลายในเบ้าหลอมซิลิกาความร้อนจากการเหนี่ยวนำความร้อนไฟท์ suceptor เครื่องทำความร้อนไฟท์อาจจะสลับกันขับเคลื่อนโดยตรงโดยแรงดันต่ำที่สูงในปัจจุบัน ในกระบวนการ Czochralski ละลายซิลิกอนจะแข็งไปยังดินสอขนาดแกน monocrystal ซิลิกอนของการวางแนวผลึกตาข่ายต้องการ (รูปด้านล่าง) แกนหมุนและดึงขึ้นในอัตราที่จะส่งเสริมให้มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางที่จะขยายไปหลายนิ้ว เมื่อเส้นผ่าศูนย์กลางนี้จะบรรลุ Boule ถูกดึงโดยอัตโนมัติในอัตราที่จะรักษาเส้นผ่าศูนย์กลางคงความยาวของไม่กี่ฟุต สารเจืออาจจะเพิ่มละลายเบ้าหลอมเพื่อสร้างตัวอย่างเช่น P-สารกึ่งตัวนำชนิด อุปกรณ์การเจริญเติบโตถูกปิดล้อมภายในบรรยากาศเฉื่อย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ส่วนรูปผลึกซิลิคอนจะถูกหลอมในเบ้าหลอมซิลิกาโดยการอุ่นอุ่น suceptor แกรไฟต์ แกรไฟต์ฮีตเตอร์อาจสลับกันได้ โดยตรง ที่ขับเคลื่อนด้วยแรงดันต่ำกระแสสูง ในกระบวนการ czochralski ซิลิคอนละลายเป็นก้อนบนดินสอขนาด monocrystal ซิลิคอนแกนของแลตทิซผลึกที่ต้องการใช้ ( รูปด้านล่าง ) ก้านหมุนและดึงขึ้นในอัตราที่ให้ขนาดขยายไปหลายนิ้ว เมื่อได้ขนาดนี้บรรลุ , ลูกเปตอง โดยอัตโนมัติได้ในอัตราคงที่เพื่อรักษาขนาดความยาวไม่กี่ฟุต คุณภาพอาจจะเพิ่มไปยังเบ้าหลอมสร้าง ตัวอย่างเช่น พี ) อุปกรณ์ปลูกล้อมรอบภายในบรรยากาศก๊าซเฉื่อย