ALD utilizes sequential precursor g

ALD utilizes sequential precursor gas pulses to deposit a film one layer at a time

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ALD ใช้กะพริบก๊าซสารตั้งต้นตามลำดับฝากภาพยนตร์ชั้นหนึ่งครั้ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มรกตใช้พัลส์ก๊าซสารตั้งต้นลำดับฝากภาพยนตร์ชั้นหนึ่งในช่วงเวลาที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ใช้แก๊สแบบสารตั้งต้น ald กะพริบเพื่อฝากภาพยนตร์ทีละชั้น