When DNA strands bind to the gate s

When DNA strands bind to the gate surface of ISFETs, changes in surface potential occur due to the
negative charge of DNA, thereby allowing for excellent performance of in DNA sensing. Through
special treatments of the oxide layer of a FET, probe DNA can be immobilized onto the oxide surface
in an orientation-controlled manner.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อดีเอ็นเอเส้นผูกเข้ากับพื้นผิวประตูของ ISFETs เกิดการเปลี่ยนแปลงศักย์ที่ผิวเนื่องจากการประจุลบของดีเอ็นเอ ซึ่งสำหรับประสิทธิภาพที่ดีเยี่ยมของดีเอ็นเอการตรวจวัด ผ่านบำบัดพิเศษของชั้นออกไซด์ของ FET โพรบดีเอ็นเอสามารถถูกตรึงกับที่บนพื้นผิวของออกไซด์ในลักษณะที่ควบคุมทิศทาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อดีเอ็นเอผูกเข้ากับพื้นผิวประตู ISFETs การเปลี่ยนแปลงในศักยภาพผิวเกิดขึ้นเนื่องจากการ
ประจุลบของดีเอ็นเอจึงอนุญาตให้ประสิทธิภาพที่ดีเยี่ยมในการตรวจจับดีเอ็นเอ ผ่าน
การรักษาพิเศษชั้นออกไซด์ของ FET การสอบสวนดีเอ็นเอสามารถตรึงลงบนพื้นผิวออกไซด์
ในลักษณะการวางแนวทางควบคุม