In this article, we report a compar

In this article, we report a comparative study of the influence of pressure-assisted (1.72 MPa) versus
ambient pressure thermal annealing on both ZnO thin films treated at 330 °C for 32 h. The effects of
pressure on the structural, morphological, optical, and gas sensor properties of these thin films were
investigated. The results show that partial preferential orientation of the wurtzite-structure ZnO thin
films in the [002] or [101] planes is induced based on the thermal annealing conditions used (i.e.,
pressure assisted or ambient pressure). UV–vis absorption measurements revealed a negligible variation
in the optical -band gap values for the both ZnO thin films. Consequently, it is deduced that the ZnO thin
films exhibit different distortions of the tetrahedral [ZnO4] clusters, corresponding to different concentrations
of deep and shallow level defects in both samples. This difference induced a variation of the
interface/bulk-surface, which might be responsible for the enhanced optical and gas sensor properties of
the pressure-assisted thermally annealed film. Additionally, pressure-assisted thermal annealing of the
ZnO films improved the H2 sensitivity by a factor of two.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในบทความนี้ เรารายงานศึกษาเปรียบเทียบอิทธิพลของความดันช่วย (1.72 MPa) เทียบกับแรงดันความร้อนหลอมบนฟิล์มบาง ZnO ทั้งสองถือว่า 330 ° c สำหรับ 32 h ผลกระทบของความดันบนโครงสร้าง สัณฐาน แสง และก๊าซเซ็นเซอร์คุณสมบัติของฟิล์มบางเหล่านี้ได้การตรวจสอบ ผลลัพธ์แสดงแนวพิเศษที่บางส่วนของ ZnO โครงสร้าง wurtzite บางฟิล์ม [002] หรือ [101] เครื่องบินจะเกิดขึ้นตามความร้อนหลอมเงื่อนไขที่ใช้คือช่วยดันหรือความดัน) การวัดการดูดซึม UV – vis เปิดเผยการเปลี่ยนแปลงเล็กน้อยในแสง - วงค่าช่องว่างสำหรับทั้ง ZnO ฟิล์มบาง จึง มันเป็นซึ่งสามารถกล่าวได้ที่ ZnO บางฟิล์มมีความบิดเบี้ยวแตกต่างกันของกลุ่ม [ZnO4] tetrahedral ที่สอดคล้องกับความเข้มข้นแตกต่างกันความลึก และน้ำตื้นบกพร่องระดับในตัวอย่างทั้งสอง ความแตกต่างนี้เกิดจากรูปแบบของการอินเทอร์เฟซเทียบจำนวนมากพื้นผิว ซึ่งอาจเป็นการเพิ่มแสง และเซ็นเซอร์คุณสมบัติของก๊าซความร้อนความดันช่วยอบฟิล์ม นอกจากนี้ ความดันช่วยหลอมที่ความร้อนของการฟิล์ม ZnO ขึ้นไว H2 โดยปัจจัยที่สอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในบทความนี้เรารายงานการศึกษาเปรียบเทียบอิทธิพลของความดันช่วย (1.72 MPa) เมื่อเทียบกับ
ความดันบรรยากาศการอบความร้อนทั้งฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์รับการรักษาที่ 330 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 32 ชั่วโมง ผลของ
ความดันในโครงสร้างทางสัณฐานวิทยาแสงและก๊าซเซ็นเซอร์คุณสมบัติของฟิล์มบางเหล่านี้ได้รับ
การตรวจสอบ ผลปรากฏว่าการวางแนวทางให้สิทธิพิเศษบางส่วนของ wurtzite โครงสร้าง ZnO บาง
ภาพยนตร์ใน [002] หรือ [101] เครื่องบินจะถูกเหนี่ยวนำขึ้นอยู่กับเงื่อนไขการอบความร้อนที่ใช้ (เช่น
ความดันช่วยหรือความดันบรรยากาศ) UV-Vis การวัดการดูดซึมเผยให้เห็นการเปลี่ยนแปลงเล็กน้อย
ในแสงค่าช่องว่าง -band สำหรับทั้งฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์ ดังนั้นจึงอนุมานได้ว่าบาง ZnO
ภาพยนตร์แสดงบิดเบือนที่แตกต่างกันของ tetrahedral [ZnO4] กลุ่มที่สอดคล้องกับความเข้มข้นที่แตกต่างกัน
ของข้อบกพร่องในระดับลึกและน้ำตื้นในตัวอย่างทั้งสอง ความแตกต่างนี้เหนี่ยวนำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงของ
อินเตอร์เฟซ / กลุ่มพื้นผิวซึ่งอาจจะเป็นผู้รับผิดชอบในการเพิ่มคุณสมบัติทางแสงและก๊าซเซ็นเซอร์ของ
ฟิล์มอบความร้อนความดันช่วย นอกจากนี้ความดันช่วยหลอมความร้อนของ
ฟิล์มซิงค์ออกไซด์ปรับปรุงความไว H2 โดยปัจจัยที่สอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในบทความนี้ , เราจะรายงานการศึกษาเปรียบเทียบอิทธิพลของความดันช่วย ( 1.72 MPa ) เมื่อเทียบกับความดันบรรยากาศอบด้วยความร้อนบนฟิล์มบาง ZnO ปฏิบัติทั้ง 330 °องศาเซลเซียส 32 ชั่วโมง ผลของความดันในโครงสร้าง ลักษณะ และคุณสมบัติของก๊าซเซ็นเซอร์แสงของฟิล์มบางเหล่านี้สอบสวน ผลที่ได้แสดงให้เห็นว่าบางส่วนของโครงสร้างพิเศษการปฐมนิเทศ wurtzite ซิงค์ออกไซด์บางภาพยนตร์ใน [ 002 ] หรือ [ 101 ] เครื่องบินจะเกิดตามสภาพการใช้งาน ( เช่น การอบความร้อนดันช่วย หรือความดันบรรยากาศ ) UV –วัดพบการเปลี่ยนแปลงเล็กน้อยปริมาณการดูดซึมในแสง - ช่องว่างแถบค่าทั้งซิงค์ออกไซด์ฟิล์มบาง . ดังนั้น จึงสรุปได้ว่าสังกะสีบาง ๆภาพยนตร์มีการแตกต่างกันของทรงสี่หน้า [ zno4 ] กลุ่มที่ความเข้มข้นต่าง ๆในระดับลึกและตื้นข้อบกพร่องทั้งในตัวอย่าง ความแตกต่างนี้เกิดจากการเปลี่ยนแปลงของผิวอินเตอร์เฟซ / ขนาดใหญ่ ซึ่งจะรับผิดชอบสำหรับการเพิ่มแสงและคุณสมบัติของก๊าซเซ็นเซอร์ดันช่วยแชอบฟิล์ม นอกจากนี้ แรงกดดันเรื่องการอบความร้อนของฟิล์ม ZnO การปรับปรุง H2 ไวโดยปัจจัยที่สอง