where k2 and k3 are the rate consta

where k2 and k3 are the rate constants of two surface reactions respectively. By these surface reactions, an alumina dielectric film can be produced on the silicon wafer surface, and meanwhile, the silicon wafer surface is hydroxylated again by the H2O pulse. With the next round of TMA +H2O treatment, the alumina film can be continuously generated on the target silicon wafer surface.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

k2 และ k3 ค่าคงที่อัตราของปฏิกิริยาสองผิวตามลำดับ โดยปฏิกิริยาเหล่านี้พื้นผิว สามารถผลิตได้เป็นอลูมินาเป็นฉนวน film บนพื้นผิวแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอน และในขณะเดียวกัน พื้นผิวแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนเป็น hydroxylated อีกครั้ง โดยชีพจร H2O กับรอบถัดไปของ TMA + H2O รักษา film อลูมินาอย่างต่อเนื่องสร้างบนพื้นผิวแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนที่เป้าหมายได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่ K2 และ K3 เป็นค่าคงที่อัตราของทั้งสองปฏิกิริยาพื้นผิวตามลำดับ จากปฏิกิริยาพื้นผิวเหล่านี้ LM อลูมิอิเล็กทริก Fi สามารถผลิตได้บนพื้นผิวซิลิกอนเวเฟอร์และในขณะเดียวกันพื้นผิวซิลิคอนเวเฟอร์เป็น hydroxylated อีกครั้งโดยชีพจร H2O ด้วยรอบต่อไปของการรักษา TMA H2O +, LM ไฟอลูมิเนียมสามารถสร้างขึ้นอย่างต่อเนื่องในเป้าหมายพื้นผิวซิลิกอนเวเฟอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

และที่ K2 K3 เป็นค่าคงที่ของพื้นผิวสองปฏิกิริยาตามลำดับ โดยปฏิกิริยาผิวเหล่านี้จึงเป็น LM ฉนวนอลูมินาสามารถผลิตบนพื้นผิวเวเฟอร์ซิลิคอนและในขณะเดียวกันพื้นผิวเวเฟอร์ซิลิคอนเป็น hydroxylated อีกครั้งโดย H2O ชีพจร กับรอบต่อไปของการรักษา H2O TMA , LM จึงอลูมินาสามารถอย่างต่อเนื่องที่สร้างขึ้นบนชิ้นงานแผ่นซิลิคอนพื้นผิว