The introduction of oxygen suppress

The introduction of oxygen suppresses the nucleation of Si nanocrystallites. Therefore, p-SiOx film with low oxygen content should be used for the contact layer, to guarantee growth of highly conductive Si nanocrystallites in the initial few nanometers.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แนะนำออกซิเจนไม่ใส่ nucleation ของศรี nanocrystallites ดังนั้น ควรใช้สำหรับชั้นติดต่อ p-SiOx ฟิล์มกับออกซิเจนต่ำเนื้อหารับประกัน nanometers น้อยเจริญเติบโตของ nanocrystallites ศรีนำสูงในต้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แนะนำของออกซิเจนยับยั้งนิวเคลียสของศรี nanocrystallites ดังนั้นภาพยนตร์ P-SiOx ที่มีปริมาณออกซิเจนต่ำควรจะใช้สำหรับชั้นติดต่อเพื่อรับประกันการเจริญเติบโตของ nanocrystallites นำสูงศรีในไม่กี่นาโนเมตรเริ่มต้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การแนะนำของออกซิเจนยับยั้งขนาดของศรี nanocrystallites . ดังนั้น p-siox ฟิล์มที่มีปริมาณออกซิเจนต่ำ ควรใช้สำหรับติดต่อชั้นรับประกันเติบโตสูงเอื้อศรี nanocrystallites ครั้งแรกในไม่กี่นาโนเมตร