C60 films 70 nm thick! were formed

C60 films 70 nm thick! were formed on a CsI substrate in an UHV chamber ~base pressure: 131029 Torr by sublimation of C60 powder. After formation of the C60 film, an EB with incident energy of 3 keV was applied to the film using an EB gun connected to the UHV chamber. The details of the experimental conditions were described

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

C60 ฟิล์ม 70 nm หนา ได้เกิดขึ้นกับพื้นผิวของ CsI ในหอมี UHV ~ พื้นฐานความดัน: ธอร์ 131029 โดยการระเหิดของ C60 ผง หลังจากการก่อตัวของฟิล์ม C60 เป็น EB กับปัญหาพลังงาน 3 keV ถูกกับฟิล์มที่ใช้ปืน EB เชื่อมต่อกับหอ UHV มีอธิบายรายละเอียดของเงื่อนไขการทดลอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภาพยนตร์ C60 70 นาโนเมตรหนา! กำลังก่อตัวขึ้นบนพื้นผิว CsI ในห้อง UHV ~ ดันฐาน: 131029 Torr โดยการระเหิดของผง C60 หลังจากการก่อตัวของฟิล์ม C60 เป็น EB ด้วยพลังงานที่เกิดขึ้นจาก 3 เคฟถูกนำมาใช้กับฟิล์มโดยใช้ปืน EB เชื่อมต่อกับห้อง UHV รายละเอียดของเงื่อนไขการทดลองอธิบาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

C60 ฟิล์ม 70 nm หนา ! ถูกสร้างขึ้นบนพื้นผิวใน CSI uhv ห้อง ~ แรงดันฐาน : 131029 ทอร์โดยการระเหิดของ C60 ผง หลังจากการก่อตัวของ C60 ภาพยนตร์ , EB กับพลังงานที่เกิดขึ้น 3 เคฟใช้ฟิล์มใช้ปืน uhv EB เชื่อมต่อกับห้อง รายละเอียดของการทดลองคือ อธิบายเงื่อนไข