The basic idea of constant-field sc

The basic idea of constant-field scaling of CMOS transistors' physical feature and their corresponding band diagram
are shown in Figure 2.For the original device as depicted in
Figure 2(a),the channel have length of L, oxide thickness of
tox, bias voltage of V and substrated oping of Na. While the
scaled device in Figure 2(b), all parameters are affected by
the scaling factor, s~0.7 [11]. The channel length is reduced
to be Lxs, oxide thickness becomes toxxs, bias voltage is
decreased to be Vxs, and substrate doping is increased to
be Na/s

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความคิดพื้นฐานของฟิลด์คงขนาดของคุณลักษณะทางกายภาพของ CMOS transistors และไดอะแกรมของวงตรง
แสดงในรูปที่ 2 อุปกรณ์เดิมตามที่แสดงใน
รูป 2 (ก) ช่องมีความยาวของ L ออกไซด์หนาของ
tox ตั้งแรง V และ oping เรี่ยม substrated ในขณะ
ปรับอุปกรณ์ในรูป 2(b) พารามิเตอร์ทั้งหมดที่ได้รับผลกระทบโดย
ตัวประกอบมาตราส่วน s ~ 0.7 [11] ลดความยาวช่อง
จะ Lxs ออกไซด์หนากลายเป็น toxxs แรงดันตั้ง
ลดลงเป็น Vxs และพื้นผิวโดปปิงค์ขึ้นไป
สามารถ นา/s

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แนวคิดพื้นฐานของการปรับค่าคงที่สนามของคุณลักษณะทางกายภาพ CMOS ทรานซิสเตอร์ 'และแผนภาพวงดนตรีที่ตรงกัน
จะแสดงในรูป 2.For อุปกรณ์เดิมเป็นที่ปรากฎใน
รูปที่ 2 (a) ช่องทางที่มีความยาว L, ความหนาของออกไซด์ของ
สารพิษ, แรงดันไบอัสของ V และ oping substrated นา ในขณะที่
อุปกรณ์ปรับขนาดในรูปที่ 2 (ข) พารามิเตอร์ทั้งหมดได้รับผลกระทบโดย
ปัจจัยปรับ, s ~ 0.7 [11] ระยะเวลาในช่องทางที่จะลดลง
เป็น LXS ความหนาออกไซด์จะกลายเป็น toxxs, แรงดันไบอัสที่
ลดลงจะเป็น VXS และพื้นผิวยาสลบจะเพิ่มขึ้นที่จะ
เป็นนา / วินาที

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แนวคิดพื้นฐานของการปรับของ CMOS คงที่สนามทรานซิสเตอร์ ' คุณลักษณะทางกายภาพและสอดคล้องกับวงดนตรีแผนภาพ
จะแสดงในรูปที่ 2 . อุปกรณ์เดิมเหมือนในภาพ
รูปที่ 2 ( ก ) , ช่องมีความยาวของชั้น ความหนาของออกไซด์ tox
, V substrated oping และความต่างศักย์ของนา ในขณะที่
ปรับอุปกรณ์ในรูปที่ 2 ( ข ) , พารามิเตอร์ทั้งหมดจะได้รับผลกระทบจากการปรับปัจจัย
, ~ 7 [ 11 ]ช่องความยาวลดลง
เป็น lxs , ความหนาของออกไซด์จะ toxxs แรงดันไฟฟ้าอคติคือ
ลดลงเป็น vxs และสารเติมเพิ่ม

/ s ได้นา