For the next 3.334 ms switches S3,

For the next 3.334 ms switches S3, S6 and S4, S1 will
conduct each switch will conduct 20μS in 40μS cycle over
3.334ms. For the next 3.334 ms switches S5, S2 and S4, S1
will conduct each switch will conduct 20μS in 40μs cycle over
3.334ms. For the next 3.334 ms switches S5, S2 and S6, S3
will conduct each switch will conduct 20μs in 40μs cycle over
3.334ms. Logic has been developed on the basis of conduction
angles of each diode in full bridge diode rectifier.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับถัดไป 3.334 ms สวิตช์ S3, S6 และ S4, S1 จะจรรยาบรรณแต่ละสวิตช์จะทำการ 20μS ใน 40μS รอบมากกว่า3.334ms สำหรับสวิตช์ที่ 3.334 ms ถัด S5, S2 และ S4, S1จะดำเนินการแต่ละสวิตช์จะทำการ 20μS ใน 40μs รอบมากกว่า3.334ms สำหรับสวิตช์ที่ 3.334 ms ถัด S5, S2 และ S3, S6จะดำเนินการแต่ละสวิตช์จะทำการ 20μs ใน 40μs รอบมากกว่า3.334ms ตรรกะได้รับการพัฒนาบนพื้นฐานของการนำมุมของไดโอดแต่ละในแบบเต็มบริดจ์ไดโอด rectifier

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับ 3.334 มิลลิวินาทีต่อไปสวิทช์ S3, S4 และ S6, S1 จะ
ดำเนินการสลับกันจะดำเนินการ20μSในวงจร40μSกว่า
3.334ms สำหรับ 3.334 มิลลิวินาทีต่อไปสวิทช์ S5, S2 และ S4, S1
จะดำเนินการสลับกันจะดำเนินการใน20μS40μsรอบกว่า
3.334ms สำหรับ 3.334 มิลลิวินาทีต่อไปสวิทช์ S5, S2 และ S6, S3
จะดำเนินการสลับกันจะดำเนินการใน20μs40μsรอบกว่า
3.334ms ลอจิกได้รับการพัฒนาบนพื้นฐานของการนำ
มุมของแต่ละไดโอดสะพานเต็มรูปแบบไดโอด rectifier

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับถัดไป 3.334 MS สวิตช์ S1 และ S3 , S4 s6 , จะนำแต่ละสวิตช์จะดำเนินการ 20 μในรอบกว่า 40 μ s3.334ms ในอีก 3.334 MS สวิตช์ S1 และ S2 S4 S5 , ,จะดำเนินการแต่ละสวิตช์จะดำเนินการ 20 μในรอบกว่า 40 μ s3.334ms ในอีก 3.334 MS สวิตช์ S5 S2 และ S3 s6 , ,จะดำเนินการแต่ละสวิตช์จะดำเนินการ 20 μในรอบกว่า 40 μ s3.334ms ตรรกะที่ได้รับการพัฒนาบนพื้นฐานของสื่อมุมของแต่ละไดโอดไดโอด rectifier สะพานในเต็ม .