In general, a field-effect transist

In general, a field-effect transistor (FET) consists of three terminals; the source, drain, and gate. The
voltage between the source and drain of the FET regulates the current flow in the gate voltage.
Specifically, the current-control mechanism is based on an electric field generated by the voltage
applied to the gate. The current is also conducted by only one type of carrier (electrons or holes)
depending on the type of FET (n-channel or p-channel). A positive voltage applied to the gate causes
positive charges (free holes) to be repelled from the region of the substrate under the gate. These
positive charges are pushed downward into the substrate, leaving behind a carrier-depletion region.
The depletion region is populated by the bound negative charge associated with the acceptor atoms.
These charges are “uncovered” because the neutralizing holes have been pushed downward into the
substrate [5]. The positive gate voltage also pulls negative charges (electrons) from the substrate
regions into the channel region. When sufficient electrons are induced under the gate, an induced thin
n-channel is in effect created, electrically bridging the source and drain regions. The channel is formed
by inverting the substrate surface from p-type to n-type (inversion layer). When a voltage is applied
between the drain and source with the created channel, a current flows through this n-channel via the
mobile electrons (n-type FET). In the case of a p-type semiconductor, applying a positive gate voltage
depletes carriers and reduces the conductance, whereas applying a negative gate voltage leads to an accumulation of carriers and an increase in conductance (the opposite effect occurs in n-type
semiconductors). The applied gate voltage generates an electric field which develops in the vertical
direction. This field controls the amount of charge in the channel, and thus it determines the
conductivity of the channel. The gate voltage applied to accumulate a sufficient number of electrons in
the channel for a conducting channel is called the threshold voltage (VTH). Note that VTH for an nchannel (p-channel) FET is positive (negative).
With these properties, the FET can be configured as a biosensor by modifying the gate terminal
with molecular receptors or ion-selective membranes for the analyte of interest. The binding of a
charged biomolecule results in depletion or accumulation of carriers caused by change of electric
charges on the gate terminal. The dependence of the channel conductance on gate voltage makes FETs
good candidates for electrical biosensors because the electric field generating from the binding of a
charged biomolecule to the gate is analogous to applying a voltage to a gate. In general, the drain
current of the FET-type biosensor is defined as follows:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทั่วไป ฟิลด์–ผลทรานซิสเตอร์ (FET) ประกอบด้วยอาคารผู้โดยสาร แหล่งที่มา ท่อระบายน้ำ และประตู การแรงดันไฟฟ้าระหว่างต้นทางและท่อระบายน้ำของ FET การควบคุมกระแสที่ไหลผ่านในแรงดันประตูเฉพาะ กลไกการควบคุมปัจจุบันตามสนามไฟฟ้าที่สร้างขึ้น โดยแรงดันไฟฟ้าใช้กับประตู นอกจากนี้ยังมีการดำเนินการปัจจุบัน โดยเพียงชนิดเดียวของผู้ให้บริการ (อิเล็กตรอนหรือหลุม)ขึ้นอยู่กับชนิดของ FET (n หรือ p-ช่องสัญญาณ) แรงดันที่ใช้กับประตูสาเหตุบวกค่าธรรมเนียม (หลุมฟรี) จะมันไส้จากภูมิภาคของพื้นผิวประตูไป เหล่านี้บวกค่าธรรมเนียมผลักดันลงเป็นพื้นผิว ทิ้งภูมิภาคผู้สูญเสียภูมิภาคสูญเสียโดยประจุลบถูกผูกเชื่อมโยงกับอะตอมให้เป็นผู้รับค่าธรรมเนียมเหล่านี้จะ "เปิด" เพราะหลุมล้ำได้ถูกผลักดันลงไปพื้นผิว [5] แรงดันไฟฟ้าบวกประตูยังดึงค่าลบ (อิเล็กตรอน) จากพื้นผิวภูมิภาคในภูมิภาคช่อง เมื่ออิเล็กตรอนเพียงพอจะเกิดภายใต้ประตู การเหนี่ยวนำบางช่อง n ผลขึ้น การเชื่อมโยงระบบไฟฟ้าภูมิภาคแหล่งและท่อระบายน้ำ ช่องทางจะเกิดขึ้นโดยสีตรงกันข้ามพื้นผิวพื้นผิวจาก p ชนิด n ชนิด (ชั้นกลับ) เมื่อใช้แรงดันไฟฟ้าระหว่างท่อระบายน้ำและแหล่งที่มากับช่องสร้างขึ้น กระแสไหลผ่านช่องทางนี้ n ผ่านการอิเล็กตรอนเคลื่อน (FET แบบ n) ในกรณีที่สารกึ่งตัวนำชนิด p ใช้แรงดันไฟฟ้าบวกประตูคุณสมบัติผู้ให้บริการ และลดนำพา ในขณะที่ใช้แรงดันไฟฟ้าลบประตูนำไปสู่การสะสมของสายการบินและการเพิ่มขึ้นในนำพา (ผลที่เกิดขึ้นในประเภท nสารกึ่งตัวนำ) แรงดันไฟฟ้าที่ใช้ประตูสร้างสนามไฟฟ้าซึ่งพัฒนาในแนวตั้งทิศทาง ฟิลด์นี้ควบคุมจำนวนเงินในช่อง และดังนั้นจึง กำหนดให้การนำไฟฟ้าของช่อง แรงดันไฟฟ้าประตูใช้สะสมเพียงพอจำนวนของอิเล็กตรอนในช่องสำหรับช่องทางน่าจะเรียกว่าขีดจำกัดแรงดันไฟฟ้า (VTH) VTH สำหรับ FET nchannel (p-ช่อง) เป็นบวก (ลบ)ด้วยคุณสมบัติเหล่านี้ เฟสฯ สามารถกำหนดค่าเป็น biosensor ที่ โดยการปรับเปลี่ยนประตูผู้โดยสารกับโมเลกุลตัวรับหรือเยื่อเลือกไอออนสำหรับ analyte ที่น่าสนใจ การรวมของการโมเลกุลชีวภาพมีผลในการสูญเสียหรือสะสมของสายการบินเกิดจากการเปลี่ยนแปลงของการไฟฟ้าค่าใช้จ่ายที่ประตูผู้โดยสาร ทำให้การพึ่งพาของนำพาช่องบนประตูดัน FETsผู้สมัครที่ดีสำหรับ biosensors ไฟฟ้าเนื่องจากสนามไฟฟ้าที่สร้างจากการรวมของการโมเลกุลชีวภาพมีประตูคล้ายกับการใช้แรงดันไฟฟ้าเป็นไปได้ ในทั่วไป ท่อระบายน้ำปัจจุบันของ biosensor FET ชนิดถูกกำหนดเป็นดังนี้:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยทั่วไปสนามผลทรานซิสเตอร์ (FET) ประกอบด้วยขั้วที่สาม; แหล่งที่มาของท่อระบายน้ำและประตูเมือง
แรงดันไฟฟ้าระหว่างแหล่งที่มาและท่อระบายน้ำของ FET ควบคุมการไหลของกระแสแรงดันประตู.
โดยเฉพาะกลไกในปัจจุบันการควบคุมอยู่บนพื้นฐานของสนามไฟฟ้าที่เกิดจากแรงดันไฟฟ้า
ที่ใช้กับประตู ปัจจุบันยังมีการดำเนินการโดยเพียงชนิดเดียวของผู้ให้บริการ (อิเล็กตรอนหรือหลุม)
ขึ้นอยู่กับชนิดของ FET (N-ช่องหรือ P-Channel) แรงดันไฟฟ้าในเชิงบวกนำไปใช้กับประตูทำให้เกิด
ประจุบวก (หลุมฟรี) ที่จะมันไส้จากภูมิภาคของพื้นผิวภายใต้ประตู เหล่านี้
ประจุบวกจะผลักดันให้ลงเข้าไปในพื้นผิวหลังออกจากพื้นที่ที่ให้บริการพร่อง.
ภูมิภาคพร่องเป็นประชากรโดยประจุลบผูกพันเกี่ยวข้องกับอะตอมยอมรับได้.
ค่าใช้จ่ายเหล่านี้จะ "เปิด" เพราะหลุม neutralizing ได้รับการผลักดันลงเข้าไปใน
พื้นผิว [5] แรงดันไฟฟ้าในเชิงบวกประตูยังดึงประจุลบ (อิเล็กตรอน) จากสารตั้งต้น
ภูมิภาคเข้ามาในภูมิภาคช่อง เมื่ออิเล็กตรอนเพียงพอที่จะเหนี่ยวนำให้เกิดภายใต้ประตูเหนี่ยวนำบาง
n ช่องทางมีผลสร้างการเชื่อมโยงระบบไฟฟ้าแหล่งที่มาและท่อระบายน้ำในภูมิภาค ช่องทางที่จะเกิดขึ้น
โดย inverting พื้นผิวจาก P-ชนิด N-Type (ชั้นผกผัน) เมื่อมีการใช้ไฟฟ้า
ระหว่างท่อระบายน้ำและแหล่งที่มากับช่องทางที่สร้างการมีกระแสไหลผ่านทางนี้ N-ช่องผ่าน
อิเล็กตรอนเคลื่อนที่ (N-ประเภท FET) ในกรณีของ P-สารกึ่งตัวนำชนิดที่ใช้แรงดันเกบวก
บั่นทอนผู้ให้บริการและช่วยลดความนำไฟฟ้าในขณะที่การใช้แรงดันเกเชิงลบจะนำไปสู่การสะสมของผู้ให้บริการและการเพิ่มขึ้นของสื่อกระแสไฟฟ้า (ผลตรงข้ามที่เกิดขึ้นใน N-ประเภท
เซมิคอนดักเตอร์) . แรงดันไฟฟ้าประตูนำไปใช้สร้างสนามไฟฟ้าที่พัฒนาในแนวตั้ง
ทิศทาง ข้อมูลนี้จะควบคุมปริมาณของค่าใช้จ่ายในช่องทางและทำให้มันเป็นตัวกำหนด
การนำของช่อง แรงดันไฟฟ้าประตูนำไปใช้กับการสะสมจำนวนที่เพียงพอของอิเล็กตรอนใน
ช่องทางสำหรับช่องการดำเนินการที่เรียกว่าแรงดันเกณฑ์ (Vth) หมายเหตุ Vth ว่าสำหรับ nChannel (P-Channel) FET เป็นบวก (ลบ.)
ด้วยคุณสมบัติเหล่านี้ FET สามารถกำหนดค่าเป็นไบโอเซนเซอร์โดยการปรับเปลี่ยนขั้วประตู
กับตัวรับโมเลกุลหรือไอออนเยื่อเลือกสำหรับการวิเคราะห์ที่น่าสนใจ มีผลผูกพันของ
การเรียกเก็บผลโมเลกุลทางชีวภาพในการสูญเสียหรือการสะสมของผู้ให้บริการที่เกิดจากการเปลี่ยนแปลงของการไฟฟ้า
ค่าใช้จ่ายใน terminal ประตู การพึ่งพาอาศัยของสื่อกระแสไฟฟ้าแรงดันในช่องประตูทำให้ FETs
ผู้สมัครที่ดีสำหรับไบโอเซนเซอร์ไฟฟ้าเนื่องจากสนามไฟฟ้าจากการสร้างผลผูกพันของ
โมเลกุลทางชีวภาพที่เรียกเก็บจากประตูจะคล้ายคลึงกับการใช้แรงดันไฟฟ้าให้ประตู โดยทั่วไปท่อระบายน้ำ
ในปัจจุบันของ FET ชนิดไบโอเซนเซอร์ถูกกำหนดไว้ดังต่อไปนี้:

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยทั่วไป , field-effect ทรานซิสเตอร์ ( FET ) ประกอบด้วยสามอาคาร ; แหล่งที่มา , ท่อระบายน้ำ , และประตู ที่ความต่างศักย์ระหว่างแหล่งที่มาและท่อระบายน้ำของเฟต ควบคุมการไหลของกระแสในประตูไฟฟ้าโดยเฉพาะ กลไกการควบคุมกระแสโดยใช้สนามไฟฟ้า ที่เกิดจากแรงดันใช้กับประตู ปัจจุบันยังดำเนินการโดยเพียงหนึ่งชนิดของผู้ให้บริการ ( อิเล็กตรอนหรือหลุม )ขึ้นอยู่กับชนิดของเฟต ( นแชนแนล หรือ p-channel ) แรงดันบวกที่ใช้กับประตู สาเหตุประจุบวก ( หลุมฟรี ) ถูกขับไล่จากภูมิภาคของพื้นผิวภายใต้ประตู เหล่านี้ประจุบวกผลักลงสู่พื้นผิว ทิ้งพาหะของภูมิภาคการเขตมีประชากรโดยผูกประจุลบที่เกี่ยวข้องกับพระนาสิกอะตอมค่าใช้จ่ายเหล่านี้คือ " เปิด " เพราะว่าถูกผลักลงในหลุมพื้นผิว [ 5 ] แรงดันประตูบวกยังดึงค่าลบ ( อิเล็กตรอน ) จากพื้นผิวภูมิภาคเป็นสถานีภูมิภาค เมื่ออิเล็กตรอนถูกกระตุ้นที่เพียงพอภายใต้ประตู , และบางนแชนแนลจะมีผลสร้างระบบไฟฟ้าเชื่อมแหล่งที่มาและระบาย ภูมิภาค ช่องเกิดขึ้นโดยกลับหัวพื้นผิวพื้นผิวจากพีไปทั่วไป ( ชั้นผกผัน ) เมื่อแรงดันที่ใช้ระหว่างการระบายและแหล่งที่มากับสร้างช่อง มีกระแสไหลผ่านนแชนแนลนี้ ผ่านทางอิเล็กตรอน ( มือถือทั่วไป FET ) ในกรณีของพีสารกึ่งตัวนำที่ใช้แรงดันประตูบวกdepletes ผู้ให้บริการและลดความนำ ในขณะที่ใช้แรงดันประตูลบ นำไปสู่การสะสมของผู้ให้บริการและการเพิ่มขึ้นของระบบที่ตรงกันข้ามเกิดขึ้นทั่วไปในเซมิคอนดักเตอร์ ) ใช้แรงดันหลักสร้างสนามไฟฟ้า ซึ่งพัฒนาในแนวตั้งทิศทาง สนามนี้ การควบคุมปริมาณของประจุในช่องที่กำหนด และดังนั้นจึงค่าช่อง ประตูไฟฟ้าใช้เพื่อสะสมจำนวนที่เพียงพอของอิเล็กตรอนในช่องสำหรับการดำเนินการช่องทางที่เรียกว่าเกณฑ์แรงดัน ( vth ) ทราบว่า vth สำหรับ nchannel ( p-channel ) เฟตเป็นบวก ( ลบ )ด้วยคุณสมบัติเหล่านี้ เฟตสามารถกำหนดค่าเป็นไบโอเซนเซอร์โดยการปรับเปลี่ยนประตูเทอร์มินัลกับตัวรับโมเลกุลหรือไอออนเมมเบรนที่เลือก สำหรับครูที่สนใจ ผูกพันของค่าใช้จ่ายในการสะสมของโมเลกุลชีวภาพหรือผลที่เกิดจากการเปลี่ยนแปลงของผู้ให้บริการไฟฟ้าค่าใช้จ่ายในประตูอาคาร การพึ่งพาอาศัยกันของระบบแรงดันในช่องประตูทำให้ fetsผู้สมัครที่ดีสำหรับอุปกรณ์ไฟฟ้าตามเพราะสนามไฟฟ้าที่สร้างจากการรวมของค่าบริการชีวโมเลกุลเพื่อประตูเป็นแบบใช้แรงดันไฟฟ้าไปยังประตู ในทั่วไป , ท่อระบายปัจจุบันของเฟตชนิดไบโอเซนเซอร์เป็นดังนี้ :